SIC
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Bipolar (BJT) (35082)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Gewinnen Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Strom - Sammler Cutoff (max) Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang Ausflussbasis (R1) Ausfluss - Emitterbasis (R2) RAUSCHFIGUR (DB Typ @ f)
2SC2235-Y(MBSH1,FM Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2235-y (MBSH1, FM - - -
RFQ
 ECAD 5908 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, bis 92-3 Langer Körper 2SC2235 900 MW To-92mod Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0075 1 120 v 800 mA 100NA (ICBO) Npn 1v @ 50 mA, 500 mA 80 @ 100ma, 5V 120 MHz
2SD1936U-AC onsemi 2SD1936U-AC 0,1500
RFQ
 ECAD 65 0.00000000 Onsemi * Schüttgut Aktiv - - - Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.21.0075 2.049
JANKCC2N5339 Microchip Technology JANKCC2N5339 38.7961
RFQ
 ECAD 1769 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/560 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-205ad, bis 39-3 Metall Kann 1 w To-205ad (to-39) - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 150-Jankcc2n5339 Ear99 8541.29.0095 1 100 v 5 a 100 µA Npn 1,2 V @ 500 mA, 5a 60 @ 2a, 2v - - -
BC817-40W RFG Taiwan Semiconductor Corporation BC817-40W RFG 0,0360
RFQ
 ECAD 7191 0.00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SC-70, SOT-323 BC817 200 MW SOT-323 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 45 V 500 mA 100NA (ICBO) Npn 700 mv @ 50 mA, 500 mA 250 @ 100 mA, 1V 100 MHz
MMDT3946_R1_00001 Panjit International Inc. MMDT3946_R1_00001 0,3200
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Panjit International Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mmdt3946 225 MW SOT-363 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 3757-mmdt3946_R1_00001CT Ear99 8541.21.0075 3.000 40V 200 ma 50na NPN, PNP 300mv @ 5 mA, 50 mA / 400 mv @ 5 mA, 50 mA 100 @ 10 Ma, 1V 300 MHz
BCW30,215 NXP USA Inc. BCW30,215 - - -
RFQ
 ECAD 6986 0.00000000 NXP USA Inc. Automobil, AEC-Q101 Schüttgut Aktiv 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 BCW30 250 MW To-236ab Herunterladen 0000.00.0000 1 32 v 100 ma 100NA (ICBO) PNP 150 mV @ 2,5 mA, 50 mA 215 @ 2MA, 5V 100 MHz
PN2222TFR Fairchild Semiconductor PN2222TFR - - -
RFQ
 ECAD 6552 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads 625 MW To-92-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.21.0075 10.000 30 v 600 mA 10NA (ICBO) Npn 1v @ 50 mA, 500 mA 100 @ 150 mA, 10V 300 MHz
BCX69-25E6327HTSA1 Infineon Technologies BCX69-25E6327HTSA1 0,1400
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Infineon -technologien - - - Schüttgut Aktiv 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-243aa 3 w Pg-sot89 Herunterladen Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 2.077 20 v 1 a 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 100 mA, 1a 160 @ 500 mA, 1V 100 MHz
JANS2N3507L Microchip Technology JANS2N3507L 70.3204
RFQ
 ECAD 7348 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/349 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-205aa, bis 5-3 Metalldose 1 w To-5aa - - - UnberÜHrt Ereichen 150-Jans2N3507L 1 50 v 3 a 1 µA Npn 1,5 V @ 250 mA, 2,5a 35 @ 500 mA, 1V - - -
DTA124ECA Yangjie Technology Dta124eca 0,0240
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 Yangjie -technologie - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 Dta124 200 MW SOT-23 - - - ROHS -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 4617-dta124ecatr Ear99 3.000 50 v 100 ma 500NA PNP - VORGEPANNT + DIODE 300 mV @ 500 µA, 10 mA 56 @ 10ma, 5V 250 MHz 22 Kohms 22 Kohms
MJ6503 PBFREE Central Semiconductor Corp MJ6503 PBFREE - - -
RFQ
 ECAD 6713 0.00000000 Central Semiconductor Corp MJ6503 Rohr Veraltet -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-204aa, to-3 MJ6503 125 w To-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 1514-MJ6503PBree Ear99 8541.29.0095 1 400 V 8 a 500 ähm PNP 5v @ 3a, 8a 15 @ 2a, 5v - - -
BC846AWHE3-TP Micro Commercial Co BC846AWHE3-TP 0,2400
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Micro Commercial co Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SC-70, SOT-323 BC846 200 MW SOT-323 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 65 V 100 ma 100NA (ICBO) Npn 500 mV @ 5ma, 100 mA 110 @ 2MA, 5V 150 MHz
KSE210STU onsemi KSE210stu - - -
RFQ
 ECAD 9643 0.00000000 Onsemi - - - Rohr Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch To-225aa, to-126-3 KSE21 15 w To-126-3 - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 1.920 25 v 5 a 100NA (ICBO) PNP 1,8 V @ 1a, 5a 45 @ 2a, 1V 65 MHz
DTA015TEBTL Rohm Semiconductor DTA015TBTL 0,0351
RFQ
 ECAD 7490 0.00000000 Rohm Semiconductor - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung SC-89, SOT-490 DTA015 150 MW EMT3F (SOT-416FL) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 500NA (ICBO) PNP - VoreInensmen 250 MV @ 250 UA, 5 mA 100 @ 5ma, 10V 250 MHz 100 Kohms
