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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Gewinnen | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) | RAUSCHFIGUR (DB Typ @ f) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
ADTC114EUAQ-13 | 0,2100 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | ADTC114 | 330 MW | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | 50 v | 100 ma | - - - | NPN - VORGEPANNT | - - - | 30 @ 5ma, 5v | 250 MHz | 10 Kohms | 10 Kohms | ||||||
![]() | FJAFS1720TU | - - - | ![]() | 2555 | 0.00000000 | Onsemi | ESBC ™ | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) | K. Loch | TO-3P-3 Full Pack | FJAFS172 | 60 w | To-3Pf | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 800 V | 12 a | 100 µA | Npn | 250mv @ 3.33a, 10a | 8,5 @ 11a, 5V | 15 MHz | |||||||
![]() | 2SC4115S-R-AP | - - - | ![]() | 1336 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, Bis 92-3 Kurzer Körper (Gebildete Leitungen) | 2SC4115 | 300 MW | To-92s | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0075 | 1.000 | 20 v | 3 a | 100NA (ICBO) | Npn | 500mv @ 100 mA, 2a | 180 @ 100 Ma, 2V | 200 MHz | |||||||
![]() | DDTC114TKA-7-F | - - - | ![]() | 4915 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DDTC114 | 200 MW | SC-59-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA (ICBO) | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 100 µA, 1 mA | 100 @ 1ma, 5V | 250 MHz | 10 Kohms | ||||||
![]() | SPS9607RLRM | 0,0200 | ![]() | 42 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | KSB798GTF | 0,1400 | ![]() | 27 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | 2 w | SOT-89-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Ear99 | 8541.29.0075 | 4.000 | 25 v | 1 a | 100NA (ICBO) | PNP | 400mv @ 100 mA, 1a | 200 @ 100ma, 1V | 110 MHz | |||||||||
![]() | MPS2907A-L-AP | - - - | ![]() | 6697 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | MPS2907 | 625 MW | To-92 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.000 | 60 v | 600 mA | 50na | PNP | 600mv @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 150 mA, 10V | 200 MHz | |||||||
![]() | BC55PAS, 115 | - - - | ![]() | 7935 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | ||||||||||||||||||||||
![]() | 2DC4617S-7-F | 0,3900 | ![]() | 26 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-523 | 2DC4617 | 150 MW | SOT-523 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 150 Ma | 100NA (ICBO) | Npn | 400mv @ 5ma, 50 mA | 270 @ 1ma, 6v | 180 MHz | ||||||
![]() | FJC1963RTF | - - - | ![]() | 6310 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | FJC19 | 500 MW | SOT-89-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 4.000 | 30 v | 3 a | 500NA | Npn | 450 MV @ 150 Ma, 1,5a | 180 @ 500 mA, 2V | - - - | |||||||
2n2641 | - - - | ![]() | 7769 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - - - | Schüttgut | Veraltet | - - - | K. Loch | Bis 78-6 Metalldose | 2n264 | 600 MW | To-78-6 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 45 V | 30 ma | - - - | 2 NPN (Dual) | - - - | 50 @ 10 µa, 5 V | 40 MHz | |||||||
![]() | BC556B, 112 | - - - | ![]() | 6425 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | BC55 | 500 MW | To-92-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 1.000 | 65 V | 100 ma | 15NA (ICBO) | PNP | 650 mv @ 5ma, 100 mA | 220 @ 2MA, 5V | 100 MHz | ||||||
![]() | CP588-HBC556B-CM | - - - | ![]() | 3503 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | CP588 | Tablett | Veraltet | - - - | Oberflächenhalterung | Sterben | Sterben | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 1514-CP588-HBC556B-CM | Veraltet | 1 | - - - | - - - | - - - | |||||||||||||
![]() | 2SC3646S-P-TD-E | - - - | ![]() | 1038 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | - - - | Oberflächenhalterung | To-243aa | 2SC3646 | 500 MW | PCP | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 1.000 | 100 v | 1 a | 100NA (ICBO) | Npn | 400mv @ 40 mA, 400 mA | 140 @ 100 mA, 5V | 120 MHz | ||||||
![]() | 2SA1344-TB-E | 0,0600 | ![]() | 60 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | |||||||||||||||||||
![]() | 2N6426 pbfree | 0,1623 | ![]() | 3079 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - - - | Tasche | Aktiv | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) | To-92-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.500 | ||||||||||||||||
