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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | NST3904DXV6T5G | 0,4200 | ![]() | 14 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | NST3904 | 500 MW | SOT-563 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 8.000 | 40V | 200 ma | - - - | 2 NPN (Dual) | 300mv @ 5ma, 50 mA | 100 @ 10 Ma, 1V | 300 MHz | ||||
![]() | EMX1T2R | 0,4000 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | EMX1T2 | 150 MW | EMT6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 8.000 | 50V | 150 Ma | 100NA (ICBO) | 2 NPN (Dual) | 400mv @ 5ma, 50 mA | 120 @ 1ma, 6v | 180 MHz | ||||
![]() | BC847C | 1.0000 | ![]() | 6929 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 250 MW | SOT23-3 (to-236) | Herunterladen | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 45 V | 100 ma | 15NA (ICBO) | Npn | 600mv @ 5ma, 100 mA | 420 @ 2MA, 5V | 300 MHz | ||||||||
![]() | DVR3V3W-7 | - - - | ![]() | 8909 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | DVR3V3 | 200 MW | SOT-363 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 18 v | 1 a | 1 µA (ICBO) | NPN + Zener Diode (Isolier) | 500mv @ 30 mA, 300 mA | 150 @ 100 mA, 1V | 100 MHz | |||||
![]() | MCH6101-tl-e | - - - | ![]() | 5524 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-smd, Flache Leitungen | MCH6101 | 1 w | 6-mcph | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 3.000 | 15 v | 1,5 a | 100NA (ICBO) | PNP | 180 mv @ 15ma, 750 mA | 200 @ 100 Ma, 2V | 430 MHz | ||||
![]() | DTD113ZUT106 | 0,4700 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | DTD113 | 200 MW | Umt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 500 mA | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 2,5 mA, 50 mA | 82 @ 50 Ma, 5V | 200 MHz | 1 Kohms | 10 Kohms | |||
![]() | BC847BLP-7B | 0,3700 | ![]() | 802 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-Ufdfn | BC847 | 250 MW | X1-DFN1006-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | 45 V | 100 ma | 15NA (ICBO) | Npn | 600mv @ 5ma, 100 mA | 200 @ 2MA, 5V | 100 MHz | ||||
2SB772 | - - - | ![]() | 1581 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | - - - | Rohr | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-225aa, to-126-3 | 2SB7 | 12,5 w | SOT-32-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 497-4829-5 | Ear99 | 8541.29.0075 | 50 | 30 v | 3 a | 100 µA | PNP | 1,1 V @ 150 mA, 3a | 100 @ 100 mA, 2V | 100 MHz | ||||
![]() | 2SB1548AP | - - - | ![]() | 5837 | 0.00000000 | Panasonische Elektronische Komponenten | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | 2SB154 | 2 w | To-220d-a1 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0075 | 500 | 80 v | 3 a | 300 µA | PNP | 1,2 V @ 375 Ma, 3a | 120 @ 1a, 4V | 30 MHz | ||||||
![]() | DDTA114TKA-7-F | - - - | ![]() | 2661 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DDTA114 | 200 MW | SC-59-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA (ICBO) | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 100 µA, 1 mA | 100 @ 1ma, 5V | 250 MHz | 10 Kohms | ||||
Jan2N335AT2 | - - - | ![]() | 2061 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-205ad, bis 39-3 Metall Kann | To-39 (bis 205ad) | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | 0000.00.0000 | 1 | 45 V | 10 ma | - - - | Npn | - - - | - - - | - - - | |||||||||
![]() | KSE170STU | - - - | ![]() | 7652 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-225aa, to-126-3 | KSE17 | 1,5 w | To-126-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 60 | 40 v | 3 a | 100NA (ICBO) | PNP | 1,7 V @ 600 Ma, 3a | 50 @ 100 mA, 1V | 50 MHz | |||||
![]() | 2N4924 | 0,5330 | ![]() | 50 | 0.00000000 | Solid State Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-205ad, bis 39-3 Metall Kann | 1 w | To-39 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | 2383-2N4924 | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 100 v | 200 ma | 100NA (ICBO) | Npn | 400mv @ 5ma, 50 mA | 40 @ 150 mA, 10V | 500 MHz | ||||
![]() | 2pc1815gr, 412 | - - - | ![]() | 5581 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Rohr | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | 2pc18 | 500 MW | To-92-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1.000 | 50 v | 150 Ma | 100NA (ICBO) | Npn | 300mv @ 10 mA, 100 mA | 200 @ 2ma, 6v | 80MHz | ||||