UPA800T-A CEL UPA800T-A - - -
RFQ
 ECAD 9389 0.00000000 Cel - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 UPA800 200 MW SOT-363 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 1 7,5 dB 10V 35 Ma 2 NPN (Dual) 80 @ 5ma, 3v 8GHz 1,9 dB @ 2GHz
DSS9110Y-7 Diodes Incorporated DSS9110Y-7 0,0788
RFQ
 ECAD 2823 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 DSS9110 625 MW SOT-363 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 100 v 1 a 100na PNP 320 mv @ 100 mA, 1a 150 @ 500 mA, 5V 100 MHz
2N3906RLRMG onsemi 2N3906RLRMG - - -
RFQ
 ECAD 5748 0.00000000 Onsemi - - - Klebeband (CT) Schneiden Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, Bis 92-3 Langer Körper (Gebildete Leitungen) 2N3906 625 MW To-92 (to-226) Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 2.000 40 v 200 ma - - - PNP 400mv @ 5ma, 50 mA 100 @ 10 Ma, 1V 250 MHz
2SD2695(T6CNO,A,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SD2695 (t6cno, a, f) - - -
RFQ
 ECAD 5381 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, bis 92-3 Langer Körper 2SD2695 900 MW To-92mod Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0075 1 60 v 2 a 10 µA (ICBO) Npn 1,5 V @ 1ma, 1a 2000 @ 1a, 2v 100 MHz
BDW74B-S Bourns Inc. BDW74B-S - - -
RFQ
 ECAD 7857 0.00000000 Bourns Inc. - - - Rohr Veraltet -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 BDW74 2 w To-220 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 15.000 80 v 8 a 500 ähm PNP - Darlington 4v @ 80 Ma, 8a 750 @ 3a, 3v - - -
RN2410,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2410, LXHF 0,0645
RFQ
 ECAD 7556 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 RN2410 200 MW S-mini Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0095 3.000 50 v 100 ma 100NA (ICBO) PNP - VoreInensmen 300 mV @ 250 ua, 5 mA 120 @ 1ma, 5V 200 MHz 4.7 Kohms
PDTC143ET235 NXP USA Inc. PDTC143ET235 - - -
RFQ
 ECAD 3530 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv Herunterladen 0000.00.0000 1
2SA1706T-AN onsemi 2SA1706T-AN - - -
RFQ
 ECAD 1638 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch SC-71 2SA1706 1 w 3-nmp Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 2.500 50 v 2 a 100NA (ICBO) PNP 700 mv @ 50 Ma, 1a 200 @ 100 Ma, 2V 150 MHz
2SC5310-5-TB-E onsemi 2SC5310-5-TB-E 0,2000
RFQ
 ECAD 48 0.00000000 Onsemi * Schüttgut Aktiv - - - Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.21.0075 1
PBSS5250X,135 Nexperia USA Inc. PBSS5250X, 135 0,3600
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 Nexperia USA Inc. Automobil, AEC-Q100 Band & Rollen (TR) Aktiv 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-243aa PBSS5250 1 w SOT-89 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 4.000 50 v 2 a 100NA (ICBO) PNP 320mv @ 200ma, 2a 200 @ 1a, 2v 100 MHz
TN2219A_D26Z onsemi TN2219A_D26Z - - -
RFQ
 ECAD 8779 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, Bis 92-3 Langer Körper (Gebildete Leitungen) TN2219 1 w To-226 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.000 40 v 1 a 10NA (ICBO) Npn 1v @ 50 mA, 500 mA 100 @ 150 mA, 10V - - -
JANS2N5002 Microchip Technology JANS2N5002 - - -
RFQ
 ECAD 3443 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/534 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Bolzenhalterung To-210aa, to-59-4, Stud 2 w To-59 - - - Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 80 v 50 µA 50 µA Npn 1,5 V @ 500 mA, 5a 30 @ 2,5a, 5V - - -
NSS20501UW3T2G onsemi NSS20501UW3T2G 0,6300
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 3-WDFN-Exponiertebad NSS20501 875 MW 3-WDFN (2x2) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 20 v 5 a 100NA (ICBO) Npn 125mv @ 400 mA, 4a 200 @ 2a, 2v 150 MHz
MDS70 Microsemi Corporation MDS70 - - -
RFQ
 ECAD 9511 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Schüttgut Veraltet 200 ° C (TJ) Chassis -berg 55cx 225W 55cx Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 1 10.3db ~ 11.65db 65 V 5a Npn 20 @ 500 mA, 5V 1,03 GHz ~ 1,09 GHz - - -
BC337-16 B1G Taiwan Semiconductor Corporation BC337-16 B1G - - -
RFQ
 ECAD 6285 0.00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) BC337 625 MW To-92 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 5.000 45 V 800 mA 100NA (ICBO) Npn 700 mv @ 50 mA, 500 mA 100 @ 100 Ma, 5V 100 MHz
TSA874CW Taiwan Semiconductor Corporation TSA874CW 0,2013
RFQ
 ECAD 6190 0.00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-261-4, to-261aa TSA874 1 w SOT-223 Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 1801-TSA874CWTR Ear99 8541.29.0075 5.000 500 V 150 Ma 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 10 mA, 50 mA 150 @ 1ma, 10V 50 MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Expositionspad

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