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Bipolar (BJT) (35082)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Gewinnen Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Strom - Sammler Cutoff (max) Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang Ausflussbasis (R1) Ausfluss - Emitterbasis (R2) RAUSCHFIGUR (DB Typ @ f)
DTB713ZMT2L Rohm Semiconductor DTB713ZMT2L 0,1002
RFQ
 ECAD 3014 0.00000000 Rohm Semiconductor - - - Band & Rollen (TR) Nicht für Designs Oberflächenhalterung SOT-723 DTB713 150 MW VMT3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 8.000 30 v 200 ma 500NA PNP - VoreInensmen 300 mV @ 2,5 mA, 50 mA 140 @ 100 mA, 2V 260 MHz 1 Kohms 10 Kohms
JANS2N4449 Microchip Technology Jans2N4449 80.6704
RFQ
 ECAD 9682 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/317 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-206ab, bis 46-3 Metall Kann 2N4449 360 MW To-46 (to-206ab) - - - Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 1 20 v 400na Npn 450 mV @ 10 mA, 100 mA 20 @ 100 mA, 1V - - -
JANTXV2N3498L Microchip Technology Jantxv2N3498L 16.4654
RFQ
 ECAD 8976 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/366 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-205aa, bis 5-3 Metalldose 2N3498 1 w To-5 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 100 v 500 mA 10 µA (ICBO) Npn 600mv @ 30 mA, 300 mA 40 @ 150 mA, 10V - - -
CMLT5088EM TR PBFREE Central Semiconductor Corp CMLT5088M TR PBFREE 0,7300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Central Semiconductor Corp - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOT-563, SOT-666 CMLT5088 350 MW SOT-563 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 50V 100 ma 50na (ICBO) 2 NPN (Dual) 400mv @ 10 mA, 100 mA 300 @ 10 mA, 5V 100 MHz
JANS2N5153U3 Microchip Technology JANS2N5153U3 202.2102
RFQ
 ECAD 6028 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/545 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 3-smd, Keine Frotung 1,16 w U3 - - - Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 80 v 1 Ma 1ma PNP 1,5 V @ 500 mA, 5a 70 @ 2,5a, 5V - - -
BCX55E6327 Infineon Technologies BCX55E6327 0,0800
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 Infineon -technologien Automobil, AEC-Q101 Schüttgut Aktiv 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-243aa 2 w PG-SOT89-4-2 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 1.000 60 v 1 a 100NA (ICBO) 500 mv @ 50 mA, 500 mA 40 @ 150 mA, 2V 100 MHz
BC 857BT E6327 Infineon Technologies BC 857BT E6327 - - -
RFQ
 ECAD 6856 0.00000000 Infineon -technologien - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SC-75, SOT-416 BC 857 330 MW PG-SC-75 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 45 V 100 ma 15NA (ICBO) PNP 650 mv @ 5ma, 100 mA 220 @ 2MA, 5V 250 MHz
2SB1215S-TL-H onsemi 2SB1215S-TL-H - - -
RFQ
 ECAD 4466 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 2SB1215 1 w Tp-fa Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 700 100 v 3 a 1 µA (ICBO) PNP 500 mV @ 150 mA, 1,5a 140 @ 500 mA, 5V 130 MHz
BC846BPNH-QF Nexperia USA Inc. BC846BPNH-QF 0,0305
RFQ
 ECAD 9264 0.00000000 Nexperia USA Inc. Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 BC846 200 MW 6-tssop Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 10.000 65 V 100 ma 15NA (ICBO) NPN, PNP 300 mV @ 5ma, 100 mA 200 @ 2MA, 5V 100 MHz
PDTC143EMB,315 Nexperia USA Inc. PDTC143EMB, 315 0,2800
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Nexperia USA Inc. Automobil, AEC-Q100 Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung 3-xfdfn PDTC143 250 MW DFN1006B-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 10.000 50 v 100 ma 1 µA NPN - VORGEPANNT 150 mV @ 500 µA, 10 mA 30 @ 10ma, 5v 230 MHz 4.7 Kohms 4.7 Kohms
BC857CMB,315 NXP Semiconductors BC857CMB, 315 0,0200
RFQ
 ECAD 178 0.00000000 NXP -halbleiter Automobil, AEC-Q101 Schüttgut Aktiv 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 3-xfdfn BC857 250 MW DFN1006B-3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 2156-BC857CMB, 315-954 Ear99 8541.21.0075 1 45 V 100 ma 15NA (ICBO) PNP 300 mV @ 500 µA, 10 mA 420 @ 2MA, 5V 100 MHz
HBDM60V600W-7 Diodes Incorporated HBDM60V600W-7 - - -
RFQ
 ECAD 1303 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 HBDM60V600 200 MW SOT-363 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 65 V, 60 V 500 mA, 600 mA 100na NPN, PNP 400mv @ 10 mA, 100 mA / 500mv @ 50 mA, 500 mA 100 @ 100 mA, 1V / 100 @ 150 mA, 10 V. 100 MHz
NSVMUN5312DW1T2G onsemi NSVMUN5312DW1T2G 0,4100
RFQ
 ECAD 9083 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 NSVMUN5312 250 MW SC-88/SC70-6/SOT-363 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 50V 100 ma 500NA 1 NPN, 1 PNP - Voreingenben (Dual) 250 mV @ 300 µA, 10 mA 60 @ 5ma, 10V - - - 22kohm 22kohm
MJD31CJ Nexperia USA Inc. MJD31CJ 0,4700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 MJD31 1,6 w Dpak Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.500 100 v 3 a 1 µA Npn 1,2 V @ 375 Ma, 3a 25 @ 1a, 4V 3MHz
