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Bipolar (BJT) (35082)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Gewinnen | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) | RAUSCHFIGUR (DB Typ @ f) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Mun5312DW1T2G | 0,2800 |  | 9 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | Mun5312 | 385 MW | SC-88/SC70-6/SOT-363 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50V | 100 ma | 500NA | 1 NPN, 1 PNP - Voreingenben (Dual) | 250 mV @ 300 µA, 10 mA | 60 @ 5ma, 10V | - - - | 22kohm | 22kohm | |||||
 | PBSS5130PAP-QX | 0,2048 | | 5056 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-UFDFN exponiert Pad | PBSS5130 | 370 MW | 6-Ehemann (2x2) | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1727-PBSS5130PAP-QXTR | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 30V | 1a | 100NA (ICBO) | 2 PNP (Dual) | 280 mv @ 50 Ma, 1a | 250 @ 100 mA, 2V | 125 MHz | ||||||
 | BCX54TF | 0,4000 | | 12 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | BCX54 | 500 MW | SOT-89 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 4.000 | 45 V | 1 a | 100NA (ICBO) | Npn | 500 mv @ 50 mA, 500 mA | 63 @ 150 mA, 2V | - - - | ||||||
 | EMH51T2R | 0,3900 | | 8 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | EMH51 | 150 MW | EMT6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 8.000 | 50V | 100 ma | 500NA | 2 NPN - Voresingenben (Dual) | 150 mV @ 500 µA, 5 mA | 60 @ 5ma, 10V | 250 MHz | 22kohm | 22kohm | |||||
 | SBCW72LT1G | 0,1900 | | 5 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SBCW72 | 300 MW | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 45 V | 100 ma | 100NA (ICBO) | Npn | 250 mV @ 500 µA, 10 mA | 200 @ 2MA, 5V | 300 MHz | ||||||
 | 2SB1508R | 1.0300 | | 2 | 0.00000000 | Sanyo | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||
| Pumd48/zlz | - - - | | 6020 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - - - | Schüttgut | Veraltet | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | Pumd48 | 300 MW | 6-tssop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Veraltet | 0000.00.0000 | 1 | 50V | 100 ma | 1 µA | 1 NPN, 1 PNP - Voreingenben (Dual) | 150 mV @ 500 µA, 10 mA | 80 @ 5ma, 5v / 100 @ 10 mA, 5 V. | 230 MHz, 180 MHz | 47kohms, 2.2kohms | 47kohm | |||||
 | 2SC4738-y, lf | 0,2000 | | 8 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 125 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | 2SC4738 | 100 MW | SSM | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 v | 150 Ma | 100NA (ICBO) | Npn | 250mv @ 10 mA, 100 mA | 120 @ 2MA, 6V | 80MHz | |||||||
 | IMH20TR1G | 0,1063 | | 5046 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-74, SOT-457 | IMH20 | 300 MW | SC-74R | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 15 v | 600 mA | - - - | 2 NPN - Voresingenben (Dual) | 80 MV @ 2,5 mA, 50 mA | 100 @ 50 Ma, 5V | - - - | 2.2ko | - - - | |||||
| KSE182PWD | - - - | | 8311 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | - - - | - - - | KSE18 | 1,5 w | - - - | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 80 v | 3 a | 100NA (ICBO) | Npn | 1,7 V @ 600 Ma, 3a | 50 @ 100 mA, 1V | 500 MHz | |||||||
 | 2SC3851 | 0,7420 | | 5213 | 0.00000000 | DITEC -halbleiter | - - - | Rohr | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | 25 w | Ito-220f | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | 8541.10.0000 | 50 | 60 v | 4 a | 100 µA (ICBO) | Npn | 500mv @ 200 Ma, 2a | 40 @ 1a, 4V | 15 MHz | ||||||||
| CP388X-2N2919-CT | - - - | | 3301 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - - - | Tablett | Aktiv | - - - | Oberflächenhalterung | Sterben | 600 MW | Sterben | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 1514-CP388X-2N2919-CT | Ear99 | 8541.21.0095 | 400 | 60 v | 30 ma | - - - | 350 mV @ 100 µA, 1 mA | 60 @ 10 µA, 5 V | ||||||||
 | BC817K16WH6327XTSA1 | - - - | | 9524 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Lets Kaufen | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | BC817 | 250 MW | Pg-SOT323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 45 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | Npn | 700 mv @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 100 mA, 1V | 170 MHz | ||||||
 | SMUN5215T1G | 1.0000 | | 8891 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 2156-Smun5215T1G-600039 | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | |||||||||||||||||||
