SIC
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Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie SPANNUNG - Verrorane LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Taktfrequenz Speichertyp Speichergrö Zugriffszeit Speicherformat Speicherorganisation Speicherschnittstelle Zykluszeitscheiben - Würze, Site Controller -typ
7024L25PFI Renesas Electronics America Inc 7024L25PFI - - -
RFQ
ECAD 2509 0.00000000 Renesas Electronics America Inc. - - - Tablett Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 100-LQFP 7024L25 SRAM - Dual -Port, Asynchron 4,5 V ~ 5,5 V. 100-TQFP (14x14) Herunterladen Rohs Nick Konform 3 (168 Stunden) Ear99 8542.32.0041 90 Flüchtig 64Kbit 25 ns Sram 4k x 16 Parallel 25ns
IS42SM32800D-75BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42SM32800D-75BLI - - -
RFQ
ECAD 4084 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Tablett Abgebrochen bei Sic -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 90-tfbga IS42SM32800 Sdram - Mobil 3v ~ 3,6 V 90-TFBGA (8x13) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0024 240 133 MHz Flüchtig 256mbit 5.4 ns Dram 8m x 32 Parallel - - -
MT28EW512ABA1HJS-0AAT Micron Technology Inc. MT28EW512ABA1HJS-0AAT - - -
RFQ
ECAD 3575 0.00000000 Micron Technology Inc. Automobil, AEC-Q100 Rohr Veraltet -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Oberflächenhalterung 56-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) MT28EW512 Flash - Nor 2,7 V ~ 3,6 V. 56-tsop Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) -MT28EW512ABA1HJS-0AAT 3a991b1a 8542.32.0071 576 Nicht Flüchtig 512mbit 105 ns Blitz 64m x 8, 32m x 16 Parallel 60ns
S29GL128S10TFI010 Infineon Technologies S29GL128S10TFI010 5.5800
RFQ
ECAD 1120 0.00000000 Infineon Technologies GL-S Tablett Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 56-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) S29GL128 Flash - Nor 2,7 V ~ 3,6 V. 56-tsop Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 91 Nicht Flüchtig 128mbit 100 ns Blitz 8m x 16 Parallel 60ns
BR25H080FVT-WCE2 Rohm Semiconductor BR25H080FVT-WCE2 1.9306
RFQ
ECAD 1827 0.00000000 Rohm Semiconductor Automobil, AEC-Q100 Band & Rollen (TR) Nicht für Designs -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm Breit) BR25H080 Eeprom 2,5 V ~ 5,5 V 8-tssop-b Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen BR25H080FVTWCE2 Ear99 8542.32.0051 3.000 5 MHz Nicht Flüchtig 8kbit Eeprom 1k x 8 Spi 5 ms
MT53E512M32D1ZW-046 AIT:B Micron Technology Inc. MT53E512M32D1ZW-046 AIT: b 14.7000
RFQ
ECAD 5366 0.00000000 Micron Technology Inc. Automobil, AEC-Q100 Kasten Aktiv -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Oberflächenhalterung 200-tfbga SDRAM - Mobile LPDDR4X 1,06 V ~ 1,17 V. 200-TFBGA (10x14,5) - - - 557-MT53E512M32D1ZW-046AIT: b 1 2.133 GHz Flüchtig 16gbit 3,5 ns Dram 512 mx 32 Parallel 18ns
S25FL064LABMFN013 Infineon Technologies S25FL064LABMFN013 2.7475
RFQ
ECAD 1262 0.00000000 Infineon Technologies Fl-l Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,209 ", 5,30 mm Breit) S25FL064 Flash - Nor 2,7 V ~ 3,6 V. 8-soic Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 2.100 108 MHz Nicht Flüchtig 64Mbit Blitz 8m x 8 Spi - quad i/o, qpi - - -
W25Q32JVZEJM Winbond Electronics W25Q32JVzejm - - -
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ECAD 1704 0.00000000 Winbond Electronics Spiflash® Rohr Aktiv -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-WDFN Exponte Pad W25Q32 Flash - Nor 2,7 V ~ 3,6 V. 8-Wson (8x6) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 1 133 MHz Nicht Flüchtig 32Mbit Blitz 4m x 8 Spi - quad i/o 3 ms
A3138306-C ProLabs A3138306-C 51.2500
RFQ
ECAD 7203 0.00000000 Prolabs * Einzelhandelspaket Aktiv - - - ROHS -KONFORM 4932-A3138306-C Ear99 8473.30.5100 1
IS65C256AL-25TLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS65C256AL-25TLA3-TR 2.7498
