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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Gewinnen | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) | RAUSCHFIGUR (DB Typ @ f) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | HFA3046B | 1.0000 | ![]() | 2825 | 0.00000000 | Intersil | - - - | Rohr | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 14-SOIC (0,154 ", 3,90 mm Breit) | 150 MW | 14-soic | Herunterladen | Rohs Nick Konform | Ear99 | 8541.21.0075 | 50 | - - - | 12V | 65 Ma | 5 npn | 40 @ 10ma, 2v | 8GHz | 3,5 dB @ 1 GHz | |||||||||
Jan2N5415s | 9.8154 | ![]() | 7015 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/485 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-205ad, bis 39-3 Metall Kann | 2N5415 | 750 MW | To-39 (bis 205ad) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 200 v | 1 a | 1ma | PNP | 2v @ 5ma, 50 mA | 30 @ 50 Ma, 10 V | - - - | |||||||
![]() | ZTX10470ASTOB | - - - | ![]() | 8800 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | - - - | K. Loch | E-Line-3, Gebildete Leads | 1 w | E-line (bis 92 kompatibel) | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.000 | 10 v | 4 a | 10na | Npn | 185mv @ 10ma, 3a | 300 @ 1a, 2v | 150 MHz | ||||||||
![]() | DCX115EU-7-F-50 | 0,0357 | ![]() | 9220 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | DCX (xxxx) u | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | DCX115 | 200 MW | SOT-363 | Herunterladen | 31-DCX115EU-7-F-50 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50V | 100 ma | 500NA (ICBO) | 1 NPN, 1 PNP - Voreingenben (Dual) | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 82 @ 5MA, 5V | 250 MHz | 100kohm | 100kohm | |||||||
![]() | 2SC4081T106Q | 0,3600 | ![]() | 58 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | 2SC4081 | 200 MW | Umt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 150 Ma | 100NA (ICBO) | Npn | 400mv @ 5ma, 50 mA | 120 @ 1ma, 6v | 180 MHz | ||||||
AC847BWQ-7 | 0,2200 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | AC847 | 200 MW | SOT-323 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 45 V | 100 ma | 20na (ICBO) | Npn | 600mv @ 5ma, 100 mA | 200 @ 2MA, 5V | 300 MHz | |||||||
![]() | EMA3T2R | 0,0801 | ![]() | 6851 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 6-smd (5 Leitungen), Flache Blei | EMA3T2 | 150 MW | EMT5 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 8.000 | 50V | 100 ma | 500NA (ICBO) | 2 PNP - Voreeinnensmen (Dual) (Emitter Gekoppelt) | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 100 @ 1ma, 5V | 250 MHz | 4.7kohm | - - - | |||||
Fmmt619ta | 0,4800 | ![]() | 38 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Fmmt619 | 625 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 2 a | 100na | Npn | 220 MV @ 50 Ma, 2a | 200 @ 1a, 2v | 165 MHz | |||||||
KSH200TF | - - - | ![]() | 9587 | 0.00000000 | Onsemi | * | Band & Rollen (TR) | Veraltet | KSH20 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | |||||||||||||||||||
![]() | MJE802 | - - - | ![]() | 1092 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | - - - | Rohr | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-225aa, to-126-3 | MJE802 | 40 w | SOT-32 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 80 v | 4 a | 100na | NPN - Darlington | 3v @ 40 mA, 4a | 750 @ 1,5a, 3V | - - - | ||||||
![]() | MMBT3906LT1 | 0,0200 | ![]() | 9413 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | - - - | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MMBT3906 | 225 MW | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 40 v | 200 ma | - - - | PNP | 400mv @ 5ma, 50 mA | 100 @ 10 Ma, 1V | 250 MHz | ||||||
BD437G | 0,9200 | ![]() | 8271 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-225aa, to-126-3 | BD437 | 36 w | To-126 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | 45 V | 4 a | 100 µA (ICBO) | Npn | 800mv @ 300 mA, 3a | 85 @ 500 mA, 1V | 3MHz | |||||||
DDTC144GUA-7-F | 0,0435 | ![]() | 9866 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | DDTC (R2-Seery) ua | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | DDTC144 | 200 MW | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ddtc144gua-fdict | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA (ICBO) | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 68 @ 5ma, 5v | 250 MHz | 47 Kohms | ||||||
![]() | NST45010MW6T1G | 0,4700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | NST45010 | 380 MW | SC-88/SC70-6/SOT-363 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 45 V | 100 ma | 15NA (ICBO) | 2 PNP (Dual) Matchieres Paar | 650 mv @ 5ma, 100 mA | 220 @ 2MA, 5V | 100 MHz | ||||||