![]() | NTE387 | 37.6000 | ![]() | 20 | 0.00000000 | NTE Electronics, Inc. | - - - | Tasche | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-204aa, to-3 | 250 w | To-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 2368-NTE387 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 150 v | 50 a | 50 µA | Npn | 3v @ 10a, 50a | 50 @ 1a, 4V | 30 MHz | ||||||
BC860BW, 115 | 0,0200 | ![]() | 108 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | 200 MW | SOT-323 | Herunterladen | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 45 V | 100 ma | 15NA (ICBO) | PNP | 650 mv @ 5ma, 100 mA | 220 @ 2MA, 5V | 100 MHz | |||||||||
![]() | 2SA673AB-E | 0,3700 | ![]() | 11 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||
![]() | 2SC2274KF-AA | 0,0900 | ![]() | 16 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | |||||||||||||||||
![]() | Jan2n5794a | 105.1208 | ![]() | 7946 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/495 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | Bis 78-6 Metalldose | 2n5794 | 600 MW | To-78-6 | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 40V | 600 mA | 10 µA (ICBO) | 2 NPN (Dual) | 900mv @ 30 mA, 300 mA | 100 @ 150 mA, 10V | - - - | |||||
BC807-25-7-F | 0,3500 | ![]() | 50 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BC807 | 310 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 45 V | 500 mA | 100na | PNP | 700 mv @ 50 mA, 500 mA | 160 @ 100 mA, 1V | 100 MHz | |||||
![]() | 2SC39400SA | - - - | ![]() | 3763 | 0.00000000 | Panasonische Elektronische Komponenten | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 Langer Körper | 2SC3940 | 1 w | To-92nl-a1 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0075 | 3.000 | 25 v | 1 a | 100NA (ICBO) | Npn | 400 mv @ 50 mA, 500 mA | 170 @ 500 mA, 10V | 200 MHz | ||||||
![]() | 2N4211 | 707.8500 | ![]() | 7520 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Bolzenhalterung | To-211mb, to-63-4, Stud | 100 w | To-63 | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-2N4211 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 v | 20 a | - - - | PNP | - - - | - - - | - - - | ||||||
![]() | 2SA1952-TP | - - - | ![]() | 9585 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | 2SA1952 | 1 w | D-Pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.500 | 60 v | 5 a | 10 µA (ICBO) | PNP | 500mv @ 200 Ma, 4a | 120 @ 1a, 2v | 80MHz | ||||
![]() | MMPQ2222A | 2.7300 | ![]() | 8841 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 16-soic (0,154 ", 3,90 mm BreiTe) | MMPQ2222 | 1W | 16-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.500 | 40V | 500 mA | 10NA (ICBO) | 4 NPN (Quad) | 1v @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 150 mA, 10V | 300 MHz | ||||
![]() | 2N6042G | - - - | ![]() | 6761 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | 2N6042 | 75 w | To-220 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 100 v | 8 a | 20 µA | PNP - Darlington | 2v @ 12 ma, 3a | 1000 @ 3a, 4V | - - - | ||||
![]() | MMBT3906-G | 0,0200 | ![]() | 202 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 200 MW | SOT23-3 (to-236) | Herunterladen | Nicht Anwendbar | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 40 v | 200 ma | 100 µA | PNP | 400mv @ 5ma, 50 mA | 100 @ 10 Ma, 1V | 300 MHz | |||||||
![]() | 60180 | - - - | ![]() | 8885 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - - - | Schüttgut | Veraltet | - - - | Nicht Anwendbar | Veraltet | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | 2N3418 | 18.3939 | ![]() | 2160 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-205aa, bis 5-3 Metalldose | 2N3418 | 1 w | To-5 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 60 v | 3 a | 5 ähm | Npn | 500mv @ 200 Ma, 2a | 20 @ 1a, 2v | - - - | |||||
![]() | 2N4410_D74Z | - - - | ![]() | 4627 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | 2N4410 | 625 MW | To-92-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | 80 v | 200 ma | 10NA (ICBO) | Npn | 200 mv @ 100 ua, 1 mA | 60 @ 10 ma, 1V | - - - | |||||
![]() | BC848B RFG | 0,0343 | ![]() | 4883 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BC848 | 200 MW | SOT-23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 30 v | 100 ma | 100NA (ICBO) | Npn | 500 mV @ 5ma, 100 mA | 200 @ 2MA, 5V | 100 MHz |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
Weltweite Hersteller
Lagerhaus