BC856S Diotec Semiconductor BC856S 0,0482
RFQ
 ECAD 8796 0.00000000 DITEC -halbleiter - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 BC856 250 MW SOT-363 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) 2721-BC856str 8541.21.0000 3.000 65 V 100 ma 15NA (ICBO) 2 PNP (Dual) 650 mv @ 5ma, 100 mA 220 @ 2MA, 5V 100 MHz
BD244B Harris Corporation BD244B 0,1900
RFQ
 ECAD 2813 0.00000000 Harris Corporation - - - Rohr Veraltet -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 65 w To-220-3 Herunterladen Rohs Nick Konform Ear99 8541.29.0095 271 80 v 6 a 700 ähm PNP 1,5 V @ 1a, 6a 15 @ 3a, 4V 3MHz
DDTA144GE-7-F Diodes Incorporated DDTA144GE-7-F 0,0605
RFQ
 ECAD 2522 0.00000000 Dioden Eingenbaut Ddta (r2-sery) e Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung SOT-523 DDTA144 150 MW SOT-523 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen DDTA144GE-FDITR Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 500NA (ICBO) PNP - VoreInensmen 300 mV @ 500 µA, 10 mA 68 @ 5ma, 5v 250 MHz 47 Kohms
BCW89,215 Nexperia USA Inc. BCW89,215 0,1900
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 Nexperia USA Inc. Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 BCW89 250 MW To-236ab Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 60 v 100 ma 100NA (ICBO) PNP 150 mV @ 2,5 mA, 50 mA 120 @ 2MA, 5V 150 MHz
2N2221 PBFREE Central Semiconductor Corp 2N2221 pbfree 1.1880
RFQ
 ECAD 4168 0.00000000 Central Semiconductor Corp - - - Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-206aa, to-18-3 Metalldose 1,2 w To-18 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 2.000 30 v 800 mA 10NA (ICBO) Npn 1,6 V @ 50 Ma, 500 mA 40 @ 150 mA, 10V 250 MHz
FJN5471BU onsemi Fjn5471bu - - -
RFQ
 ECAD 5819 0.00000000 Onsemi - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) FJN547 750 MW To-92-3 - - - 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 10.000 20 v 5 a 100NA (ICBO) Npn 500mv @ 100 mA, 3a 700 @ 500 mA, 2 V 150 MHz
S200-50 Microsemi Corporation S200-50 - - -
RFQ
 ECAD 5529 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) Chassis -berg 55HX 320W 55HX Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 12 dB ~ 14,5 dB 110V 30a Npn 10 @ 1a, 5V 1,5 MHz ~ 30 MHz - - -
NSVT3906DXV6T1G onsemi NSVT3906DXV6T1G 0,1154
RFQ
 ECAD 4920 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOT-563, SOT-666 NSVT3906 500 MW SOT-563 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 4.000 40V 200 ma - - - 2 PNP (Dual) 400mv @ 5ma, 50 mA 100 @ 10 Ma, 1V 250 MHz
2C2432 Microchip Technology 2C2432 6.9150
RFQ
 ECAD 7765 0.00000000 Mikrochip -technologie * Schüttgut Aktiv - - - UnberÜHrt Ereichen 150-2C2432 1
2N4387 Microchip Technology 2N4387 55.8750
RFQ
 ECAD 6034 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-213aa, to-66-2 20 w To-66 (to-213aa) - - - UnberÜHrt Ereichen 150-2N4387 Ear99 8541.29.0095 1 40 v 2 a - - - PNP - - - - - - - - -
JAN2N3420S Microchip Technology Jan2N3420S 16.5053
RFQ
 ECAD 3957 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/393 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-205ad, bis 39-3 Metall Kann 2N3420 1 w To-39 (bis 205ad) Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 60 v 3 a 5 ähm Npn 500mv @ 200 Ma, 2a 40 @ 1a, 2v - - -
MMBT4124 onsemi MMBT4124 - - -
RFQ
 ECAD 7141 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 MMBT4124 350 MW SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 25 v 200 ma 50na (ICBO) Npn 300mv @ 5ma, 50 mA 120 @ 2MA, 1V 300 MHz
2N2903A Central Semiconductor Corp 2n2903a - - -
RFQ
 ECAD 2544 0.00000000 Central Semiconductor Corp - - - Schüttgut Veraltet -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch Bis 78-6 Metalldose 2n2903 1.2W To-78-6 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 1 30V 50 ma 10NA (ICBO) 2 NPN (Dual) 1 V @ 500 µA, 5 mA 125 @ 1ma, 5v 60 MHz
1214-150L Microsemi Corporation 1214-150L - - -
RFQ
 ECAD 6228 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Schüttgut Veraltet 200 ° C (TJ) Chassis -berg 55st-1 320W 55st-1 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 1 7.15db ~ 8.7db 65 V 15a Npn 20 @ 1a, 5V 1,2 GHz ~ 1,4 GHz - - -
HN1B04FE-GR,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage HN1B04FE-GR, LXHF 0,4500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOT-563, SOT-666 HN1B04 100 MW Es6 Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0095 4.000 50V 150 Ma 100NA (ICBO) NPN, PNP 250mv @ 10 mA, 100 mA / 300 mv @ 10 mA, 100 mA 200 @ 2ma, 6v 80MHz
PMBT5550,235 Nexperia USA Inc. PMBT5550,235 0,3400
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Nexperia USA Inc. Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 PMBT5550 250 MW To-236ab Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 10.000 140 v 300 ma 50na (ICBO) Npn 250mv @ 5 mA, 50 mA 60 @ 10ma, 5V 300 MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Expositionspad

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