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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Gewinnen | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) | RAUSCHFIGUR (DB Typ @ f) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MMBT3904T RSG | 0,2400 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-523 | MMBT3904 | 150 MW | SOT-523 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 40 v | 200 ma | 50na (ICBO) | Npn | 300mv @ 5ma, 50 mA | 100 @ 10 Ma, 1V | 300 MHz | ||||||
![]() | BC856A RFG | 0,0343 | ![]() | 5220 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BC856 | 200 MW | SOT-23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 65 V | 100 ma | 100NA (ICBO) | PNP | 650 mv @ 5ma, 100 mA | 125 @ 2MA, 5V | 100 MHz | ||||||
PBSS4350T, 215 | 0,5000 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | PBSS4350 | 540 MW | To-236ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 2 a | 100NA (ICBO) | Npn | 370mv @ 300 mA, 3a | 300 @ 1a, 2v | 100 MHz | |||||||
![]() | DRC5124X0L | - - - | ![]() | 6638 | 0.00000000 | Panasonische Elektronische Komponenten | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | SC-85 | DRC5124 | 150 MW | Smini3-F2-B | - - - | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 250 mV @ 500 µA, 10 mA | 80 @ 5ma, 10V | 22 Kohms | 47 Kohms | |||||||
![]() | NTE16004 | 1,9000 | ![]() | 200 | 0.00000000 | NTE Electronics, Inc | - - - | Tasche | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-205ad, bis 39-3 Metall Kann | 10 w | To-39 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 2368-NTE16004 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 75 V | 2 a | 100 µA | PNP | 700 mv @ 50 mA, 500 mA | 30 @ 500 mA, 4V | - - - | ||||||||
![]() | JANS2N3440U4 | - - - | ![]() | 4854 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | - - - | 2N3440 | - - - | - - - | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||
![]() | KSP2222ATA | 0,0500 | ![]() | 96 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | 625 MW | To-92-3 | Herunterladen | Ear99 | 8541.21.0075 | 6,497 | 40 v | 600 mA | 10NA (ICBO) | Npn | 1v @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 150 mA, 10V | 300 MHz | ||||||||||
![]() | 2n5077 | 287.8650 | ![]() | 3992 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | - - - | Bolzenhalterung | To-210aa, to-59-4, Stud | 40 w | To-59 | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-2n5077 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 250 V | 3 a | - - - | Npn | - - - | - - - | - - - | ||||||||
![]() | Jan2N5795 | - - - | ![]() | 9833 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/496 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Bis 78-6 Metalldose | 2N5795 | 600 MW | To-78-6 | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 60 v | 600 mA | 10 µA (ICBO) | 2 PNP (Dual) | 1,6 V @ 50 Ma, 500 mA | 40 @ 150 mA, 10V | - - - | |||||||
![]() | BC558ABU | 0,0200 | ![]() | 30 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) | 500 MW | To-92-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Ear99 | 8541.21.0075 | 1.000 | 30 v | 100 ma | 15NA (ICBO) | PNP | 650 mv @ 5ma, 100 mA | 110 @ 2MA, 5V | 150 MHz | |||||||||
![]() | CP188-BC107A-CT | - - - | ![]() | 2704 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - - - | Tablett | Veraltet | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Sterben | 600 MW | Sterben | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 1514-CP188-BC107A-CT | Ear99 | 8541.29.0040 | 1 | 45 V | 200 ma | 15NA (ICBO) | 600mv @ 5ma, 100 mA | 110 @ 2MA, 5V | |||||||||
![]() | NHUMH13X | 0,3900 | ![]() | 100 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | NHUMH13 | 350 MW | 6-tssop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 80V | 100 ma | 100na | 2 NPN - Voresingenben (Dual) | 100 mV @ 500 µA, 10 mA | 100 @ 10ma, 5V | 170 MHz | 4.7kohm | 47kohm | |||||
![]() | 2SCR533PT100 | 0,6000 | ![]() | 416 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | 2SCR533 | 2 w | Mpt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 50 v | 3 a | 1 µA (ICBO) | Npn | 350 MV @ 50 Ma, 1a | 180 @ 50 Ma, 3V | 320 MHz | ||||||
![]() | RN1403, lf | 0,2200 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | RN1403 | 200 MW | S-mini | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 70 @ 10ma, 5V | 250 MHz | 22 Kohms | 22 Kohms | ||||||
![]() | 2N1716 | 20.3850 | ![]() | 9613 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-205aa, bis 5-3 Metalldose | To-5aa | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-2N1716 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 60 v | 750 Ma | - - - | Npn | - - - | - - - | - - - | |||||||||