RFQ
ECAD 3177 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Oberflächenhalterung 28-tssop (0,465 ", 11.80 mm Breit) IS65C256 SRAM - Asynchron 4,5 V ~ 5,5 V. 28-tsop i Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0041 2.000 Flüchtig 256Kbit 25 ns Sram 32k x 8 Parallel 25ns
S25FL129P0XBHIZ03 Infineon Technologies S25FL129P0XBHIZ03 - - -
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ECAD 7726 0.00000000 Infineon Technologies FL-P Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 24-Tbga S25FL129 Flash - Nor 2,7 V ~ 3,6 V. 24-bga (8x6) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 2.500 104 MHz Nicht Flüchtig 128mbit Blitz 16 mx 8 Spi - quad i/o 5µs, 3 ms
S29AS008J70BHI040 Infineon Technologies S29AS008J70BHI040 - - -
RFQ
ECAD 4540 0.00000000 Infineon Technologies AS-J Tablett Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 48-VFBGA S29AS008 Flash - Nor 1,65 V ~ 1,95 V. 48-FBGA (8.15x6.15) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0071 338 Nicht Flüchtig 8mbit 70 ns Blitz 1m x 8, 512k x 16 Parallel 70ns
70V3599S133BFI Renesas Electronics America Inc 70V3599S133BFI 256.1614
RFQ
ECAD 1100 0.00000000 Renesas Electronics America Inc. - - - Tablett Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 208-LFBGA 70v3599 SRAM - Dual -Port, Synchron 3,15 V ~ 3,45 V. 208-Cabga (15x15) Herunterladen Rohs Nick Konform 4 (72 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b2a 8542.32.0041 7 133 MHz Flüchtig 4,5mbit 4.2 ns Sram 128k x 36 Parallel - - -
MT29VZZZAD8DQKSM-053 W ES.9D8 TR Micron Technology Inc. MT29VZZZZZAD8DQKSM-053 W E.9D8 TR - - -
RFQ
ECAD 5490 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet MT29Vzzzad8 - - - 1 (unbegrenzt) Veraltet 0000.00.0000 1.000
AS4C64M8D2-25BCN Alliance Memory, Inc. AS4C64M8D2-25BCN 4.2446
RFQ
ECAD 3365 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - - - Tablett Aktiv 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 60-tfbga AS4C64 SDRAM - DDR2 1,7 V ~ 1,9 V. 60-FBGA (8x10) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 1450-1128 Ear99 8542.32.0028 264 400 MHz Flüchtig 512mbit 400 ps Dram 64m x 8 Parallel 15ns
IS43DR86400D-3DBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR86400D-3DBLI-TR 5.8650
RFQ
ECAD 2503 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Band & Rollen (TR) Nicht für Designs -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 60-tfbga IS43DR86400 SDRAM - DDR2 1,7 V ~ 1,9 V. 60-TWBGA (8x10.5) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0028 2.000 333 MHz Flüchtig 512mbit 450 ps Dram 64m x 8 Parallel 15ns
A6761613-C ProLabs A6761613-C 48,5000
RFQ
ECAD 2397 0.00000000 Prolabs * Einzelhandelspaket Aktiv - - - ROHS -KONFORM 4932-A6761613-C Ear99 8473.30.5100 1
MT29F512G08ELCDBG7-37ES:D TR Micron Technology Inc. MT29F512G08LCDBG7-37ES: D Tr - - -
RFQ
ECAD 8873 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv 0 ° C ~ 70 ° C (TA) - - - - - - MT29F512G08 Flash - Nand (TLC) 2,7 V ~ 3,6 V. - - - - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 1.000 267 MHz Nicht Flüchtig 512Gbit Blitz 64g x 8 Parallel - - -
AS6C62256-55STINTR Alliance Memory, Inc. AS6C62256-55stintr 2.5643
RFQ
ECAD 1601 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 28-tssop (0,465 ", 11.80 mm Breit) AS6C62256 SRAM - Asynchron 2,7 V ~ 5,5 V. 28-stSop Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0041 1.500 Flüchtig 256Kbit 55 ns Sram 32k x 8 Parallel 55ns
N82C08-20 Intel N82C08-20 29.9900
RFQ
ECAD 990 0.00000000 Intel - - - Schüttgut Aktiv 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 68-LCC (J-Lead) 4,5 V ~ 5,5 V. 68-PLCC Herunterladen Rohs Nick Konform 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.39.0001 1 Dynamischer Ram (Dram)
93LC86BT-I/SN Microchip Technology 93LC86BT-I/SN 0,5600
RFQ
