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| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | SPANNUNG - Verrorane | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Taktfrequenz | Speichertyp | Speichergrö | Zugriffszeit | Speicherformat | Speicherorganisation | Speicherschnittstelle | Zykluszeitscheiben - Würze, Site |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | S70FL01GSDSMFV010 | 15.2600 |  | 1966 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Fl-s | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 16-soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe) | S70FL01 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 16-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 2.400 | 80 MHz | Nicht Flüchtig | 1Gbit | Blitz | 128 MX 8 | Spi - quad i/o | - - - | |||
 | MT47H128M8SH-25E ES: M TR | 3.7664 | | 2814 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 60-tfbga | MT47H128M8 | SDRAM - DDR2 | 1,7 V ~ 1,9 V. | 60-FBGA (8x10) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | MT47H128M8SH-25EIT: MTR | Ear99 | 8542.32.0032 | 2.000 | 400 MHz | Flüchtig | 1Gbit | 400 ps | Dram | 128 MX 8 | Parallel | 15ns | |
| MT62F1536M64D8EK-023 AIT: B Tr | 86.2050 | | 1195 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 95 ° C. | Oberflächenhalterung | 441-tfbga | SDRAM - Mobile LPDDR5 | - - - | 441-tfbga (14x14) | - - - | 557-MT62F1536M64D8EK-023AIT: BTR | 1.500 | 4,266 GHz | Flüchtig | 96Gbit | Dram | 1,5 GX 64 | Parallel | - - - | ||||||||
 | CY7C1355C-100BGCT | - - - | | 7211 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Nobl ™ | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 119-Bga | CY7C1355 | SRAM - Synchron, SDR | 3,135 V ~ 3,6 V. | 119-PBGA (14x22) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 500 | 100 MHz | Flüchtig | 9mbit | 7,5 ns | Sram | 256k x 36 | Parallel | - - - | ||
| SM662GBE-BEST | 106.4700 | | 1299 | 0.00000000 | Silicon Motion, Inc. | Ferri-emmc® | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 100 lbga | SM662 | Flash - Nand (TLC) | - - - | 100-bga (14x18) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 1984-SM662GBE-BEST | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1 | Nicht Flüchtig | 2tbit | Blitz | 256g x 8 | EMMC | - - - | |||
| S71VS256RD0AHKC00 | - - - | | 8912 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Vs-r | Tablett | Veraltet | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 56-VFBGA | S71VS256 | Flash, Psram | 1,7 V ~ 1,95 V. | 56-VFRBGA (7,7x6,2) | - - - | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Veraltet | 1 | 108 MHz | NICKTFLÜCHIG, FLÜCHIGIG | 256Mbit (Flash), 128Mbit (RAM) | Blitz, Ram | - - - | Parallel | - - - | |||||
 | AT28BV256-20SU | 12.9300 | | 5436 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 28-Soic (0,295 ", 7,50 mm Breit) | AT28BV256 | Eeprom | 2,7 V ~ 3,6 V. | 28-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | AT28BV25620SU | Ear99 | 8542.32.0051 | 27 | Nicht Flüchtig | 256Kbit | 200 ns | Eeprom | 32k x 8 | Parallel | 10 ms | ||
 | Cat93c46ryi-g | - - - | | 9266 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm Breit) | Cat93c46 | Eeprom | 1,8 V ~ 5,5 V. | 8-tssop | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0051 | 100 | 4 MHz | Nicht Flüchtig | 1kbit | Eeprom | 128 x 8, 64 x 16 | Mikrowire | - - - | ||||
 | IDT71V3556S133BQG | - - - | | 9711 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 165-Tbga | IDT71V3556 | SRAM - Synchron, SDR (ZBT) | 3,135 V ~ 3,465V | 165-cabga (13x15) | Herunterladen | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 71V3556S133BQG | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 136 | 133 MHz | Flüchtig | 4,5mbit | 4.2 ns | Sram | 128k x 36 | Parallel | - - - | ||
 | AS4C256M16D3LC-12BCNTR | 11.3300 | | 2 | 0.00000000 | Alliance Memory, Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 96-tfbga | AS4C256 | SDRAM - DDR3L | 1,283v ~ 1,45 V. | 96-FBGA (7,5x13,5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0036 | 2.500 | 800 MHz | Flüchtig | 4Gbit | 20 ns | Dram | 256 mx 16 | Parallel | 15ns | ||
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 | 70V3399S133BCI8 | 197.0600 | | 5351 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 256-lbga | 70V3399 | SRAM - Dual -Port, Synchron | 3,15 V ~ 3,45 V. | 256-Cabga (17x17) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 4 (72 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 1.000 | 133 MHz | Flüchtig | 2mbit | 4.2 ns | Sram | 128k x 18 | Parallel | - - - | ||
| M29W128GH70ZS3E | - - - | | 5437 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 64-lbga | M29W128 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 64-FBGA (11x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 160 | Nicht Flüchtig | 128mbit | 70 ns | Blitz | 16m x 8, 8m x 16 | Parallel | 70ns | |||
