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| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | SPANNUNG - Verrorane | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Taktfrequenz | Speichertyp | Speichergrö | Zugriffszeit | Speicherformat | Speicherorganisation | Speicherschnittstelle | Zykluszeitscheiben - Würze, Site | SIC -Programmierbar |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 43R2037-C | 62,5000 |  | 3891 | 0.00000000 | Prolabs | * | Einzelhandelspaket | Aktiv | - - - | ROHS -KONFORM | 4932-43R2037-C | Ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
 | S25HS512TDPMHI010 | 11.3800 | | 233 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Hs-t | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 16-soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe) | S25HS512 | Flash - Nor | 1,7 V ~ 2 V | 16-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 240 | 133 MHz | Nicht Flüchtig | 512mbit | Blitz | 64m x 8 | Spi - quad i/o | - - - | ||||
| AS4C1G8D3LA-10BANTR | 25.2035 | | 8499 | 0.00000000 | Alliance Memory, Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 78-tfbga | SDRAM - DDR3L | 1,283v ~ 1,45 V. | 78-FBGA (9x10.5) | Herunterladen | 3 (168 Stunden) | 1450-AS4C1G8D3LA-10BANTR | 2.000 | 933 MHz | Flüchtig | 8gbit | 20 ns | Dram | 1g x 8 | Parallel | 15ns | |||||||
 | 463663-009-C | 17.5000 | | 2877 | 0.00000000 | Prolabs | * | Einzelhandelspaket | Aktiv | - - - | ROHS -KONFORM | 4932-463663-009-C | Ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
 | CAT25C08YGI-T3 | - - - | | 4021 | 0.00000000 | Catalyst Semiconductor Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Verkäfer undefiniert | UnberÜHrt Ereichen | 2156-CAT25C08YGI-T3-736 | 1 | ||||||||||||||||||||
| MT53E1G64D4HJ-046 WT: C Tr | 42.4500 | | 7183 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 556-tfbga | SDRAM - Mobile LPDDR4X | 1,06 V ~ 1,17 V. | 556-WFBGA (12,4x12,4) | Herunterladen | 557-MT53E1G64D4HJ-046WT: Ctr | 2.000 | 2.133 GHz | Flüchtig | 64Gbit | 3,5 ns | Dram | 1g x 64 | Parallel | 18ns | ||||||||
| 7142SA4J | - - - | | 7665 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Rohr | Lets Kaufen | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 52-LCC (J-Lead) | SRAM - Dual -Port, Asynchron | 4,5 V ~ 5,5 V. | 52-PLCC (19.13x19.13) | - - - | 800-7142SA4J | 1 | Flüchtig | 16Kbit | Sram | 2k x 8 | Parallel | - - - | ||||||||||
 | IS43DR16320C-25DBI-TR | - - - | | 8119 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 84-tfbga | IS43DR16320 | SDRAM - DDR2 | 1,7 V ~ 1,9 V. | 84-TWBGA (8x12,5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0028 | 2.500 | 400 MHz | Flüchtig | 512mbit | 400 ps | Dram | 32m x 16 | Parallel | 15ns | |||
| SM662PAD-BDSS | - - - | | 9715 | 0.00000000 | Silicon Motion, Inc. | Ferri-emmc® | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 105 ° C. | Oberflächenhalterung | 153-tfbga | SM662 | Flash - Nand (SLC), Flash - Nand (TLC) | - - - | 153-BGA (11,5x13) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 1984-SM662Pad-BDSS | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1 | Nicht Flüchtig | 320Gbit | Blitz | 40g x 8 | EMMC | - - - | |||||
 | S29GL032N90FFI032 | 1.2700 | | 7585 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | GL-n | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 64-lbga | S29GL032 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 64-FBGA (13x11) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 2832-S29GL032N90FFI032-TR | 197 | Nicht Flüchtig | 32Mbit | 90 ns | Blitz | 4m x 8, 2m x 16 | Parallel | 90ns | Nicht Verifiziert | ||||||
| IS34ML02G081-BLI | 5.0397 | | 4745 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 63-VFBGA | Flash - Nand (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V. | 63-VFBGA (9x11) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 706-IS34ML02G081-Bli | 220 | Nicht Flüchtig | 2Gbit | 20 ns | Blitz | 256 mx 8 | Parallel | 25ns | |||||||
 | 7005S55PF8 | - - - | | 9467 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 64-LQFP | 7005S55 | SRAM - Dual -Port, Asynchron | 4,5 V ~ 5,5 V. | 64-TQFP (14x14) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0041 | 750 | Flüchtig | 64Kbit | 55 ns | Sram | 8k x 8 | Parallel | 55ns | ||||
 | NV25640DTHFT3G | 0,8300 | | 8490 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 150 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm Breit) | Nv25640 | Eeprom | 2,5 V ~ 5,5 V | 8-tssop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0051 | 3.000 | 10 MHz | Nicht Flüchtig | 64Kbit | 40 ns | Eeprom | 8k x 8 | Spi | 4 ms | |||
| CG8150AAT | - - - | | 9666 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | - - - | UnberÜHrt Ereichen | Veraltet | 2.500 | |||||||||||||||||||||
| C-2400D4SR8RN/4G | 80.0000 | | 2915 | 0.00000000 | Prolabs | * | Einzelhandelspaket | Aktiv | - - - | ROHS -KONFORM | 4932-C-2400D4SR8RN/4G | Ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
