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| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Gewinnen | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) | RAUSCHFIGUR (DB Typ @ f) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| FZT789AQTA | 0,3917 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | FZT789A | 1,2 w | SOT-223-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 31-FZT789AQTATR | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 35 V | 3 a | 100na | PNP | 500mv @ 100 mA, 3a | 300 @ 10ma, 2v | 100 MHz | ||||||
![]() | 2SC5824T100R | 0,6600 | ![]() | 4800 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | 2SC5824 | 2 w | Mpt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 60 v | 3 a | 1 µA (ICBO) | Npn | 500mv @ 200 Ma, 2a | 180 @ 100 Ma, 2V | 200 MHz | ||||||
![]() | Jan2N3501U4 | - - - | ![]() | 2158 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/366 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-smd, Keine Frotung | 1 w | U4 | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 150 v | 300 ma | 50na (ICBO) | Npn | 400mv @ 15ma, 150 mA | 100 @ 150 mA, 10V | - - - | ||||||||
![]() | 2SA1462-T1B-A | 0,2200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | |||||||||||||||||||
![]() | 2SC3917 | 0,0900 | ![]() | 21 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | Dtc114ecahe3-tp | 0,2700 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Micro Commercial co | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DTC114 | 200 MW | SOT-23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0095 | 6.000 | 50 v | 100 ma | 100na | NPN - VoreInenememen + Diode | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 30 @ 5ma, 5v | 250 MHz | 10 Kohms | 10 Kohms | ||||||
![]() | 2SC5200 | - - - | ![]() | 7767 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | - - - | Rohr | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-264-3, to-264aa | 2SC5 | 150 w | To-264 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 25 | 230 V | 15 a | 5 µA (ICBO) | Npn | 3v @ 800 mA, 8a | 55 @ 1a, 5v | 30 MHz | ||||||
![]() | BC337-25RL1G | - - - | ![]() | 7440 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, Bis 92-3 Langer Körper (Gebildete Leitungen) | BC337 | 625 MW | To-92 (to-226) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.000 | 45 V | 800 mA | 100na | Npn | 700 mv @ 50 mA, 500 mA | 160 @ 100 mA, 1V | 210 MHz | |||||||
![]() | BC856BS_R1_00001 | 0,3200 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | BC856 | 150 MW | SOT-363 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 3757-BC856BS_R1_00001DKR | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 65 V | 100 ma | 15NA (ICBO) | 2 PNP (Dual) | 650 mv @ 5ma, 100 mA | 220 @ 2MA, 5V | 100 MHz | |||||
![]() | MJD2873Q-13 | 0,4500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | MJD2873 | 1,45 w | To-252, (d-pak) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.500 | 50 v | 2 a | 100na | Npn | 300 mV @ 50 Ma, 1a | 120 @ 500 mA, 2V | 65 MHz | |||||||
![]() | BC638,112 | - - - | ![]() | 9384 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | BC63 | 830 MW | To-92-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 1.000 | 60 v | 1 a | 100NA (ICBO) | PNP | 500 mv @ 50 mA, 500 mA | 63 @ 150 mA, 2V | 100 MHz | ||||||
![]() | 2SA1882T-TD-E | 0,1000 | ![]() | 13 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | |||||||||||||||||||
![]() | SMMBT3906LT3 | 0,0200 | ![]() | 63 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 300 MW | SOT-23-3 (to-236) | - - - | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | 40 v | 200 ma | - - - | PNP | 400mv @ 5ma, 50 mA | 100 @ 10 Ma, 1V | 250 MHz | |||||||
![]() | KSC3569Ytu | 1.0000 | ![]() | 6299 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Rohr | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | 15 w | To-220f-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 400 V | 2 a | 10 µA (ICBO) | Npn | 1v @ 100 mA, 500 mA | 40 @ 100 Ma, 5V | - - - | |||||||||
![]() | 2SC2383P-O | 0,0820 | ![]() | 100 | 0.00000000 | Yangjie -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | 500 MW | SOT-89 | - - - | ROHS -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 4617-2SC2383P-OTR | Ear99 | 1.000 | 160 v | 1 a | 1 µA (ICBO) | Npn | 1v @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 200 Ma, 5V | 20MHz | ||||||||
![]() | FJV4104RMTF | 0,0200 | ![]() | 9030 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | FJV410 | 200 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | Nicht Anwendbar | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 100NA (ICBO) | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 68 @ 5ma, 5v | 200 MHz | 47 Kohms | 47 Kohms | |||||||