| A1837303-C | 106.2500 | | 9915 | 0.00000000 | Prolabs | * | Einzelhandelspaket | Aktiv | - - - | ROHS -KONFORM | 4932-A1837303-C | Ear99 | 8473.30.5100 | 1 | ||||||||||||||||||
 | RMLV0408EGSA-4S2#AA1 | 12.4500 | | 126 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 32-TFSOP (0,465 ", 11.80 mm Breit) | RMLV0408 | Sram | 2,7 V ~ 3,6 V. | 32-tsop i | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 234 | Flüchtig | 4mbit | 45 ns | Sram | 512k x 8 | Parallel | 45ns | |||
 | W77Q32JWSFIS | 1.4697 | | 9104 | 0.00000000 | Winbond Electronics | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 16-soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe) | W77Q32 | Blitz | 1,7 V ~ 1,95 V. | 16-soic | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 176 | 104 MHz | Nicht Flüchtig | 32Mbit | Blitz | - - - | Spi - quad i/o, qpi | - - - | |||||
 | DS2432P-W0A+1T | - - - | | 9531 | 0.00000000 | Analog Devices Inc./Maxim Integrierert | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 6-smd, J-Lead | DS2432 | Eeprom | 2,8 V ~ 5,25 V | 6-tSoc | - - - | ROHS3 -KONFORM | 175-ds2432P-W0A+1TTR | Veraltet | 4.000 | Nicht Flüchtig | 1kbit | 2 µs | Eeprom | 1k x 1 | 1-Wire® | 10 ms | |||||
 | IS61WV6416EELLL-10BLI | 1.6819 | | 6894 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-tfbga | IS61WV6416 | SRAM - Asynchron | 2,4 V ~ 3,6 V. | 48-tfbga (6x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 480 | Flüchtig | 1Mbit | 10 ns | Sram | 64k x 16 | Parallel | 10ns | |||
 | 3TQ35AT-C | 28.0000 | | 4765 | 0.00000000 | Prolabs | * | Einzelhandelspaket | Aktiv | - - - | ROHS -KONFORM | 4932-3TQ35AT-C | Ear99 | 8473.30.5100 | 1 | ||||||||||||||||||
 | 71V35761S183PFGI8 | 9.1182 | | 3819 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 100-LQFP | 71v35761s | SRAM - Synchron, SDR | 3,135 V ~ 3,465V | 100-TQFP (14x14) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 1.000 | 183 MHz | Flüchtig | 4,5mbit | 3.3 ns | Sram | 128k x 36 | Parallel | - - - | ||
 | IDT7164S35YGI | - - - | | 6182 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 28-BSOJ (0,300 ", 7,62 mm Breit) | IDT7164 | SRAM - Asynchron | 4,5 V ~ 5,5 V. | 28-soj | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 7164S35YGI | Ear99 | 8542.32.0041 | 27 | Flüchtig | 64Kbit | 35 ns | Sram | 8k x 8 | Parallel | 35ns | |||
 | IS63LV1024-10KI | - - - | | 4080 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 32-BSOJ (0,400 ", 10,16 mm Breit) | IS63LV1024 | SRAM - Asynchron | 3,15 V ~ 3,45 V. | 32-soj | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 21 | Flüchtig | 1Mbit | 10 ns | Sram | 128k x 8 | Parallel | 10ns | |||
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| 71V35761S183BGG8 | - - - | | 7619 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 119-Bga | 71v35761s | SRAM - Synchron, SDR | 3,135 V ~ 3,465V | 119-PBGA (14x22) | Herunterladen | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 1.000 | 183 MHz | Flüchtig | 4,5mbit | 3.3 ns | Sram | 128k x 36 | Parallel | - - - | |||
| CG8662AA | - - - | | 2042 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Veraltet | - - - | Verkäfer undefiniert | UnberÜHrt Ereichen | Veraltet | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||
 | MX25L12833FMI-10G | 2.5900 | | 23 | 0.00000000 | MACRONIX | MXSMIO ™ | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 16-soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe) | MX25L12833 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 16-so-sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 1092-1229 | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 44 | 133 MHz | Nicht Flüchtig | 128mbit | Blitz | 16 mx 8 | Spi - quad i/o, qpi | 40 µs, 1,2 ms | ||
| CG8312AA | - - - | | 7512 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Veraltet | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Veraltet | 0000.00.0000 | 90 | |||||||||||||||||
| MT29F2G01ABBGD12-AUT: G Tr | 3.1665 | | 6983 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | 557-MT29F2G01ABBGD12-AUT: GTR | 2.500 | |||||||||||||||||||||
 | 71V124SA15PHG8 | - - - | | 9505 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 32-Soic (0,400 ", 10,16 mm Breit) | 71v124 | SRAM - Asynchron | 3v ~ 3,6 V | 32-tsop II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1.500 | Flüchtig | 1Mbit | 15 ns | Sram | 128k x 8 | Parallel | 15ns | |||
| W25Q64FVSH01 | - - - | | 2253 | 0.00000000 | Winbond Electronics | Spiflash® | Rohr | Veraltet | - - - | - - - | - - - | W25Q64 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | - - - | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Veraltet | 0000.00.0000 | 1 | 104 MHz | Nicht Flüchtig | 64Mbit | Blitz | 8m x 8 | Spi - quad i/o, qpi | 3 ms |
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