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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
DTC144EUA | 0,0200 | ![]() | 300 | 0.00000000 | Yangjie -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | DTC144 | 200 MW | SOT-323 | - - - | ROHS -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 4617-DTC144EUATR | Ear99 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | NPN - VoreInenememen + Diode | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 68 @ 5ma, 5v | 250 MHz | 47 Kohms | ||||||
![]() | BF517E6327HTSA1 | - - - | ![]() | 2759 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BF517 | 280 MW | Pg-SOT23 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 15 v | 25 ma | 10 µA (ICBO) | Npn | 400mv @ 1ma, 10 mA | 40 @ 2MA, 1V | 2,5 GHz | |||||
![]() | 2SD1803S-H | 0,9400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa | 2SD1803 | 1 w | Tp | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 500 | 50 v | 5 a | 1 µA (ICBO) | Npn | 400 MV @ 150 mA, 3a | 140 @ 500 mA, 2V | 180 MHz | ||||
![]() | 2N3906BU | 0,3600 | ![]() | 32 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) | 2N3906 | 625 MW | To-92-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | 40 v | 200 ma | - - - | PNP | 400mv @ 5ma, 50 mA | 100 @ 10 Ma, 1V | 250 MHz | ||||
![]() | 2SA1523 | 0,0900 | ![]() | 4158 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 500 | |||||||||||||||||
![]() | 2SD1816S-TL-H | 0,8400 | ![]() | 691 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | 2SD1816 | 1 w | Tp-fa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 700 | 100 v | 4 a | 1 µA (ICBO) | Npn | 400mv @ 200 Ma, 2a | 140 @ 500 mA, 5V | 180 MHz | ||||
![]() | BC858C RFG | 0,0343 | ![]() | 4999 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BC858 | 200 MW | SOT-23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 30 v | 100 ma | 100NA (ICBO) | PNP | 650 mv @ 5ma, 100 mA | 420 @ 2MA, 5V | 100 MHz | ||||
![]() | FJP3307DH2TU | 0,1700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | 80 w | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Ear99 | 8541.29.0095 | 200 | 400 V | 8 a | - - - | Npn | 3v @ 2a, 8a | 26 @ 2a, 5V | - - - | |||||||
![]() | MMBTA42_R1_00001 | 0,1900 | ![]() | 195 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MMBTA42 | 250 MW | SOT-23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 3757-MMBTA42_R1_00001TR | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 300 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | Npn | 500 mv @ 2MA, 20 mA | 40 @ 30 ma, 10V | 50 MHz | |||
![]() | KSC1008cyta | 0,4400 | ![]() | 24 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | KSC1008 | 800 MW | To-92-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | 60 v | 700 Ma | 100NA (ICBO) | Npn | 400 mv @ 50 mA, 500 mA | 120 @ 50 Ma, 2V | 50 MHz | ||||
DCP54-16-13 | - - - | ![]() | 7708 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | DCP54 | 1 w | SOT-223-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.500 | 45 V | 1 a | 100NA (ICBO) | Npn | 500 mv @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 150 mA, 2V | 200 MHz | |||||
![]() | BC807-16-AU_R1_000A1 | 0,2100 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BC807 | 330 MW | SOT-23 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 3757-BC807-16-Au_R1_000A1DKR | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 45 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | PNP | 700 mv @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 100 mA, 1V | 100 MHz | |||
![]() | FZ1800R16KF4S1NOSA1 | 1.0000 | ![]() | 4921 | 0.00000000 | Infineon -technologien | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | Cmpta42 tr | 0,5500 | ![]() | 1519 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 350 MW | SOT-23 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 300 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | Npn | 500 mv @ 2MA, 20 mA | 40 @ 30 ma, 10V | 50 MHz | ||||||
