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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Gewinnen | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) | RAUSCHFIGUR (DB Typ @ f) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BCP5316ta | 0,4000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | BCP5316 | 2 w | SOT-223-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 80 v | 1 a | 100NA (ICBO) | PNP | 500 mv @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 150 mA, 2V | 150 MHz | |||||||
![]() | PBSS5260QA147 | 0,0700 | ![]() | 280 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0075 | 4,480 | |||||||||||||||||||
![]() | 2SD1423a | - - - | ![]() | 5765 | 0.00000000 | Panasonische Elektronische Komponenten | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | 3-sip | 2SD1423 | 300 MW | NS-B1 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0075 | 5.000 | 50 v | 500 mA | 1 µA | Npn | 600mv @ 30 mA, 300 mA | 85 @ 150 mA, 10V | 200 MHz | |||||||
TIP41a | - - - | ![]() | 2630 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | - - - | Rohr | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | TIP41 | 2 w | To-220 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 60 v | 6 a | 700 ähm | Npn | 1,5 V @ 600 Ma, 6a | 15 @ 3a, 4V | - - - | |||||||
![]() | BCW60C235 | 0,0200 | ![]() | 6766 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | ||||||||||||||||||||||
FZT493ATA | 0,6000 | ![]() | 30 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | FZT493 | 2 w | SOT-223-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 60 v | 1 a | 100na | Npn | 500mv @ 100 mA, 1a | 300 @ 250 mA, 10V | 150 MHz | |||||||
![]() | CE2A3Q-T-AZ | 0,5400 | ![]() | 815 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | * | Schüttgut | Veraltet | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | PDTA114YMB, 315 | 0,0300 | ![]() | 152 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-101, SOT-883 | PDTA114 | 250 MW | DFN1006B-3 | Herunterladen | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 50 v | 100 ma | 1 µA | PNP - VoreInensmen | 100 mv @ 250 ua, 5 mA | 100 @ 5ma, 5v | 180 MHz | 10 Kohms | 47 Kohms | ||||||||
![]() | JANSD2N2369AUA/Tr | 166.8512 | ![]() | 2498 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/317 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | 2n2369a | 360 MW | Ua | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-JansD2N2369AUA/Tr | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 15 v | 400na | Npn | 450 mV @ 10 mA, 100 mA | 20 @ 100 mA, 1V | - - - | |||||||
DCP53-13 | - - - | ![]() | 2314 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | DCP53 | 1 w | SOT-223-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.500 | 80 v | 1 a | 100NA (ICBO) | PNP | 500 mv @ 50 mA, 500 mA | 40 @ 150 mA, 2V | 200 MHz | |||||||
![]() | MMBT3904W_R1_00001 | 0,1600 | ![]() | 33 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | MMBT3904 | 150 MW | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 3757-MMBT3904W_R1_00001DKR | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 40 v | 200 ma | 50na | Npn | 300mv @ 5ma, 50 mA | 100 @ 10 Ma, 1V | - - - | |||||
![]() | PN5179_D26Z | - - - | ![]() | 8180 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | PN517 | 350 MW | To-92-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.000 | 15 dB | 12V | 50 ma | Npn | 25 @ 3ma, 1V | 2GHz | 5db @ 200MHz | |||||||
![]() | Jan2N3499UB | 20.4687 | ![]() | 4707 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/366 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-smd, Keine Frotung | 1 w | UB | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jan2N3499UB | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 100 v | 500 mA | 10 µA (ICBO) | Npn | 600mv @ 30 mA, 300 mA | 100 @ 150 mA, 10V | - - - | ||||||||
![]() | SS9014ABU-FS | 0,0200 | ![]() | 20 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) | 450 MW | To-92-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | 45 V | 100 ma | 50na (ICBO) | Npn | 300 mV @ 5ma, 100 mA | 60 @ 1ma, 5V | 270 MHz | |||||||
![]() | DDTC124TE-7-F | 0,0605 | ![]() | 4709 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOT-523 | DDTC124 | 150 MW | SOT-523 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA (ICBO) | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 500 µA, 5 mA | 100 @ 1ma, 5V | 250 MHz | 22 Kohms | ||||||