![]() | NJVMJD44H11RLG-VF01 | - - - | ![]() | 7006 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | NJVMJD44 | 1,75 w | Dpak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.800 | 80 v | 8 a | 1 µA | Npn | 1v @ 400 mA, 8a | 40 @ 4a, 1V | 85 MHz | ||||||
![]() | Jan2n2920u/tr | 43.2250 | ![]() | 8567 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/355 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-smd, Keine Frotung | 2n2920 | 350 MW | 3-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jan2N2920U/Tr | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 60 v | 30 ma | 10 µA (ICBO) | 2 NPN (Dual) | 300 mV @ 100 µA, 1 mA | 300 @ 1ma, 5v | - - - | ||||||
![]() | BD772-Y-TP | 0,1596 | ![]() | 1737 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | BD772 | 500 MW | SOT-89 | Herunterladen | 353-BD772-Y-TP | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 30 v | 3 a | 10 µA | PNP | 500mv @ 200 Ma, 2a | 60 @ 1a, 2v | 80MHz | ||||||||
![]() | DDTC144EE-7 | - - - | ![]() | 6955 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | SOT-523 | DDTC144 | 150 MW | SOT-523 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 68 @ 5ma, 5v | 250 MHz | 47 Kohms | 47 Kohms | |||||
![]() | BFG540/XR, 215 | - - - | ![]() | 3122 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-143R | BFG54 | 400 MW | SOT-143R | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | - - - | 15 v | 120 Ma | Npn | 100 @ 40 mA, 8v | 9GHz | 1,3 dB ~ 2,4 dB bei 900 MHz | ||||||
![]() | JantX2N335a | - - - | ![]() | 6345 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-205aa, bis 5-3 Metalldose | To-5 | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | 0000.00.0000 | 1 | 45 V | 10 ma | - - - | Npn | - - - | - - - | - - - | ||||||||||
BC550B B1G | - - - | ![]() | 6676 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Schüttgut | Veraltet | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) | BC550 | 500 MW | To-92 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 5.000 | 45 V | 100 ma | 15NA (ICBO) | Npn | - - - | 200 @ 2MA, 5V | - - - | |||||||
![]() | PMD16K100 | 2.6000 | ![]() | 50 | 0.00000000 | Solid State Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | - - - | K. Loch | To-204aa, to-3 | To-3 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | 2383-PMD16K100 | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 100 v | 20 a | - - - | NPN - Darlington | - - - | - - - | - - - | |||||||
![]() | JantX2N5303 | 164.2949 | ![]() | 4240 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/456 | Schüttgut | Aktiv | - - - | K. Loch | To-204aa, to-3 | 2n5303 | 5 w | To-3 (to-204aa) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 v | 20 a | 10 µA | Npn | 2v @ 4a, 20a | 15 @ 10a, 2v | - - - | ||||||
![]() | RN2408, LXHF | 0,3400 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | RN2408 | 200 MW | S-mini | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 80 @ 10ma, 5V | 200 MHz | 22 Kohms | 47 Kohms | |||||||
![]() | KSC2328AOBU | 0,0500 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 Langer Körper | 1 w | To-92-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Ear99 | 8541.29.0075 | 6,107 | 30 v | 2 a | 100NA (ICBO) | Npn | 2v @ 30 mA, 1,5a | 100 @ 500 mA, 2V | 120 MHz | |||||||||
![]() | Sxta42ta | 0,4600 | ![]() | 22 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | SXTA42 | 1 w | SOT-89-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 300 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | Npn | 500 mv @ 2MA, 20 mA | 40 @ 30 ma, 10V | 50 MHz | ||||||
![]() | RN1701JE (TE85L, F) | 0,4700 | ![]() | 12 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOT-553 | RN1701 | 100 MW | ESV | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0095 | 4.000 | 50V | 100 ma | 100NA (ICBO) | 2 NPN - Voreingensmen (Dual) (Emitter Gekoppelt) | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 30 @ 10ma, 5v | 250 MHz | 4.7kohm | 4.7kohm | ||||||
![]() | DDTC125TCA-7 | 0,1000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | * | Band & Rollen (TR) | Aktiv | DDTC125 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
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