![]() | BCP55-16-AQ | 0,1499 | ![]() | 4116 | 0.00000000 | DITEC -halbleiter | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 2 w | SOT-223 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | 2796-BCP55-16-Aqtr | 8541.29.0000 | 4.000 | 60 v | 1 a | Npn | 500 V @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 150 mA, 2V | 100 MHz | ||||||||
![]() | KST5087MTF | - - - | ![]() | 9487 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Veraltet | - - - | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 350 MW | SOT-23-3 | - - - | Rohs Nick Konform | Verkäfer undefiniert | 2156-KST5087MTF-600039 | 1 | 50 v | 50 ma | 50na (ICBO) | PNP | 300 mV @ 1ma, 10 mA | 250 @ 10ma, 5V | 40 MHz | |||||||
![]() | 2SD1111-AA | 0,1200 | ![]() | 111 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) | 600 MW | 3-NP | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 50 v | 700 Ma | 100NA (ICBO) | NPN - Darlington | 1,2 V @ 100 µA, 100 mA | 5000 @ 50 Ma, 2V | 200 MHz | |||||
![]() | BC55PAS, 115 | - - - | ![]() | 7935 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | BD680ASTU | 0,3000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-225aa, to-126-3 | 14 w | To-126-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | 80 v | 4 a | 500 ähm | PNP - Darlington | 2,8 V @ 40 Ma, 2a | 750 @ 2a, 3v | - - - | |||||
![]() | 2N5143 | - - - | ![]() | 6238 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - - - | Schüttgut | Veraltet | - - - | K. Loch | To-222aa, to-105-3 Gewölbt | To-105 | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Veraltet | 0000.00.0000 | 2.500 | 20 v | 50na (ICBO) | PNP | 500mv @ 5ma, 50 mA | 30 @ 50 Ma, 1V | 100 MHz | ||||||||
![]() | NTE32 | 2.2400 | ![]() | 2257 | 0.00000000 | NTE Electronics, Inc. | - - - | Tasche | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 Langer Körper | 900 MW | To-92l | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Informationser Ereichen Auf und Freage Verflügbar | 2368-NTE32 | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 160 v | 1 a | 1 µA (ICBO) | PNP | 1,5 V @ 50 Ma, 500 mA | 100 @ 200 Ma, 5V | 15 MHz | ||||
![]() | Dta114y | 0,0200 | ![]() | 70 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | Dta114 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | ||||||||||||||||
![]() | BC807K-16,215 | - - - | ![]() | 7856 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||
![]() | 2SC4632LS-RA11 | - - - | ![]() | 6056 | 0.00000000 | Sanyo | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | FJN4303RBU | - - - | ![]() | 5253 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) | FJN430 | 300 MW | To-92-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 1.000 | 50 v | 100 ma | 100NA (ICBO) | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 56 @ 5ma, 5V | 200 MHz | 22 Kohms | 22 Kohms | ||||
![]() | CP245-MJE15028-CT | - - - | ![]() | 1395 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | CP245 | Tablett | Veraltet | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Sterben | Sterben | - - - | 1 (unbegrenzt) | 1514-CP245-MJE15028-CT | Veraltet | 1 | 120 v | 8 a | 100 µA | 500mv @ 100 mA, 1a | 40 @ 3a, 2v | 30 MHz | |||||||||
![]() | 2SD1835-BP | - - - | ![]() | 7382 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) | 2SD1835 | 750 MW | To-92 | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 353-2SD1835-BP | Ear99 | 8541.21.0075 | 1.000 | 50 v | 2 a | 100NA (ICBO) | Npn | 400mv @ 50 mA, 1a | 100 @ 100 mA, 2V | 150 MHz | ||||
![]() | RN2117 (TE85L, F) | 0,3900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | RN2117 | 100 MW | SSM | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 30 @ 10ma, 5v | 200 MHz | 10 Kohms | 4.7 Kohms | |||||
![]() | PEMD12,115 | 0,0700 | ![]() | 4 | 0.00000000 | NXP -halbleiter | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 2156-PEMD12,115-954 | 4.699 | |||||||||||||||||||
![]() | RN1903, LXHF (CT | 0,3600 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | RN1903 | 200 MW | US6 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50V | 100 ma | 500NA | 2 NPN - Voresingenben (Dual) | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 70 @ 10ma, 5V | 250 MHz | 22kohm | 22kohm |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
Weltweite Hersteller
Lagerhaus