 | M95M01-DWMN3TP/K. | 3.2100 | | 2 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | M95M01 | Eeprom | 2,5 V ~ 5,5 V | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0051 | 2.500 | 16 MHz | Nicht Flüchtig | 1Mbit | Eeprom | 128k x 8 | Spi | 4 ms | ||||
 | W631GG6NB15J Tr | - - - | | 4688 | 0.00000000 | Winbond Electronics | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 96-VFBGA | W631GG6 | SDRAM - DDR3 | 1,425 V ~ 1,575 V. | 96-VFBGA (7,5x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 256-W631GG6NB15JTR | Ear99 | 8542.32.0032 | 3.000 | 667 MHz | Flüchtig | 1Gbit | 20 ns | Dram | 64m x 16 | SSTL_15 | 15ns | ||
| MT62F512M32D2DS-031 AIT: b | 15.5550 | | 2754 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Kasten | Aktiv | -40 ° C ~ 95 ° C. | Oberflächenhalterung | 200-WFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR5 | - - - | 200-WFBGA (10x14,5) | - - - | 557-MT62F512M32D2DS-031AIT: b | 1 | 3,2 GHz | Flüchtig | 16gbit | Dram | 512 mx 32 | Parallel | - - - | |||||||||
 | NV24C16DWVLT3G | 0,3200 | | 21 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | NV24C16 | Eeprom | 1,7 V ~ 5,5 V. | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0051 | 3.000 | 1 MHz | Nicht Flüchtig | 16Kbit | 450 ns | Eeprom | 2k x 8 | I²c | 4 ms | |||
 | IS61LF51218A-7.5TQLI | 15.4275 | | 9237 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 100-LQFP | IS61LF51218 | SRAM - Synchron, SDR | 3,135 V ~ 3,6 V. | 100-LQFP (14x20) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 72 | 117 MHz | Flüchtig | 9mbit | 7,5 ns | Sram | 512k x 18 | Parallel | - - - | |||
| X28HC256fi-90 | 123.3100 | | 419 | 0.00000000 | Intersil | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 28-cflatpack | Eeprom | 4,5 V ~ 5,5 V. | 28-cflatpack | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8542.32.0051 | 1 | Nicht Flüchtig | 256Kbit | 90 ns | Eeprom | 32k x 8 | Parallel | 5 ms | |||||
| CG8302AA | - - - | | 1705 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Veraltet | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Veraltet | 0000.00.0000 | 96 | ||||||||||||||||||
 | S70FL01GSAGMFI013 | - - - | | 5775 | 0.00000000 | Spansion | Fl-s | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 16-soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe) | S70FL01 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 16-soic | Herunterladen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1 | 133 MHz | Nicht Flüchtig | 1Gbit | Blitz | 128 MX 8 | Spi - quad i/o | - - - | |||||||
 | Fm93c56lzn | - - - | | 8376 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | K. Loch | 8-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | 93C56 | Eeprom | 2,7 V ~ 5,5 V. | 8-DIP | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8542.32.0051 | 1 | 250 kHz | Nicht Flüchtig | 2kbit | Eeprom | 128 x 16 | Mikrowire | 15 ms | ||||
 | MT25QL256BBB8E12-CAUT | 8.0700 | | 2657 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 24-Tbga | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 24-T-PBGA (6x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | -791-MT25QL256BBB8E12-CAUT | 1,120 | 133 MHz | Nicht Flüchtig | 128mbit | 5 ns | Blitz | 16 mx 8 | Spi - quad i/o | 1,8 ms | |||||
| MT40A512M16TB-062E: J. | - - - | | 7804 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 96-tfbga | MT40A512M16 | SDRAM - DDR4 | 1,14 V ~ 1,26 V. | 96-FBGA (7,5x13,5) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | Ear99 | 8542.32.0036 | 1.020 | 1,6 GHz | Flüchtig | 8gbit | 19 ns | Dram | 512 mx 16 | Parallel | 15ns | ||||
 | A3544256-C | 17.5000 | | 3862 | 0.00000000 | Prolabs | * | Einzelhandelspaket | Aktiv | - - - | ROHS -KONFORM | 4932-A3544256-C | Ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
 | MX30UF2G28AD-XKI | 3.1248 | | 3185 | 0.00000000 | MACRONIX | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 63-VFBGA | MX30UF2 | Flash - Nand (SLC) | 1,7 V ~ 1,95 V. | 63-VFBGA (9x11) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 1092-MX30UF2G28AD-XKI | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 220 | Nicht Flüchtig | 2Gbit | 22 ns | Blitz | 256 mx 8 | Onfi | 25ns | |||
 | W97BH6MBVA2I | 6.3460 | | 6060 | 0.00000000 | Winbond Electronics | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 134-vfbga | W97BH6 | SDRAM - Mobile LPDDR2 -S4B | 1,14 V ~ 1,3 V, 1,7 V ~ 1,95 V. | 134-VFBGA (10x11.5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 256-W97BH6MBVA2I | Ear99 | 8542.32.0036 | 168 | 400 MHz | Flüchtig | 2Gbit | Dram | 128 MX 16 | Hsul_12 | 15ns | |||
 | MT40A512M16TB-062E: r | 6.2003 | | 8632 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 96-tfbga | MT40A512M16 | SDRAM - DDR4 | 1,14 V ~ 1,26 V. | 96-FBGA (7,5x13) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 557-MT40A512M16TB-062E: r | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.020 | 1,6 GHz | Flüchtig | 8gbit | 19 ns | Dram | 512 mx 16 | Parallel | 15ns |
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