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Bipolar (BJT) (35082)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Pumd48/zlz | - - - |  | 6020 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - - - | Schüttgut | Veraltet | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | Pumd48 | 300 MW | 6-tssop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Veraltet | 0000.00.0000 | 1 | 50V | 100 ma | 1 µA | 1 NPN, 1 PNP - Voreingenben (Dual) | 150 mV @ 500 µA, 10 mA | 80 @ 5ma, 5v / 100 @ 10 mA, 5 V. | 230 MHz, 180 MHz | 47kohms, 2.2kohms | 47kohm | |||
 | BC807-40/DG/B2215 | 1.0000 | | 8750 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | |||||||||||||||||
 | 2SB1508R | 1.0300 | | 2 | 0.00000000 | Sanyo | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||
| CP647-MJ11015-WN | - - - | | 7213 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - - - | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Sterben | CP647 | Sterben | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0040 | 1 | 120 v | 30 a | 1ma | PNP - Darlington | 4v @ 300 mA, 30a | 200 @ 30a, 5V | - - - | |||||
 | SMUN5215T1G | 1.0000 | | 8891 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 2156-Smun5215T1G-600039 | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | |||||||||||||||||
 | 2SC3851 | 0,7420 | | 5213 | 0.00000000 | DITEC -halbleiter | - - - | Rohr | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | 25 w | Ito-220f | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | 8541.10.0000 | 50 | 60 v | 4 a | 100 µA (ICBO) | Npn | 500mv @ 200 Ma, 2a | 40 @ 1a, 4V | 15 MHz | ||||||
| PBSS5130PAP-QX | 0,2048 | | 5056 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-UFDFN exponiert Pad | PBSS5130 | 370 MW | 6-Ehemann (2x2) | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1727-PBSS5130PAP-QXTR | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 30V | 1a | 100NA (ICBO) | 2 PNP (Dual) | 280 mv @ 50 Ma, 1a | 250 @ 100 mA, 2V | 125 MHz | ||||
 | Mun5312DW1T2G | 0,2800 | | 9 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | Mun5312 | 385 MW | SC-88/SC70-6/SOT-363 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50V | 100 ma | 500NA | 1 NPN, 1 PNP - Voreingenben (Dual) | 250 mV @ 300 µA, 10 mA | 60 @ 5ma, 10V | - - - | 22kohm | 22kohm | |||
 | BCX54TF | 0,4000 | | 12 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | BCX54 | 500 MW | SOT-89 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 4.000 | 45 V | 1 a | 100NA (ICBO) | Npn | 500 mv @ 50 mA, 500 mA | 63 @ 150 mA, 2V | - - - | ||||
 | EMH51T2R | 0,3900 | | 8 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | EMH51 | 150 MW | EMT6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 8.000 | 50V | 100 ma | 500NA | 2 NPN - Voresingenben (Dual) | 150 mV @ 500 µA, 5 mA | 60 @ 5ma, 10V | 250 MHz | 22kohm | 22kohm | |||
 | 2SA2161G0L | - - - | | 1979 | 0.00000000 | Panasonische Elektronische Komponenten | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 125 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-89, SOT-490 | 2SA2161 | 125 MW | Ssmini3-f3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 12 v | 500 mA | 100NA (ICBO) | PNP | 250mv @ 10ma, 200 mA | 270 @ 10ma, 2v | 200 MHz | ||||||
| JANS2N3439U4/Tr | - - - | | 1756 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jans2N3439U4/Tr | 1 | |||||||||||||||||||
 | 2N6232 | 43.2649 | | 2847 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-205aa, bis 5-3 Metalldose | 2N6232 | 1,25 w | To-5 | - - - | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 100 v | 10 a | 200na | PNP | 25 @ 5a, 2v | - - - | |||||||
 | MPSA44 | 0,0580 | | 64 | 0.00000000 | DITEC -halbleiter | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) | 625 MW | To-92 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | 2796-MPSA44TR | 8541.21.0000 | 4.000 | 400 V | 300 ma | 100NA (ICBO) | Npn | 750 mv @ 5ma, 50 mA | 50 @ 10 ma, 10V | - - - | |||||
