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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 2SC2909T-AA | - - - | ![]() | 7458 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | |||||||||||||||||
![]() | TIP42 PBFREE | 0,6296 | ![]() | 6154 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - - - | Schüttgut | Lets Kaufen | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | TIP42 | 65 w | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 40 v | 6 a | 400 ähm | PNP | 1,5 V @ 600 Ma, 6a | 30 @ 300 mA, 4V | 3MHz | |||||
EMG2DXV5T5 | - - - | ![]() | 9405 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SOT-553 | EMG2DX | 230 MW | SOT-553 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 8.000 | 50V | 100 ma | 500NA | 2 NPN - Voresingenben (Dual) | 250 mV @ 300 µA, 10 mA | 80 @ 5ma, 10V | - - - | 47kohm | 47kohm | ||||
DZT851-13 | - - - | ![]() | 6294 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | DZT851 | 1 w | SOT-223-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.500 | 60 v | 6 a | 50na (ICBO) | Npn | 375mv @ 300 mA, 6a | 100 @ 2a, 1V | 130 MHz | |||||
![]() | ABC858AW-HF | 0,0800 | ![]() | 6296 | 0.00000000 | Comchip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | ABC858 | 200 MW | SOT-323 | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 641-ABC858AW-HFTR | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 30 v | 100 ma | 15NA (ICBO) | PNP | 650 mv @ 5ma, 100 mA | 125 @ 2MA, 5V | 250 MHz | ||||
![]() | NSM21156DW6T1G | - - - | ![]() | 7578 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | NSM211 | 230 MW | SC-88/SC70-6/SOT-363 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 V, 65 V | 100 ma | 500NA | 1 NPN Voreingensmen, 1 PNP | 250 mV @ 300 µA, 10 mA / 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 35 @ 5ma, 10 v / 220 @ 2MA, 5 V. | - - - | 10kohm | 10kohm | ||||
![]() | NSBC114TF3T5G | 0,1061 | ![]() | 1123 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOT-1123 | NSBC114 | 254 MW | SOT-1123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 8.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 250 mV @ 1ma, 10 mA | 160 @ 5ma, 10V | 10 Kohms | |||||
![]() | BC875,126 | - - - | ![]() | 1437 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | BC87 | 830 MW | To-92-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.000 | 45 V | 1 a | 50na | NPN - Darlington | 1,8 V @ 1ma, 1a | 2000 @ 500 mA, 10V | 200 MHz | ||||
MMST4401 | 0,0200 | ![]() | 300 | 0.00000000 | Yangjie -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | 200 MW | SOT-323 | - - - | ROHS -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 4617-mmst4401tr | Ear99 | 3.000 | 40 v | 600 mA | 100na | Npn | 400mv @ 15ma, 150 mA | 100 @ 150 mA, 1V | 250 MHz | |||||||
![]() | 2SD1819GQL | - - - | ![]() | 6099 | 0.00000000 | Panasonische Elektronische Komponenten | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-85 | 2SD1819 | 150 MW | Smini3-F2 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 100 µA | Npn | 300mv @ 10 mA, 100 mA | 160 @ 2MA, 10V | 150 MHz | ||||||
![]() | Jantxv2N3772 | 728.0000 | ![]() | 7864 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/518 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-204aa, to-3 | 6 w | To-3 | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 60 v | 5 Ma | 5ma | Npn | 4v @ 4a, 20a | 15 @ 10a, 4V | - - - | ||||||
![]() | BC856BW/ZLX | - - - | ![]() | 8429 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | BC856 | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | |||||||||||||
JANKCBP2N3440 | - - - | ![]() | 3355 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/368 | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 200 ° C. | K. Loch | To-205ad, bis 39-3 Metall Kann | 800 MW | To-39 (bis 205ad) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jankcbp2N3440 | 100 | 250 V | 1 a | 2 µA | Npn | 500mv @ 4ma, 50 mA | 40 @ 20 mA, 10V | - - - | |||||||||
![]() | PBSS5612PA, 115 | 0,1100 | ![]() | 99 | 0.00000000 | NXP -halbleiter | - - - | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-Powerudfn | 2.1 w | 3-Huson (2x2) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 2156-PBSS5612PA, 115-954 | 1 | 12 v | 6 a | 100na | PNP | 300mv @ 300 mA, 6a | 190 @ 2a, 2v | 60 MHz | |||||||
ADTA124ecaq-13 | 0,0526 | ![]() | 5583 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | ADTA124 | 310 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 31-atta124ecaq-13tr | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 56 @ 5ma, 5V | 250 MHz | 22 Kohms | 22 Kohms | |||||
