Tel: +86-0755-83501315
E-Mail:sales@sic-components.com
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Gewinnen | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) | RAUSCHFIGUR (DB Typ @ f) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 2N333 | 65.1035 | ![]() | 6968 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | To-205aa, bis 5-3 Metalldose | 2N333 | To-5 | - - - | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||
![]() | BCW67BE6327 | 0,0500 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 330 MW | PG-SOT23-3-1 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 5.948 | 32 v | 800 mA | 20na (ICBO) | 700 mv @ 50 mA, 500 mA | 160 @ 100 mA, 1V | 200 MHz | ||||||||
![]() | 2SB1144S | 0,2000 | ![]() | 13 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | 2SA1419T-TD-E | 0,7100 | ![]() | 797 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | 2SA1419 | 500 MW | PCP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 1.000 | 160 v | 1,5 a | 1 µA (ICBO) | PNP | 500 mv @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 100 Ma, 5V | 120 MHz | ||||||
![]() | PBSS5540Z-QX | 0,1467 | ![]() | 7259 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | 1,35 w | SOT-223 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1727-PBSS5540Z-QXTR | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 40 v | 5 a | 100NA (ICBO) | PNP | 375mv @ 500 mA, 5a | 250 @ 500 mA, 2V | 120 MHz | |||||||
![]() | BC860CB5003XT | - - - | ![]() | 6093 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BC860 | 330 MW | Pg-SOT23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 45 V | 100 ma | 15NA (ICBO) | PNP | 650 mv @ 5ma, 100 mA | 420 @ 2MA, 5V | 250 MHz | ||||||
![]() | CXTA27 TR PBFREE | 0,8900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | CXTA27 | 1,2 w | SOT-89 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 60 v | 500 mA | 500NA | NPN - Darlington | 1,5 V @ 100 µA, 100 mA | 10000 @ 100 mA, 5V | 125 MHz | ||||||
![]() | Umil3 | - - - | ![]() | 4147 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Chassis, Stollenberg | 55ft | 11W | 55ft | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 11.8db ~ 13db | 30V | 700 Ma | Npn | 10 @ 100a, 5V | 225 MHz ~ 400 MHz | - - - | ||||||||
![]() | MSD42WT1 | - - - | ![]() | 8234 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | MSD42 | 150 MW | SC-70-3 (SOT323) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 300 V | 150 Ma | 100NA (ICBO) | Npn | 500 mv @ 2MA, 20 mA | 40 @ 30 ma, 10V | - - - | ||||||
| BCW61C, 215 | 0,2400 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BCW61 | 250 MW | To-236ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 32 v | 100 ma | 20na (ICBO) | PNP | 550 MV @ 1,25 mA, 50 mA | 250 @ 2MA, 5V | 100 MHz | |||||||
![]() | NST45011MW6T1G | 0,4600 | ![]() | 423 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | NST45011 | 380 MW | SC-88/SC70-6/SOT-363 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 45 V | 100 ma | 15NA (ICBO) | 2 NPN (Dual) Matchieres Paar | 600mv @ 5ma, 100 mA | 200 @ 2MA, 5V | 100 MHz | ||||||
![]() | BC807-16LT1 | 0,0200 | ![]() | 383 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | BC807 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | ||||||||||||||||||
![]() | 2N6057 | 54.2700 | ![]() | 8311 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-204aa, to-3 | 150 w | To-204aa (to-3) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-2N6057 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 60 v | 12 a | 1ma | NPN - Darlington | 2v @ 24ma, 6a | 750 @ 6a, 3v | - - - | ||||||||
![]() | DTC123JCA | 0,0200 | ![]() | 300 | 0.00000000 | Yangjie -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | DTC123 | - - - | ROHS -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 4617-DTC123JCATR | Ear99 | 3.000 | |||||||||||||||||||
![]() | NSC1168 | - - - | ![]() | 5321 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-NSC1168 | 1 | |||||||||||||||||||||