 | 2SC3583-T1B-A | 0,4200 | | 116 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 200 MW | SOT23-3 (to-236) | Herunterladen | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 13 dB | 10V | 65 Ma | Npn | 50 @ 20 mA, 8v | 9GHz | 1,2 dB @ 1 GHz | ||||||||||
| 2CGA201A-MSCL | 56.1600 | | 6202 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-2CGA201A-MSCL | 1 | ||||||||||||||||||||||
 | PBSS4032SN, 115 | - - - | | 5706 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | PBSS4032SN | 2.3W | 8-so | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 30V | 5.7a | 100na | 2 NPN (Dual) | 450 MV @ 300 Ma, 6a | 250 @ 2a, 2v | 140 MHz | ||||||
| Pumh15,115 | - - - | | 2531 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Pumh15 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | |||||||||||||||||||
 | 2SA2161G0L | - - - | | 1979 | 0.00000000 | Panasonische Elektronische Komponenten | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 125 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-89, SOT-490 | 2SA2161 | 125 MW | Ssmini3-f3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 12 v | 500 mA | 100NA (ICBO) | PNP | 250mv @ 10ma, 200 mA | 270 @ 10ma, 2v | 200 MHz | ||||||||
| JANS2N3439U4/Tr | - - - | | 1756 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jans2N3439U4/Tr | 1 | |||||||||||||||||||||
 | 2N4264 pbfree | 0,2805 | | 1221 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) | 625 MW | To-92 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.500 | 15 v | 200 ma | - - - | Npn | 350 mv @ 10 mA, 100 mA | 40 @ 30 Ma, 1V | 350 MHz | |||||||
 | Pdta114eqaz | 0,0501 | | 7956 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 3-xdfn exponiert Pad | PDTA114 | 280 MW | DFN1010D-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 934069146147 | Ear99 | 8541.21.0075 | 5.000 | 50 v | 100 ma | 1 µA | PNP - VoreInensmen | 150 mV @ 500 µA, 10 mA | 30 @ 5ma, 5v | 180 MHz | 10 Kohms | 10 Kohms | ||||
| CZT5401E TR | - - - | | 4014 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | 2 w | SOT-223 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 220 V | 600 mA | 50na | PNP | 500mv @ 5ma, 50 mA | 60 @ 10ma, 5V | 300 MHz | ||||||||
| CP647-MJ11015-WN | - - - | | 7213 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - - - | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Sterben | CP647 | Sterben | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0040 | 1 | 120 v | 30 a | 1ma | PNP - Darlington | 4v @ 300 mA, 30a | 200 @ 30a, 5V | - - - | |||||||
 | MPSA44 | 0,0580 | | 64 | 0.00000000 | DITEC -halbleiter | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) | 625 MW | To-92 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | 2796-MPSA44TR | 8541.21.0000 | 4.000 | 400 V | 300 ma | 100NA (ICBO) | Npn | 750 mv @ 5ma, 50 mA | 50 @ 10 ma, 10V | - - - | |||||||
 | BC858B, 215 | 0,1400 | | 69 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BC858 | 250 MW | To-236ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 30 v | 100 ma | 15NA (ICBO) | PNP | 650 mv @ 5ma, 100 mA | 220 @ 2MA, 5V | 100 MHz | ||||||
 | 2pd601asl, 235 | - - - | | 7114 | 0.00000000 | NXP -halbleiter | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 2pd601 | 250 MW | To-236ab | Herunterladen | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 50 v | 100 ma | 10NA (ICBO) | Npn | 250mv @ 10 mA, 100 mA | 290 @ 2MA, 10V | 100 MHz | |||||||||
| PBLS6003D-QX | 0,1062 | | 3942 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-74, SOT-457 | PBLS6003 | 200 MW, 250 MW | 6-tsop | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1727-PBLS6003D-QXTR | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V, 60 V | 100 mA, 700 mA | 1 µA, 100NA | 1 NPN Voreingensmen, 1 PNP | 150 mV @ 500 µA, 10 mA / 340 mV @ 100 mA, 1a | 30 @ 5ma, 5v / 200 @ 1ma, 5v | 185 MHz | 10kohm | 10kohm | |||||
| EMF8T2R | 0,1506 | | 1071 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | EMF8T2 | 150 MW | EMT6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 8.000 | 50 V, 12 V | 100 mA, 500 mA | 500NA | 1 NPN Voreingensmen, 1 NPN | 300 mV @ 500 µA, 10 mA / 250 mV @ 10 mA, 200 mA | 68 @ 5MA, 5V / 270 @ 10ma, 2V | 250 MHz, 320 MHz | 47kohm | 47kohm | |||||
 | PDTC114YU, 115 | 0,0200 | | 17 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | PDTC114 | 200 MW | SOT-323 | Herunterladen | Ear99 | 8541.21.0075 | 17.125 | 50 v | 100 ma | 1 µA | NPN - VORGEPANNT | 100 mv @ 250 ua, 5 mA | 100 @ 5ma, 5v | 230 MHz | 10 Kohms | 47 Kohms |
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