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| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | SPANNUNG - Verrorane | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Taktfrequenz | Speichertyp | Speichergrö | Zugriffszeit | Speicherformat | Speicherorganisation | Speicherschnittstelle | Zykluszeitscheiben - Würze, Site | SIC -Programmierbar |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | LE25S20XATAG | - - - |  | 1366 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-XFBGA, WLCSP | LE25S20 | Blitz | 1,65 V ~ 1,95 V. | 8-WLCSP (1,55x1,53) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 5.000 | 40 MHz | Nicht Flüchtig | 2mbit | Blitz | 256k x 8 | Spi | 3,5 ms | ||||
| Sm671pxelbfss | 77.2400 | | 2180 | 0.00000000 | Silicon Motion, Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1984-sm671pxelbfss | 1 | |||||||||||||||||||||
 | GS82582QT19GE-400I | 465.0000 | | 8630 | 0.00000000 | GSI Technology Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 165-lbga | GS82582QT19 | SRAM - Quad -Port, Synchron | 1,7 V ~ 1,9 V. | 165-FPBGA (15x17) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 2364-GS82582QT19GE-400I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 10 | 400 MHz | Flüchtig | 288mbit | Sram | 16m x 18 | Parallel | - - - | |||
 | AT28C010-15JU | 57.7000 | | 4649 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 32-LCC (J-Lead) | AT28C010 | Eeprom | 4,5 V ~ 5,5 V. | 32-PLCC (13.97x11.43) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 2 (1 Jahr) | UnberÜHrt Ereichen | AT28C01015JU | Ear99 | 8542.32.0051 | 32 | Nicht Flüchtig | 1Mbit | 150 ns | Eeprom | 128k x 8 | Parallel | 10 ms | |||
| 70V05S12Pfi | - - - | | 1870 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Tablett | Lets Kaufen | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 64-LQFP | SRAM - Dual -Port, Asynchron | 3v ~ 3,6 V | 64-TQFP (14x14) | - - - | 800-70V05S12PFI | 1 | Flüchtig | 64Kbit | 12 ns | Sram | 8k x 8 | Parallel | 12ns | |||||||||
 | A0643480-C | 17.5000 | | 8322 | 0.00000000 | Prolabs | * | Einzelhandelspaket | Aktiv | - - - | ROHS -KONFORM | 4932-A0643480-C | Ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
| 7007L25G | - - - | | 1606 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | K. Loch | 68-BPGA | 7007L25 | SRAM - Dual -Port, Asynchron | 4,5 V ~ 5,5 V. | 68-PGA (29.46x29.46) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0041 | 3 | Flüchtig | 256Kbit | 25 ns | Sram | 32k x 8 | Parallel | 25ns | ||||
 | CAT28C256G-15T | - - - | | 3935 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 32-LCC (J-Lead) | CAT28C256 | Eeprom | 4,5 V ~ 5,5 V. | 32-PLCC (11.43x13.97) | Herunterladen | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0051 | 500 | Nicht Flüchtig | 256Kbit | 150 ns | Eeprom | 32k x 8 | Parallel | 5 ms | |||||
 | CY7C1245KV18-400BZC | 67.4100 | | 4487 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 165-lbga | Cy7C1245 | SRAM - Synchron, Qdr II+ | 1,7 V ~ 1,9 V. | 165-FBGA (13x15) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 680 | 400 MHz | Flüchtig | 36Mbit | Sram | 1m x 36 | Parallel | - - - | ||||
 | IS43LD32128A-25BPLI-TR | - - - | | 2586 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 168-VFBGA | IS43LD32128 | SDRAM - Mobile LPDDR2 -S4 | 1,14 V ~ 1,3 V, 1,7 V ~ 1,95 V. | 168-VFBGA (12x12) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 706-IS43LD32128A-25BPLI-TR | Veraltet | 1 | 400 MHz | Flüchtig | 4Gbit | 5.5 ns | Dram | 128 mx 32 | Hsul_12 | 15ns | |||
| S34ML04G100TFV000 | - - - | | 9186 | 0.00000000 | SkyHigh Memory Limited | - - - | Tablett | Abgebrochen bei Sic | S34ML04 | - - - | ROHS -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 2120-S34ML04G100TFV000 | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 96 | Nicht Verifiziert | ||||||||||||||||
 | MT29F128G08AEEEBBH6-12: b | - - - | | 4049 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Rohr | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 152-VBGA | MT29F128G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V. | 152-VBGA (14x18) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Veraltet | 0000.00.0000 | 1,120 | 83 MHz | Nicht Flüchtig | 128Gbit | Blitz | 16g x 8 | Parallel | - - - | ||||
 | Mem3800-256u1024d-c | 37,5000 | | 5151 | 0.00000000 | Prolabs | * | Einzelhandelspaket | Aktiv | - - - | ROHS -KONFORM | 4932-MEM3800-256U1024D-C | Ear99 | 8473.30.9100 | 1 | |||||||||||||||||||
 | IS46DR16640C-3DBLA2-TR | 5.9400 | | 1230 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 84-tfbga | IS46DR16640 | SDRAM - DDR2 | 1,7 V ~ 1,9 V. | 84-TWBGA (8x12,5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0032 | 2.500 | 333 MHz | Flüchtig | 1Gbit | 450 ps | Dram | 64m x 16 | Parallel | 15ns | |||
| DK280531 | - - - | | 5035 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Veraltet | - - - | Verkäfer undefiniert | UnberÜHrt Ereichen | Veraltet | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||
