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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Gewinnen | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) | RAUSCHFIGUR (DB Typ @ f) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | Ph9046 | - - - | ![]() | 8720 | 0.00000000 | Macom Technology Solutions | * | Schüttgut | Veraltet | - - - | 1 (unbegrenzt) | Veraltet | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||
![]() | PQMH11147 | - - - | ![]() | 1700 | 0.00000000 | NXP -halbleiter | - - - | Schüttgut | Aktiv | - - - | 2156-PQMH11147 | 1 | |||||||||||||||||||||||
![]() | 2C5013 | - - - | ![]() | 5644 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - - - | Schüttgut | Veraltet | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | Rohs Nick Konform | Nicht Anwendbar | Veraltet | 0000.00.0000 | 1 | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | |||||||||||
![]() | RN2408, LXHF | 0,3400 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | RN2408 | 200 MW | S-mini | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 80 @ 10ma, 5V | 200 MHz | 22 Kohms | 47 Kohms | |||||||
![]() | BCX19T116 | 0,4000 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BCX19 | 350 MW | SST3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 45 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | Npn | 620 MV @ 50 Ma, 500 mA | 100 @ 100 mA, 1V | 250 MHz | ||||||
![]() | FJC1963RTF | - - - | ![]() | 6310 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | FJC19 | 500 MW | SOT-89-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 4.000 | 30 v | 3 a | 500NA | Npn | 450 MV @ 150 Ma, 1,5a | 180 @ 500 mA, 2V | - - - | |||||||
![]() | BC847CW/ZL115 | 0,0300 | ![]() | 180 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | |||||||||||||||||||
![]() | CP588-HBC556B-CM | - - - | ![]() | 3503 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | CP588 | Tablett | Veraltet | - - - | Oberflächenhalterung | Sterben | Sterben | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 1514-CP588-HBC556B-CM | Veraltet | 1 | - - - | - - - | - - - | |||||||||||||
![]() | 2SC4413-tl-e | 0,3300 | ![]() | 174 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | |||||||||||||||||||
![]() | NJVMJD44H11RLG-VF01 | - - - | ![]() | 7006 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | NJVMJD44 | 1,75 w | Dpak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.800 | 80 v | 8 a | 1 µA | Npn | 1v @ 400 mA, 8a | 40 @ 4a, 1V | 85 MHz | ||||||
![]() | JantX2N5303 | 164.2949 | ![]() | 4240 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/456 | Schüttgut | Aktiv | - - - | K. Loch | To-204aa, to-3 | 2n5303 | 5 w | To-3 (to-204aa) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 v | 20 a | 10 µA | Npn | 2v @ 4a, 20a | 15 @ 10a, 2v | - - - | ||||||
![]() | ZTX10470ASTOB | - - - | ![]() | 8800 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | - - - | K. Loch | E-Line-3, Gebildete Leads | 1 w | E-line (bis 92 kompatibel) | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.000 | 10 v | 4 a | 10na | Npn | 185mv @ 10ma, 3a | 300 @ 1a, 2v | 150 MHz | ||||||||
![]() | DTC124EET1 | 0,0200 | ![]() | 27 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | DTC124 | 200 MW | SC-75, SOT-416 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 250 mV @ 300 µA, 10 mA | 60 @ 5ma, 10V | 22 Kohms | 22 Kohms | ||||||
![]() | JANSL2N2369AUBC/Tr | 252.7000 | ![]() | 4437 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-smd, Keine Frotung | 360 MW | UBC | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jansl2N2369AUBC/Tr | 50 | 15 v | 400na | Npn | 450 mV @ 10 mA, 100 mA | 20 @ 100 mA, 1V | - - - | |||||||||||
![]() | 2SCR523V1T2L | - - - | ![]() | 7013 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | * | Band & Rollen (TR) | Veraltet | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 8.000 | |||||||||||||||||||
2n2642 | - - - | ![]() | 9993 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - - - | Schüttgut | Veraltet | - - - | K. Loch | Bis 78-6 Metalldose | 2n264 | 600 MW | To-78-6 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 45 V | 30 ma | - - - | 2 NPN (Dual) | - - - | 100 @ 10 µA, 5 V | 40 MHz | |||||||