![]() | 2SC5201, T6muraf (j | - - - | ![]() | 3172 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 Langer Körper | 2SC5201 | 900 MW | To-92mod | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 600 V | 50 ma | 1 µA (ICBO) | Npn | 1V @ 500 mA, 20 mA | 100 @ 20 Ma, 5V | - - - | ||||||||
![]() | 2N5415U4 | 91.9350 | ![]() | 3974 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-smd, Keine Frotung | 1 w | U4 | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-2N5415U4 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 200 v | 1 a | 50 µA | PNP | 2v @ 5ma, 50 mA | 30 @ 50 Ma, 10 V | - - - | ||||||||
![]() | KSD261CGTA | 0,0300 | ![]() | 163 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) | 500 MW | To-92-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | 20 v | 500 mA | 100NA (ICBO) | Npn | 400 mv @ 50 mA, 500 mA | 200 @ 100ma, 1V | - - - | |||||||
![]() | BCY89 | 30.3107 | ![]() | 7993 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Schüttgut | Aktiv | Bcy8 | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-BCy89 | 1 | |||||||||||||||||||||
Fmmt718ta-50 | 0,0852 | ![]() | 9862 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Fmmt718 | 625 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | 31-FMMT718ta-50 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 20 v | 1,5 a | 100na | PNP | 220 MV @ 50 Ma, 1,5a | 300 @ 100 mA, 2 V | 180 MHz | |||||||||
![]() | 2SA1405E | - - - | ![]() | 4555 | 0.00000000 | Sanyo | * | Schüttgut | Veraltet | - - - | Rohs Nick Konform | Verkäfer undefiniert | 2156-2SA1405E-600057 | 1 | |||||||||||||||||||||
![]() | 2SCR375P5T100Q | 0,6600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | 2SCR375 | 500 MW | Mpt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 1.000 | 120 v | 1,5 a | 1 µA (ICBO) | Npn | 300mv @ 80 mA, 800 mA | 120 @ 200 Ma, 5V | 200 MHz | ||||||
PMBT3906,235 | 0,1300 | ![]() | 91 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | PMBT3906 | 250 MW | To-236ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | 40 v | 200 ma | 50na (ICBO) | PNP | 400mv @ 5ma, 50 mA | 100 @ 10 Ma, 1V | 250 MHz | |||||||
![]() | BCR129E6327HTSA1 | 0,0495 | ![]() | 9791 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Lets Kaufen | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BCR129 | 200 MW | Pg-SOT23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 100NA (ICBO) | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 120 @ 5MA, 5V | 150 MHz | 10 Kohms | ||||||
![]() | PDTC144EQBZ | 0,2700 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung, Benetzbare Flanke | 3-xdfn exponiert Pad | PDTC144 | 340 MW | DFN1110D-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 5.000 | 50 v | 100 ma | 100na | PNP - VoreInensmen | 100 mV @ 500 µA, 10 mA | 80 @ 5ma, 5V | 180 MHz | 47 Kohms | 47 Kohms | |||||
![]() | 2N5430 | 28.1900 | ![]() | 74 | 0.00000000 | NTE Electronics, Inc. | - - - | Tasche | Aktiv | - - - | K. Loch | To-213aa, to-66-2 | 40 w | To-66 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 2368-2N5430 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 100 v | 7 a | - - - | Npn | - - - | - - - | 30 MHz | ||||||||
![]() | SCBCP56-10T1G | - - - | ![]() | 1838 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | 1,5 w | SOT-223 (to-261) | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | 2156-SCBCP56-10T1G | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 80 v | 1 a | 100NA (ICBO) | Npn | 500 mv @ 50 mA, 500 mA | 63 @ 150 mA, 2V | 130 MHz | |||||||
![]() | 2N3764 | 21.0938 | ![]() | 1859 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 200 ° C. | K. Loch | To-206ab, bis 46-3 Metall Kann | 2N3764 | 1 w | To-46 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 40 v | 1,5 a | 100na | PNP | 900mv @ 100 mA, 1a | 30 @ 1,5a, 5V | - - - | |||||||
![]() | PHPT61006PYX | 0,6500 | ![]() | 4273 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-100, SOT-669 | PHPT61006 | 1,3 w | LFPAK56, Power-SO8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.500 | 100 v | 6 a | 100na | PNP | 130 mV @ 50 Ma, 1a | 170 @ 500 mA, 2V | 116 MHz | ||||||
![]() | FJPF13009TU | - - - | ![]() | 5746 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | FJPF13009 | 50 w | To-220f-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 400 V | 12 a | - - - | Npn | 3v @ 3a, 12a | 8 @ 5a, 5V | 4MHz | |||||||
![]() | 2SC5488-tl-e | - - - | ![]() | 1369 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | - - - | Oberflächenhalterung | SOT-623F | 2SC5488 | 3-SSFP | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 8.000 | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
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