 | MM54C89J | 63.9400 | | 770 | 0.00000000 | Rochester Electronics, LLC | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Nicht Anwendbar | 3 (168 Stunden) | Verkäfer undefiniert | 3a001a2c | 8542.32.0071 | 1 | ||||||||||||||||||
 | A3944755-C | 30.0000 | | 6871 | 0.00000000 | Prolabs | * | Einzelhandelspaket | Aktiv | - - - | ROHS -KONFORM | 4932-A3944755-C | Ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
 | Cat93C46RBYI-GT3 | - - - | | 8683 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm Breit) | Cat93c46 | Eeprom | 1,8 V ~ 5,5 V. | 8-tssop | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0051 | 3.000 | 4 MHz | Nicht Flüchtig | 1kbit | Eeprom | 128 x 8, 64 x 16 | Mikrowire | - - - | ||||
 | S29GL01GP12FAI010 | 13.0000 | | 236 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | GL-P | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 64-lbga | S29GL01 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 64-FBGA (13x11) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 2832-S29GL01GP12FAI010 | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 39 | Nicht Flüchtig | 1Gbit | 120 ns | Blitz | 128 MX 8 | Parallel | 120ns | |||||
| MT53E2G64D8EG-046 WT: c | - - - | | 5062 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 557-MT53E2G64D8EG-046WT: c | 1.260 | |||||||||||||||||||
 | 71V30L25TF8 | - - - | | 7688 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 64-LQFP | 71v30 | SRAM - Dual -Port, Asynchron | 3v ~ 3,6 V | 64-TQFP (10x10) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0041 | 500 | Flüchtig | 8kbit | 25 ns | Sram | 1k x 8 | Parallel | 25ns | ||||
 | W631gu6nb15i tr | 4.8100 | | 2 | 0.00000000 | Winbond Electronics | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 96-VFBGA | W631gu6 | SDRAM - DDR3L | 1,283 V ~ 1,45 V, 1.425 V ~ 1,575 V. | 96-VFBGA (7,5x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0032 | 3.000 | 667 MHz | Flüchtig | 1Gbit | 20 ns | Dram | 64m x 16 | Parallel | 15ns | |||
 | S34ML04G200TFI900 | 1.6700 | | 714 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | ML-2 | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | S34ML04 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V. | 48-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1 | Nicht Flüchtig | 4Gbit | Blitz | 512 MX 8 | Parallel | 25ns | |||||||
 | S29PL127J80BFI010 | 16.5339 | | 2 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | PL-J | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 80-VFBGA | S29PL127 | Flash - Nor | 1,65 V ~ 1,95 V. | 80-FBGA (8x11) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | Nicht Anwendbar | Verkäfer undefiniert | 3a991b1a | 8542.32.0070 | 16 | Nicht Flüchtig | 128mbit | 80 ns | Blitz | 8m x 16 | Parallel | 80ns | Nicht Verifiziert | |||
 | Cat24aa01wi-g | 0,1700 | | 6414 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | Cat24aa01 | Eeprom | 1,7 V ~ 5,5 V. | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8542.32.0051 | 1 | 1 MHz | Nicht Flüchtig | 1kbit | 400 ns | Eeprom | 128 x 8 | I²c | 5 ms | |||
 | CY7C1011CV33-10ZXI | 4.3400 | | 7079 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 32-Soic (0,400 ", 10,16 mm Breit) | Cy7c1011 | SRAM - Asynchron | 3v ~ 3,6 V | 32-tsop II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | Verkäfer undefiniert | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 1 | Flüchtig | 2mbit | 10 ns | Sram | 128k x 16 | Parallel | 10ns | ||||
 | SST26VF040A-80E/MF | 1.5600 | | 588 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | SST26 SQI® | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-WDFN Exponte Pad | SST26VF040 | Blitz | 2,7 V ~ 3,6 V. | 8-WDFN (5x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 150-SSST26VF040A-80E/MF | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 98 | 80 MHz | Nicht Flüchtig | 4mbit | Blitz | 512k x 8 | Spi - quad i/o | 1,5 ms | |||
 | CY14B104L-BA25XC | 23.9500 | | 203 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - - - | Rohr | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-tfbga | Cy14b104 | NVSRAM (NICTFLÜCHTIGES SRAM) | 2,7 V ~ 3,6 V. | 48-FBGA (6x10) | - - - | Nicht Anwendbar | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 13 | Nicht Flüchtig | 4mbit | 25 ns | NVSRAM | 512k x 8 | Parallel | 25ns | Nicht Verifiziert | |||||
 | MT53E512M32D2NP-046 WT: E Tr | - - - | | 6816 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 200-WFBGA | MT53E512 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA (10x14,5) | - - - | Veraltet | 0000.00.0000 | 2.000 | 2.133 GHz | Flüchtig | 16gbit | Dram | 512 mx 32 | - - - | - - - | |||||||
| S99GL128S90TFI010 | 3.6700 | | 141 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - - - | Schüttgut | Veraltet | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2832-S99GL128S90TFI010 | Ear99 | 8542.39.0000 | 1 |
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