![]() | PMD16K100 | 2.6000 | ![]() | 50 | 0.00000000 | Solid State Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | - - - | K. Loch | To-204aa, to-3 | To-3 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | 2383-PMD16K100 | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 100 v | 20 a | - - - | NPN - Darlington | - - - | - - - | - - - | |||||||
![]() | TIP29 | 0,8900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | TIP29 | 2 w | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.200 | 40 v | 1 a | 300 µA | Npn | 700 MV @ 125 Ma, 1a | 15 @ 1a, 4V | 3MHz | ||||||
2SA0963 | - - - | ![]() | 4795 | 0.00000000 | Panasonische Elektronische Komponenten | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-225aa, to-126-3 | 2SA096 | 10 w | To-126a-a1 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 40 v | 1,5 a | 100 µA | PNP | 1v @ 150 mA, 1,5a | 80 @ 1a, 5V | 150 MHz | ||||||||
ADTA144VCAQ-13 | 0,0526 | ![]() | 3864 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | ADTA144 | 310 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 31-atta144vcaq-13tr | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 33 @ 10ma, 5v | 250 MHz | 47 Kohms | 10 Kohms | |||||||
![]() | DTC143TSATP | - - - | ![]() | 2512 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | K. Loch | SC-72 Foreded Leads | DTC143 | 300 MW | Spt | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 5.000 | 50 v | 100 ma | 500NA (ICBO) | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 100 @ 1ma, 5V | 250 MHz | 4.7 Kohms | ||||||
![]() | DRC5115T0L | - - - | ![]() | 2387 | 0.00000000 | Panasonische Elektronische Komponenten | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | SC-85 | DRC5115 | 150 MW | Smini3-F2-B | - - - | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 250 mV @ 500 µA, 10 mA | 160 @ 5ma, 10V | 100 Kohms | ||||||||
MRF553GT | - - - | ![]() | 6828 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - - - | Schüttgut | Veraltet | - - - | Oberflächenhalterung | Leistungsmakro | 3W | Leistungsmakro | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 11.5db | 16V | 500 mA | Npn | 30 @ 250 mA, 5V | 175MHz | - - - | ||||||||||
2n2641 | - - - | ![]() | 7769 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - - - | Schüttgut | Veraltet | - - - | K. Loch | Bis 78-6 Metalldose | 2n264 | 600 MW | To-78-6 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 45 V | 30 ma | - - - | 2 NPN (Dual) | - - - | 50 @ 10 µa, 5 V | 40 MHz | |||||||
![]() | MJ802 | 1.7300 | ![]() | 4853 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Tablett | Veraltet | - - - | K. Loch | To-204aa, to-3 | MJ802 | 200 w | To-204 (to-3) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 100 | 90 v | 30 a | - - - | Npn | 800 MV @ 750 Ma, 7,5a | 25 @ 7,5a, 2v | 2MHz | ||||||
![]() | 2SD2098T100R | 0,7900 | ![]() | 27 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | 2SD2098 | 2 w | Mpt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 20 v | 5 a | 500NA (ICBO) | Npn | 1v @ 100 mA, 4a | 180 @ 500 mA, 2V | 150 MHz | ||||||
![]() | Umf28ntr | 0,4500 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | Umf28 | 150 MW | Umt6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50V | 100 mA, 150 mA | 500NA | 1 NPN Voreingensmen, 1 PNP | 300 mV @ 500 µA, 10 mA / 500 mV @ 5 mA, 50 mA | 68 @ 5ma, 5v / 180 @ 1ma, 6v | 250 MHz, 140 MHz | 22kohm | 47kohm | |||||
![]() | BFP420FH6327XTSA1 | 0,4400 | ![]() | 15 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Flache Leitungen | BFP420 | 160 MW | 4-tsfp | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 19.5db | 5,5 v | 35 Ma | Npn | 60 @ 5ma, 4V | 25ghz | 1,1 dB @ 1,8GHz | ||||||
![]() | Pumd12,115 | - - - | ![]() | 1690 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Pumd12 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | |||||||||||||||||||
![]() | ICA32V23X1SA1 | - - - | ![]() | 9178 | 0.00000000 | Infineon -technologien | * | Schüttgut | Veraltet | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | SP001113928 | Veraltet | 0000.00.0000 | 1 |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
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