![]() | RN2707JE (TE85L, F) | 0,4800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOT-553 | RN2707 | 100 MW | ESV | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0095 | 4.000 | 50V | 100 ma | 100NA (ICBO) | 2 PNP - Voreeinnensmen (Dual) | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 80 @ 10ma, 5V | 200 MHz | 10kohm | 47kohm | ||||||
![]() | 2N6296 | 26.9724 | ![]() | 3762 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Schüttgut | Aktiv | 2N6296 | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | STE07DE220 | - - - | ![]() | 3491 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | - - - | Rohr | Veraltet | 125 ° C (TJ) | Chassis -berg | Isotop | STE07 | 220 w | ISOTOP® | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | 2200 v | 7 a | - - - | NPN - Emitter Schaltet Bipolar AUS | - - - | - - - | - - - | ||||||
![]() | CZT3055 TR PBFREE | - - - | ![]() | 6288 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1514-CZT3055TRPBFREETR | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | 2SD1247S | 0,4100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | DSC9001R0L | - - - | ![]() | 7019 | 0.00000000 | Panasonische Elektronische Komponenten | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-89, SOT-490 | DSC9001 | 125 MW | Ssmini3-f3-b | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 100 µA | Npn | 300mv @ 10 mA, 100 mA | 210 @ 2MA, 10V | 150 MHz | |||||||
![]() | NTE289 | 1.3300 | ![]() | 140 | 0.00000000 | NTE Electronics, Inc. | - - - | Tasche | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) | 600 MW | To-92 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 2368-NTE289 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 30 v | 800 mA | 100NA (ICBO) | Npn | 800mv @ 20 mA, 500 mA | 120 @ 50 Ma, 2V | 140 MHz | ||||||||
![]() | PUMH9/ZL135 | 0,0200 | ![]() | 160 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | |||||||||||||||||||
![]() | 2SA1037AKT146Q | 0,2800 | ![]() | 18 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 2SA1037 | 200 MW | SMT3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 150 Ma | 100NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 5ma, 50 mA | 120 @ 1ma, 6v | 140 MHz | ||||||
![]() | D44C8 | 0,5000 | ![]() | 50 | 0.00000000 | Solid State Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | 30 w | To-220 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | 2383-d44c8 | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 60 v | 4 a | 10 µA | Npn | 500mv @ 50 Ma, 1a | 100 @ 200 Ma, 1V | 50 MHz | ||||||
![]() | PDTC124ES, 126 | - - - | ![]() | 6655 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | PDTC124 | 500 MW | To-92-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | 50 v | 100 ma | 1 µA | NPN - VORGEPANNT | 150 mV @ 500 µA, 10 mA | 60 @ 5ma, 5V | 22 Kohms | 22 Kohms | ||||||
![]() | KSC1393YTA | - - - | ![]() | 7128 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | KSC1393 | 250 MW | To-92-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.000 | 20 dB ~ 24 dB | 30V | 20 ma | Npn | 90 @ 2MA, 10V | 700 MHz | 2db ~ 3db @ 200 MHz | |||||||
| 2N5679 | 20.6416 | ![]() | 4454 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-205ad, bis 39-3 Metall Kann | 1 w | To-39 (bis 205ad) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 2n5679ms | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 100 v | 10 µA | 10 µA | PNP | 1v @ 50 mA, 500 mA | 40 @ 250 mA, 2V | - - - | |||||||||
![]() | 2N5323 | - - - | ![]() | 9647 | 0.00000000 | Harris Corporation | - - - | Schüttgut | Aktiv | - - - | K. Loch | To-205aa, bis 5-3 Metalldose | 2n532 | 10 w | To-5 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 50 v | 2 a | - - - | PNP | - - - | - - - | - - - | ||||||
![]() | DTD123YCHZGT116 | 0,3700 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DTD123 | 200 MW | SST3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 500 mA | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 2,5 mA, 50 mA | 56 @ 50 Ma, 5V | 200 MHz | 2.2 Kohms | 10 Kohms |

Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

Standardprodukteinheit

Weltweite Hersteller

Lagerhaus
Wunschliste (0 Elemente)