ECAD 1253 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) 93LC86 Eeprom 2,5 V ~ 5,5 V 8-soic Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0051 3.300 3 MHz Nicht Flüchtig 16Kbit Eeprom 1k x 16 Mikrowire 5 ms
W25R128JVPIQ TR Winbond Electronics W25R128JVPIQ TR 2.2050
RFQ
ECAD 4876 0.00000000 Winbond Electronics Spiflash® Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-WDFN Exponte Pad W25R128 Flash - Nor 2,7 V ~ 3,6 V. 8-Wson (6x5) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 256-W25R128jvpiqtr 3a991b1a 8542.32.0071 5.000 104 MHz Nicht Flüchtig 128mbit Blitz 16 mx 8 Spi - quad i/o 3 ms
S29AL008J70BAI020 Infineon Technologies S29Al008J70BAI020 1.5743
RFQ
ECAD 5415 0.00000000 Infineon Technologies Al-J Tablett Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 48-VFBGA S29Al008 Flash - Nor 2,7 V ~ 3,6 V. 48-FBGA (8.15x6.15) Herunterladen Rohs Nick Konform 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0071 3.380 Nicht Flüchtig 8mbit 70 ns Blitz 1m x 8, 512k x 16 Parallel 70ns
IS61QDB42M18C-250M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61QDB42M18C-250M3L - - -
RFQ
ECAD 7927 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Tablett Aktiv 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 165-lbga IS61QDB42 SRAM - Synchron, Quad 1,71 V ~ 1,89 V. 165-LFBGA (15x17) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b2a 8542.32.0041 105 250 MHz Flüchtig 36Mbit 8.4 ns Sram 2m x 18 Parallel - - -
IDT71V35761SA166BQ8 Renesas Electronics America Inc IDT71V35761SA166BQ8 - - -
RFQ
ECAD 4248 0.00000000 Renesas Electronics America Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 165-Tbga IDT71V35761 SRAM - Synchron, SDR 3,135 V ~ 3,465V 165-cabga (13x15) Herunterladen Rohs Nick Konform 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 71V35761SA166BQ8 3a991b2a 8542.32.0041 2.000 166 MHz Flüchtig 4,5mbit 3,5 ns Sram 128k x 36 Parallel - - -
71321LA35TF Renesas Electronics America Inc 71321la35tf - - -
RFQ
ECAD 2625 0.00000000 Renesas Electronics America Inc. - - - Tablett Veraltet 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 64-LQFP 71321la SRAM - Dual -Port, Asynchron 4,5 V ~ 5,5 V. 64-TQFP (10x10) Herunterladen Rohs Nick Konform 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0041 40 Flüchtig 16Kbit 35 ns Sram 2k x 8 Parallel 35ns
MT53E2G64D8TN-046 AAT:A Micron Technology Inc. MT53E2G64D8TN-046 AAT: a 122.8500
RFQ
ECAD 7137 0.00000000 Micron Technology Inc. Automobil, AEC-Q100 Kasten Aktiv -40 ° C ~ 105 ° C (TC) Oberflächenhalterung 556-LFBGA SDRAM - Mobile LPDDR4X 1,06 V ~ 1,17 V. 556-LFBGA (12,4x12,4) - - - 557-MT53E2G64D8TN-046AAT: a 1 2.133 GHz Flüchtig 128Gbit 3,5 ns Dram 2g x 64 Parallel 18ns
S25FL129P0XBHIZ13 Infineon Technologies S25FL129P0XBHIZ13 - - -
RFQ
ECAD 8835 0.00000000 Infineon Technologies FL-P Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 24-Tbga S25FL129 Flash - Nor 2,7 V ~ 3,6 V. 24-bga (8x6) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 2.500 104 MHz Nicht Flüchtig 128mbit Blitz 16 mx 8 Spi - quad i/o 5µs, 3 ms
IS43DR16128C-3DBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16128C-3DBL-TR 6.7500
RFQ
ECAD 1217 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv 0 ° C ~ 85 ° C (TC) Oberflächenhalterung 84-tfbga IS43DR16128 SDRAM - DDR2 1,7 V ~ 1,9 V. 84-TWBGA (8x12,5) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0036 2.500 333 MHz Flüchtig 2Gbit 450 ps Dram 128 MX 16 Parallel 15ns
25LC160CT-H/SN16KVAO Microchip Technology 25LC160CT-H/SN16KVAO - - -
RFQ
ECAD 2975 0.00000000 Mikrochip -technologie Automobil, AEC-Q100 Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 150 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) 25lc160 Eeprom 2,5 V ~ 5,5 V 8-soic Herunterladen 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a001a2a 8542.32.0051 3.300 5 MHz Nicht Flüchtig 16Kbit Eeprom 2k x 8 Spi 5 ms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus