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Bipolar (BJT) (35082)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 2N5771-5T | - - - |  | 7053 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - - - | Schüttgut | Veraltet | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) | 625 MW | To-92-3 | Herunterladen | 1514-2n5771-5t | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 15 v | 50 ma | 10na | PNP | 600mv @ 5ma, 50 mA | 50 @ 10ma, 300mV | 850 MHz | |||||||
 | MJD44H11TF | - - - | | 4270 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | MJD44 | 1,75 w | D-Pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.000 | 80 v | 8 a | 10 µA | Npn | 1v @ 400 mA, 8a | 40 @ 4a, 1V | 50 MHz | ||||
 | Ddtd114ec-7-f | 0,3000 | | 48 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DDTD114 | 200 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 500 mA | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 2,5 mA, 50 mA | 56 @ 50 Ma, 5V | 200 MHz | 10 Kohms | 10 Kohms | |||
 | PEMD12,115 | 0,0700 | | 4 | 0.00000000 | NXP -halbleiter | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 2156-PEMD12,115-954 | 4.699 | |||||||||||||||||||
 | BC847BW-QX | 0,0221 | | 8094 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automotive, AEC-Q101, BC847XW-Q | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | BC847 | 200 MW | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 45 V | 100 ma | 15NA (ICBO) | Npn | 400mv @ 5 mA, 100 mA | 200 @ 2MA, 5V | 100 MHz | ||||
 | STX13004-AP | - - - | | 7029 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | STX13004 | 2,5 w | To-92AP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | 400 V | 2 a | 1ma | Npn | 1v @ 500 mA, 2a | 10 @ 1a, 5V | - - - | ||||
 | KST3904MTF | - - - | | 1266 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | - - - | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | KST39 | 350 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 40 v | 200 ma | - - - | Npn | 300mv @ 5ma, 50 mA | 100 @ 10 Ma, 1V | 300 MHz | |||||
| SD1536-01 | - - - | | 9546 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - - - | Schüttgut | Veraltet | SD1536 | - - - | 1 (unbegrenzt) | Veraltet | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||
 | BC33716ta | 0,0400 | | 532 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | 625 MW | To-92-3 | Herunterladen | Ear99 | 8541.21.0075 | 8,103 | 45 V | 800 mA | 100na | Npn | 700 mv @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 100 mA, 1V | 100 MHz | ||||||||
| BLF574XRS112 | 192.3000 | | 47 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | |||||||||||||||||
| Jan2N3507AU4 | - - - | | 8022 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/349 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-smd, Keine Frotung | 1 w | U4 | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 50 v | 1 µA | 1 µA | Npn | 1,5 V @ 250 mA, 2,5a | 35 @ 500 mA, 1V | - - - | ||||||
 | BC807-40qbz | 0,2700 | | 30 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung, Benetzbare Flanke | 3-xdfn exponiert Pad | 350 MW | DFN1110D-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 5.000 | 45 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | 700 mv @ 50 mA, 500 mA | 250 @ 100 mA, 1V | 80MHz | ||||||
 | 2pc1815gr, 412 | - - - | | 5581 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Rohr | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | 2pc18 | 500 MW | To-92-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1.000 | 50 v | 150 Ma | 100NA (ICBO) | Npn | 300mv @ 10 mA, 100 mA | 200 @ 2ma, 6v | 80MHz | ||||
 | PBLS4003d, 115 | 0,4600 | | 10 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-74, SOT-457 | PBLS4003 | 600 MW | 6-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 V, 40 V | 100 mA, 700 mA | 1 µA, 100NA | 1 NPN Voreingensmen, 1 PNP | 150 mV @ 500 µA, 10 mA / 310 mV @ 100 mA, 1a | 30 @ 5ma, 5v / 300 @ 100 mA, 5 V. | 150 MHz | 10kohm | 10kohm | |||
| NSVEMD4DXV6T1G | - - - | | 5912 | 0.00000000 | Onsemi | EMD | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | Nsvemd4 | 357 MW | SOT-563 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 488-NSVEMD4DXV6T1GTR | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 50V | 100 ma | 500NA | 1 NPN, 1 PNP - Voreingenben (Dual) | 250 mV @ 300 µA, 10 mA | 80 @ 5ma, 10V | - - - | 47kohm | 47kohm | ||
 | RN4901, LF | - - - | | 2952 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | RN4901 | 200 MW | US6 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50V | 100 ma | 500NA | 1 NPN, 1 PNP - Voreingenben (Dual) | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 30 @ 10ma, 5v | 200 MHz, 250 MHz | 4.7kohm | 4.7kohm | |||||
 | ADA123JUQ-13 | - - - | | 5967 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | ADA123 | 270 MW | SOT-363 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | ADA123JUQ-13DI | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | 50V | 100 ma | 500NA | 2 PNP - Voreeinnensmen (Dual) | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 80 @ 10ma, 5V | 250 MHz | 2.2ko | 47kohm | ||
| JANKCB2N5004 | 97.9279 | | 5388 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/534 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Bolzenhalterung | Sterben | 2 w | Sterben | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 v | 50 µA | 50 µA | Npn | 1,5 V @ 500 mA, 5a | 70 @ 2,5a, 5V | - - - | ||||||
 | PN200A_D26Z | - - - | | 5298 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | PN200 | 625 MW | To-92-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.000 | 45 V | 500 mA | 50na | PNP | 400mv @ 20 mA, 200 mA | 300 @ 10 mA, 1V | 250 MHz | |||||
 | Fcx1047ata | 0,7100 | | 57 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | FCX1047 | 2 w | SOT-89-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 10 v | 4 a | 10na | Npn | 350 MV @ 25ma, 5a | 300 @ 1a, 2v | 150 MHz | ||||
 | XN0560100L | - - - | | 1694 | 0.00000000 | Panasonische Elektronische Komponenten | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 | Xn0560 | 300 MW | Mini6-G1 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50V | 100 ma | 100 µA | NPN, PNP | 300mv @ 10 mA, 100 mA / 500mv @ 10 mA, 100 mA | 160 @ 2MA, 10V | 150 MHz, 80 MHz | ||||||
 | SMUN5111DW1T1G | 0,4100 | | 8031 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | Smun5111 | 385 MW | SC-88/SC70-6/SOT-363 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50V | 100 ma | 500NA | 2 PNP (Dual) | 250 mV @ 300NA, 10 mA | 35 @ 5ma, 10 V. | - - - | ||||
 | FJE3303H2TU | 0,2500 | | 31 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-225aa, to-126-3 | 20 w | To-126-3 | Herunterladen | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,212 | 400 V | 1,5 a | 10 µA (ICBO) | Npn | 3v @ 500 mA, 1,5a | 14 @ 500 mA, 2V | 4MHz | ||||||||
 | BCR183SE6327BTSA1 | - - - | | 1928 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 | BCR183 | 250 MW | Pg-sot363-po | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50V | 100 ma | - - - | 2 PNP - Voreeinnensmen (Dual) | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 30 @ 5ma, 5v | 200 MHz | 10kohm | 10kohm | ||||
 | PEMB13,115 | 0,1074 | | 9675 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | Pemb13 | 300 MW | SOT-666 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 4.000 | 50V | 100 ma | 1 µA | 2 PNP - Voreeinnensmen (Dual) | 100 mv @ 250 ua, 5 mA | 100 @ 10ma, 5V | - - - | 4.7kohm | 47kohm | |||
 | NSVBC144EPDXV6T1G | 0,1154 | | 4314 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | NSVBC144 | 500 MW | SOT-563 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 4.000 | 50V | 100 ma | 500NA | 1 NPN, 1 PNP - Voreingenben (Dual) | 250 mV @ 300 µA, 10 mA | 80 @ 5ma, 10V | - - - | 47kohm | 47kohm | |||
| JANSD2N2222AUBC/Tr | 231.9816 | | 8198 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/255 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-smd, Keine Frotung | 500 MW | UBC | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-JansD2N2222ABC/Tr | 50 | 50 v | 800 mA | 50na | Npn | 1v @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 150 mA, 10V | - - - | ||||||||
 | BC857qasz | 0,3200 | | 128 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-xfdfn exponiert Pad | BC857 | 350 MW | DFN1010B-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 5.000 | 45 V | 100 ma | 15NA (ICBO) | 2 PNP (Dual) | 100 mV @ 2MA, 5V | 200 @ 2MA, 5V | 100 MHz | ||||
| 2N4348 | 92.8200 | | 9087 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-2N4348 | 1 | ||||||||||||||||||||
| PBSS9110S, 126 | - - - | | 9446 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | PBSS9 | 830 MW | To-92-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.000 | 100 v | 1 a | 100na | PNP | 320 mv @ 100 mA, 1a | 150 @ 500 mA, 5V | 100 MHz |
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