![]() | BC547C, 116 | - - - | ![]() | 4767 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | BC54 | 500 MW | To-92-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.000 | 45 V | 100 ma | 15NA (ICBO) | Npn | 400mv @ 5 mA, 100 mA | 420 @ 2MA, 5V | 100 MHz | ||||||
![]() | FJC1386ptf | 0,1100 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | 500 MW | SOT-89-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Ear99 | 8541.21.0095 | 4.000 | 20 v | 5 a | 500NA (ICBO) | PNP | 1v @ 100 mA, 4a | 80 @ 500 mA, 2V | - - - | |||||||||
![]() | FJX3012RTF | - - - | ![]() | 3991 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | FJX301 | 200 MW | SOT-323 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 40 v | 100 ma | 100NA (ICBO) | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 1ma, 10 mA | 100 @ 1ma, 5V | 250 MHz | 47 Kohms | |||||||
| Jan2N3500 | 12.5818 | ![]() | 5481 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/366 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-205ad, bis 39-3 Metall Kann | 2N3500 | 1 w | To-39 (bis 205ad) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 150 v | 300 ma | 10 µA (ICBO) | Npn | 400mv @ 15ma, 150 mA | 40 @ 150 mA, 10V | - - - | |||||||
![]() | UNR51ATG0L | - - - | ![]() | 3162 | 0.00000000 | Panasonische Elektronische Komponenten | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SC-85 | UNR51 | 150 MW | Smini3-F2 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 v | 80 Ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 250 mV @ 300 µA, 10 mA | 80 @ 5ma, 10V | 80 MHz | 22 Kohms | 47 Kohms | |||||||
![]() | Jan2n5038 | - - - | ![]() | 5419 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/439 | Schüttgut | Abgebrochen bei Sic | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-204aa, to-3 | 140 w | To-3 (to-204aa) | - - - | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 90 v | 20 a | 1 µA | Npn | 1v @ 1,2a, 12a | 50 @ 2a, 5v | - - - | |||||||
![]() | BCX70JE6433HTMA1 | 0,0492 | ![]() | 5550 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Lets Kaufen | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BCX70 | 330 MW | Pg-SOT23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | 45 V | 100 ma | 20na (ICBO) | Npn | 550 MV @ 1,25 mA, 50 mA | 250 @ 2MA, 5V | 250 MHz | ||||||
![]() | JANSL2N3810L | 198.9608 | ![]() | 7220 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/336 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | Bis 78-6 Metalldose | 2N3810 | 350 MW | To-78-6 | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jansl2N3810L | 1 | 60 v | 50 ma | 10 µA (ICBO) | 2 PNP (Dual) | 250 mV @ 100 µA, 1 mA | 150 @ 1ma, 5V | - - - | |||||||||
![]() | BFS 469L6 E6327 | - - - | ![]() | 7074 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-xfdfn | 200 MW, 250 MW | TSLP-6-1 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 15.000 | 14.5db | 5v, 10V | 50 mA, 70 mA | 2 NPN (Dual) | 130 @ 20 mA, 3V / 100 @ 5MA, 3V | 22GHz, 9GHz | 1,1 db ~ 1,4 dB @ 1,8GHz ~ 3GHz | |||||||
![]() | MMBTRA102SS | 0,0298 | ![]() | 42 | 0.00000000 | DITEC -halbleiter | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Mmbtra102 | 200 MW | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2796 mmbtra102sstr | 8541.21.0000 | 3.000 | 100 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | - - - | 50 @ 10ma, 5v | 200 MHz | 10 Kohms | 10 Kohms | |||||||
![]() | MPS2907A-BP | - - - | ![]() | 2040 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) | MPS2907 | 625 MW | To-92 | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 353-MPS2907A-BP | Ear99 | 8541.21.0075 | 1.000 | 60 v | 600 mA | 50na | PNP | 600mv @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 150 mA, 10V | 200 MHz | ||||||
![]() | 2SA1977-T1B-A | - - - | ![]() | 2721 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 200 MW | SOT23-3 (to-236) | Herunterladen | Nicht Anwendbar | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 12 dB | 12V | 50 ma | PNP | 20 @ 20 ma, 8v | 8,5 GHz | 1,5 dB @ 1 GHz | |||||||||
![]() | RN4991FE, LXHF (CT | 0,3800 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | RN4991 | 100 MW | Es6 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0095 | 4.000 | 50V | 100 ma | 100NA (ICBO) | 1 NPN, 1 PNP - Voreingenben (Dual) | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 120 @ 1ma, 5V | 250 MHz, 200 MHz | 10kohm | - - - | |||||||
![]() | Stld128dnt4 | 0,9400 | ![]() | 37 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Stld128 | 20 w | Dpak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 497-8786-2 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 400 V | 4 a | 250 µA | Npn | 1v @ 400 mA, 2a | 8 @ 2a, 5V | - - - |

Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

Standardprodukteinheit

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