![]() | 2SB1236TV2Q | - - - | ![]() | 3148 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | 3-sip | 1 w | ATV | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.500 | 120 v | 1,5 a | 1 µA (ICBO) | PNP | 2v @ 100 mA, 1a | 120 @ 100 mA, 5V | 50 MHz | |||||||
![]() | RN4986FE, LXHF (CT | 0,3800 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | RN4986 | 100 MW | Es6 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0095 | 4.000 | 50V | 100 ma | 500NA | 1 NPN, 1 PNP - Voreingenben (Dual) | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 80 @ 10ma, 5V | 250 MHz, 200 MHz | 4.7kohm | 47kohm | |||||||
![]() | ZTX576Stob | - - - | ![]() | 6974 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | E-Line-3, Gebildete Leads | ZTX576 | 1 w | E-line (bis 92 kompatibel) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.000 | 200 v | 1 a | 100NA (ICBO) | PNP | 300mv @ 10 mA, 100 mA | 50 @ 300 mA, 10V | 100 MHz | |||||||
Fmmt38ctc | - - - | ![]() | 9667 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Fmmt38c | 330 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | 60 v | 300 ma | 100NA (ICBO) | NPN - Darlington | 1,25 V @ 8ma, 800 mA | 5000 @ 100 mA, 5V | - - - | ||||||||
![]() | 2SC4548D-TD-E | 0,1800 | ![]() | 194 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | |||||||||||||||||||
Jantxv2N3506 | 17.7023 | ![]() | 2721 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/349 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-205ad, bis 39-3 Metall Kann | 2N3506 | 1 w | To-39 (bis 205ad) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 40 v | 3 a | - - - | Npn | 1,5 V @ 250 mA, 2,5a | 40 @ 1,5a, 2V | - - - | |||||||
![]() | BC52PA, 115 | 0,4000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-Powerudfn | BC52 | 420 MW | 3-Huson (2x2) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 60 v | 1 a | 100NA (ICBO) | PNP | 500 mv @ 50 mA, 500 mA | 63 @ 150 mA, 2V | 145 MHz | ||||||
![]() | RN1973 (TE85L, F) | 0,0753 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | RN1973 | 200 MW | US6 | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50V | 100 ma | 100NA (ICBO) | 2 NPN - Voresingenben (Dual) | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 120 @ 1ma, 5V | - - - | 47kohm | - - - | ||||||
JantX2N5153 | 11.3183 | ![]() | 7827 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/545 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-205ad, bis 39-3 Metall Kann | 2N5153 | 1 w | To-39 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 v | 2 a | 50 µA | PNP | 1,5 V @ 500 mA, 5a | 70 @ 2,5a, 5V | - - - | |||||||
![]() | 2SC3858 | - - - | ![]() | 7466 | 0.00000000 | Sanken Electric USA Inc. | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | 3-ESIP | 200 w | MT-200 | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2SC3858 DK | Ear99 | 8541.29.0095 | 250 | 200 v | 17 a | 100 µA (ICBO) | Npn | 2,5 V @ 1a, 10a | 50 @ 8a, 4V | 20MHz | |||||||
![]() | DSA7504Q0L | - - - | ![]() | 1627 | 0.00000000 | Panasonische Elektronische Komponenten | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | DSA7504 | 1 w | Minip3-F2-B | - - - | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 20 v | 4 a | 100NA (ICBO) | PNP | 1v @ 100 mA, 3a | 120 @ 2a, 2v | 180 MHz | |||||||
![]() | 2SC3934G0L | - - - | ![]() | 7660 | 0.00000000 | Panasonische Elektronische Komponenten | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-85 | 2SC3934 | 150 MW | Smini3-F2 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 9 dB ~ 12 dB | 12V | 30 ma | Npn | 40 @ 10 ma, 10V | 4,5 GHz | 1,3 dB ~ 2,5 dB bei 800 MHz | ||||||||
![]() | BD13616stu | 0,2500 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-225aa, to-126-3 | 1,25 w | To-126-3 | Herunterladen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,222 | 45 V | 1,5 a | 100NA (ICBO) | PNP | 500 mv @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 150 mA, 2V | - - - | ||||||||||
![]() | Jan2n5794a | 105.1208 | ![]() | 7946 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/495 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | Bis 78-6 Metalldose | 2n5794 | 600 MW | To-78-6 | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 40V | 600 mA | 10 µA (ICBO) | 2 NPN (Dual) | 900mv @ 30 mA, 300 mA | 100 @ 150 mA, 10V | - - - | |||||||
![]() | RN4988 (T5L, F, T) | - - - | ![]() | 6086 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | RN4988 | 200 MW | US6 | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50V | 100 ma | 100 µA (ICBO) | 1 NPN, 1 PNP - Voreingenben (Dual) | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 80 @ 10ma, 5V | 250 MHz, 200 MHz | 22kohm | 47kohm |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
Weltweite Hersteller
Lagerhaus