 | 2pd601asl, 235 | - - - | | 7114 | 0.00000000 | NXP -halbleiter | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 2pd601 | 250 MW | To-236ab | Herunterladen | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 50 v | 100 ma | 10NA (ICBO) | Npn | 250mv @ 10 mA, 100 mA | 290 @ 2MA, 10V | 100 MHz | |||||||
 | BC858B, 215 | 0,1400 | | 69 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BC858 | 250 MW | To-236ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 30 v | 100 ma | 15NA (ICBO) | PNP | 650 mv @ 5ma, 100 mA | 220 @ 2MA, 5V | 100 MHz | ||||
 | IT120A SOIC 8L ROHS | 7.8000 | | 2 | 0.00000000 | Linear Integrated Systems, Inc. | IT120 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | IT120 | 500 MW | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.500 | 45 V | 10 ma | 1na (ICBO) | 2 NPN (Dual) | 500 mV @ 50 µA, 500 µA | 225 @ 1ma, 5v | 220 MHz | ||||
 | PHPT61002PYC, 115 | - - - | | 1382 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||
 | S8050 | 0,0680 | | 5 | 0.00000000 | Mdd | SOT-23 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 300 MW | SOT-23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | 3372-S8050TR | Ear99 | 8541.21.0095 | 6.000 | 25 v | 500 mA | 100NA (ICBO) | Npn | 600mv @ 50 mA, 500 mA | 120 @ 50 Ma, 1V | 150 MHz | ||||
| BC856A-QR | 0,0260 | | 42 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BC856 | 250 MW | To-236ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 65 V | 100 ma | 15NA (ICBO) | PNP | 650 mv @ 5ma, 100 mA | 125 @ 2MA, 5V | 100 MHz | ||||
| 2SD560 (2) -Az | 1.1800 | | 4933 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | 2156-2SD560 (2) -Az | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||
 | Pdta114ym, 315 | - - - | | 7076 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | PDTA11 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | |||||||||||||||||
 | PMST6429,115 | 0,0200 | | 941 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | 200 MW | SOT-323 | Herunterladen | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 45 V | 100 ma | 10NA (ICBO) | Npn | 600mv @ 5ma, 100 mA | 500 @ 100 µA, 5V | 700 MHz | ||||||||
 | DTA144ESA-AP | - - - | | 5337 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | K. Loch | To-226-3, Bis 92-3 Kurzer Körper (Gebildete Leitungen) | Dta144 | 300 MW | To-92s | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 353-dta144esa-aptb | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 68 @ 5ma, 5v | 250 MHz | 47 Kohms | 47 Kohms | |||
 | DTA123EEBEBTL | 0,2600 | | 3 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | Oberflächenhalterung | SC-89, SOT-490 | Dta123 | 150 MW | EMT3F (SOT-416FL) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 20 @ 20 Ma, 5V | 250 MHz | 2.2 Kohms | 2.2 Kohms | |||
 | Dta144guat106 | 0,0463 | | 1297 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | Dta144 | 200 MW | Umt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA (ICBO) | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 68 @ 5ma, 5v | 250 MHz | 47 Kohms | ||||
| EMD52T2R | 0,3900 | | 3621 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | EMD52T | 150 MW | EMT6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 8.000 | 50V | 100 ma | 500NA | 1 NPN, 1 PNP - Voreingenben (Dual) | 150 mV @ 500 µA, 5 mA | 60 @ 5ma, 10V | 250 MHz | 22kohm | 22kohm | |||
| KTC3198-Y-B0 B1G | - - - | | 9128 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) | 500 MW | To-92 | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 1801-KTC3198-Y-B0B1G | Veraltet | 1 | 50 v | 150 Ma | 100NA (ICBO) | Npn | 250mv @ 10 mA, 100 mA | 120 @ 150 mA, 6 V | 80MHz | |||||||
 | BCR166E6327 | 1.0000 | | 3452 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BCR166 | 200 MW | PG-SOT23-3-11 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 50 v | 100 ma | 100NA (ICBO) | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 70 @ 5MA, 5V | 160 MHz | 4.7 Kohms | 47 Kohms | |||
| 2SC3398-TB-E | 0,2000 | | 311 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | 0000.00.0000 | 5.997 |
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