![]() | CPH6501-TL-E | - - - | ![]() | 8573 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | CPH650 | 1.2W | 6-cph | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 3.000 | 30V | 1,5a | 100NA (ICBO) | 2 NPN (Dual) | 225mv @ 15ma, 750 mA | 200 @ 100 Ma, 2V | 500 MHz | |||||
![]() | TIP102TSTU | - - - | ![]() | 3722 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | TIP102 | 2 w | To-220-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | 100 v | 8 a | 50 µA | NPN - Darlington | 2,5 V @ 80 Ma, 8a | 1000 @ 3a, 4V | - - - | |||||
![]() | NTE2684 | 0,9500 | ![]() | 503 | 0.00000000 | NTE Electronics, Inc. | - - - | Tasche | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-225aa, to-126-3 | 15 w | To-126 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 2368-NTE2684 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 120 v | 5 a | 100NA (ICBO) | Npn | 1,2 V @ 700 Ma, 7a | 45 @ 500 mA, 10V | 100 MHz | ||||||
![]() | Fjn4311rbu | - - - | ![]() | 3709 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) | Fjn431 | 300 MW | To-92-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 1.000 | 40 v | 100 ma | 100NA (ICBO) | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 1ma, 10 mA | 100 @ 1ma, 5V | 200 MHz | 22 Kohms | |||||
![]() | 2SC2001-K-AP | - - - | ![]() | 6094 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | 2SC2001 | 600 MW | To-92 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0095 | 1.000 | 25 v | 700 Ma | 100na | Npn | 600mv @ 70 mA, 700 mA | 200 @ 100ma, 1V | 50 MHz | |||||
![]() | JANSR2N2906AUA/Tr | 153.2300 | ![]() | 5834 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/291 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | 2N2906 | 500 MW | Ua | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jansr2N2906AUA/Tr | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 60 v | 600 mA | 50na | PNP | 1,6 V @ 50 Ma, 500 mA | 40 @ 150 mA, 10V | - - - | ||||
![]() | Cen1320 bk | - - - | ![]() | 6172 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - - - | Kasten | Veraltet | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | 1 (unbegrenzt) | Cen1320bk | Veraltet | 0000.00.0000 | 1 | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | |||||||||
![]() | 2SCR583D3FRATL | 2.5500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | 10 w | To-252 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.500 | 50 v | 7 a | 1 µA (ICBO) | Npn | 350 MV @ 150 Ma, 3a | 180 @ 1a, 3v | 280 MHz | |||||
![]() | RN2402, LF | 0,2200 | ![]() | 6149 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | RN2402 | 200 MW | S-mini | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 50 @ 10ma, 5v | 200 MHz | 10 Kohms | 10 Kohms | ||||
![]() | BCM846BSHX | - - - | ![]() | 4501 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | BCM846 | 200 MW | 6-tssop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 1727-BCM846BSHX | Veraltet | 1 | 65 V | 100 ma | 15NA (ICBO) | 2 NPN (Dual) | 400mv @ 5 mA, 100 mA | 200 @ 2MA, 5V | 250 MHz | |||||
![]() | Pumh10-Qax | 0,0473 | ![]() | 3650 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | Pumh10 | 200 MW | 6-tssop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1727-Pumh10-Qaxtr | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50V | 100 ma | 100na | 2 NPN - Voresingenben (Dual) | 100 mv @ 250 ua, 5 mA | 100 @ 10ma, 5V | 230 MHz | 2.2ko | 47kohm | |||
![]() | BCX51-16-TP | 0,1527 | ![]() | 1410 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | BCX51 | 500 MW | SOT-89 | Herunterladen | 353-BCX51-16-TP | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 45 V | 1 a | 100NA (ICBO) | PNP | 500 mv @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 150 mA, 2V | 50 MHz | ||||||
![]() | BC850C/AU235 | 0,0200 | ![]() | 20 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0075 | 15.000 | |||||||||||||||||
![]() | 2N5401 | 0,1200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | NTE Electronics, Inc. | - - - | Tasche | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 Langer Körper | 625 MW | To-92 (to-226) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 2368-2N5401 | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 150 v | 600 mA | 50na (ICBO) | PNP | 500mv @ 5ma, 50 mA | 60 @ 10ma, 5V | 300 MHz | ||||||
![]() | 2SC4308TZ-E | 0,3200 | ![]() | 23 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
Weltweite Hersteller
Lagerhaus