![]() | SMMUN2216LT3G | 0,0429 | ![]() | 3746 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Smmun2216 | 246 MW | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 250 mV @ 1ma, 10 mA | 160 @ 5ma, 10V | 4.7 Kohms | |||||||
![]() | BC817-40W | 0,0350 | ![]() | 4430 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | BC817 | 200 MW | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-BC817-40WTR | Ear99 | 8541.21.0075 | 6.000 | 45 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | Npn | 700 mv @ 50 mA, 500 mA | 250 @ 100 mA, 1V | 100 MHz | ||||||
![]() | MNS2N3810U/Tr | 44.2890 | ![]() | 1215 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/336 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | Bis 78-6 Metalldose | 2N3810 | 350 MW | To-78-6 | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150 mns2n3810u/tr | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 60 v | 50 ma | 10 µA (ICBO) | 2 PNP (Dual) | 250 mV @ 100 µA, 1 mA | 150 @ 1ma, 5V | - - - | |||||||
![]() | MPSA56-BP | - - - | ![]() | 2074 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) | MPSA56 | 625 MW | To-92 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 353-MPSA56-BP | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 80 v | 500 mA | 100na | PNP | 250mv @ 10 mA, 100 mA | 100 @ 100 mA, 1V | 50 MHz | |||||||
![]() | NTE87MP | 18.7300 | ![]() | 4 | 0.00000000 | NTE Electronics, Inc. | - - - | Tasche | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-204aa, to-3 | 200 w | To-3 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 2368-NTE87MP | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 250 V | 10 a | 1ma | Npn | 2,5 V @ 400 Ma, 4a | 20 @ 2a, 2v | 4MHz | ||||||||
BSS63,215 | 0,2700 | ![]() | 26 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BSS63 | 250 MW | To-236ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 100 v | 100 ma | 100NA (ICBO) | PNP | 250 mV @ 2,5 mA, 25 mA | 30 @ 25ma, 1V | 85 MHz | |||||||
![]() | UPA1428AH-AZ | 2.3500 | ![]() | 4924 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | |||||||||||||||||||
![]() | 2SC3303-O-TP | - - - | ![]() | 8219 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa | 2SC3303 | 1 w | To-251 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | 80 v | 5 a | 1 µA (ICBO) | Npn | 400 MV @ 150 mA, 3a | 70 @ 1a, 1V | 20MHz | |||||||
![]() | 2SC4735f-ay | 0,2400 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | 2SA608E-Spa | 1.0000 | ![]() | 1043 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | RN4986, LXHF (CT | 0,4400 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | RN4986 | 200 MW | US6 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50V | 100 ma | 500NA | 1 NPN, 1 PNP - Voreingenben (Dual) | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 80 @ 10ma, 5V | 250 MHz, 200 MHz | 4.7kohm | 47kohm | |||||||
![]() | Jantxv2N4033UA/Tr | 110.3235 | ![]() | 4635 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/512 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | 500 MW | Ua | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantxv2N4033UA/Tr | 100 | 80 v | 1 a | 25na | PNP | 1v @ 100 mA, 1a | 100 @ 100 Ma, 5V | - - - | ||||||||||
![]() | BF723-QX | 0,1660 | ![]() | 3958 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | BF723 | 1,2 w | SOT-223 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1727-BF723-QXTR | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 250 V | 100 ma | 10NA (ICBO) | PNP | 600mv @ 5ma, 30 mA | 50 @ 25ma, 20V | 60 MHz | ||||||
![]() | 2SC5537A-TL-H | 0,0500 | ![]() | 16 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0075 | 8.000 | |||||||||||||||||||
![]() | BC858C_R1_00001 | 0,1900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | BC856 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BC858 | 330 MW | SOT-23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 3757-BC858C_R1_00001DKR | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 30 v | 100 ma | 15NA (ICBO) | PNP | 650 mv @ 5ma, 100 mA | 420 @ 2MA, 5V | 200 MHz |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
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