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Bipolar (BJT) (35082)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Gewinnen | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) | RAUSCHFIGUR (DB Typ @ f) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Cyta44d Bk | - - - |  | 3989 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - - - | Schüttgut | Veraltet | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-228 | Cyta44 | 2W | SOT-228 | Herunterladen | 1514-cyta44dbk | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 400V | 300 ma | 500NA | 2 NPN (Dual) | 750 mv @ 5ma, 50 mA | 50 @ 10 ma, 10V | 20MHz | ||||||||
 | JANSD2N3700 | 34.6500 | | 6540 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/391 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-206aa, to-18-3 Metalldose | 500 MW | To-18 (to-206aa) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-JansD2N3700 | 1 | 80 v | 1 a | 10na | Npn | 500 mv @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 150 mA, 10V | - - - | ||||||||||
 | KSB1121STM | - - - | | 1335 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | KSB11 | 1,3 w | SOT-89-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 4.000 | 25 v | 2 a | 100NA (ICBO) | PNP | 600 mV @ 75 mA, 1,5a | 140 @ 100 mA, 2V | 150 MHz | |||||||
| MSR2N3810U | - - - | | 4251 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-smd, Keine Frotung | 2N3810 | 350 MW | U | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-MSR2N3810U | 100 | 60 v | 50 ma | 10 µA (ICBO) | 2 PNP (Dual) | 250 mV @ 100 µA, 1 mA | 150 @ 1ma, 5V | - - - | |||||||||
 | BC846AHE3-TP | 0,2400 | | 4 | 0.00000000 | Micro Commercial co | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BC846 | 225 MW | SOT-23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 65 V | 100 ma | 100na | 500 mV @ 5ma, 100 mA | 110 @ 2MA, 5V | 100 MHz | |||||||
 | BCP53F | 0,4700 | | 4 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | BCP53 | SOT-223 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 4.000 | 80 v | 1 a | 100NA (ICBO) | PNP | 500 mv @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 150 mA, 2V | 145 MHz | |||||||
 | BC846BWHE3-TP | 0,1900 | | 4 | 0.00000000 | Micro Commercial co | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | BC846 | 200 MW | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 65 V | 100 ma | 100NA (ICBO) | Npn | 500 mV @ 5ma, 100 mA | 200 @ 2MA, 5V | 150 MHz | ||||||
| JANSR2N3440U4/Tr | - - - | | 8481 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-smd, Keine Frotung | 800 MW | U4 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jansr2N3440U4/Tr | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 250 V | 1 a | 2 µA | Npn | 500mv @ 4ma, 50 mA | 40 @ 20 mA, 10V | - - - | |||||||
| 2SB1392C-E | - - - | | 3743 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||
| BC53-16PAS-QX | 0,0962 | | 1545 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-udfn exponiert pad | 420 MW | DFN2020D-3 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1727-BC53-16PAS-QXTR | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 80 v | 1 a | 100NA (ICBO) | PNP | 500 mv @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 150 mA, 2V | 145 MHz | ||||||||
| 2C2907A-MSCL | 2.2650 | | 2125 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-2C2907A-MSCL | 1 | ||||||||||||||||||||||
 | 2SA1980-G-AP | - - - | | 1677 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | 2SA1980 | 625 MW | To-92 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0095 | 1.000 | 50 v | 150 Ma | 100NA (ICBO) | PNP | 300mv @ 10 mA, 100 mA | 200 @ 2a, 6v | 80MHz | |||||||
| 2N6047 | 613.4700 | | 1852 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Bolzenhalterung | To-211mb, to-63-4, Stud | 114 w | To-63 | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-2N6047 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 100 v | 20 a | - - - | PNP | - - - | - - - | - - - | ||||||||
| JANSM2N2907A | 99.0906 | | 1572 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/291 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-206aa, to-18-3 Metalldose | 500 MW | To-18 (to-206aa) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jansm2N2907A | 1 | 60 v | 600 mA | 50na | PNP | 1,6 V @ 50 Ma, 500 mA | 100 @ 150 mA, 10V | - - - | ||||||||||
| 2N3599 | 547.4100 | | 8172 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Bolzenhalterung | To-211mb, to-63-4, Stud | 100 w | To-63 | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-2N3599 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 v | 20 a | - - - | Npn | 500mv @ 1ma, 10 mA | - - - | - - - | ||||||||
 | 2N4225 | 14.3550 | | 1280 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | - - - | K. Loch | To-205aa, bis 5-3 Metalldose | 5 w | To-5aa | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-2N4225 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 40 v | 3 a | - - - | Npn | - - - | - - - | - - - | ||||||||
| 15c02ch-tl-e | - - - | | 7090 | 0.00000000 | Sanyo | * | Schüttgut | Veraltet | - - - | Rohs Nick Konform | Verkäfer undefiniert | 2156-15C02CH-TL-E-600057 | 1 | |||||||||||||||||||||
 | MMBT2222A-7 | - - - | | 7098 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MMBT2222 | 310 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 40 v | 600 mA | 10NA (ICBO) | Npn | 1v @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 150 mA, 10V | 300 MHz | ||||||
| MMBT3904-TP-HF | - - - | | 8966 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MMBT3904 | 350 MW | SOT-23 | Herunterladen | 353-MMBT3904-TP-HF | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 40 v | 200 ma | 50na | Npn | 300mv @ 5ma, 50 mA | 100 @ 10 Ma, 1V | 300 MHz | ||||||||
 | UPA802T-T1-A | - - - | | 2928 | 0.00000000 | Cel | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | 200 MW | SOT-363 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 12 dB | 10V | 65 Ma | 2 NPN (Dual) | 70 @ 7ma, 3v | 7GHz | 1,4 dB @ 1 GHz | ||||||||
 | MJD253-1g | 0,7600 | | 474 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa | MJD253 | 1,4 w | I-Pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 75 | 100 v | 4 a | 100NA (ICBO) | PNP | 600mv @ 100 mA, 1a | 40 @ 200 Ma, 1V | 40 MHz | ||||||
| Dta113ze3hzgtl | 0,4300 | | 3 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | Dta113 | 150 MW | Emt3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 846-DTA113ze3HZgtlct | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 33 @ 5ma, 5v | 250 MHz | 1 Kohms | 10 Kohms | |||||
| 2N6212 | - - - | | 1121 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - - - | Rohr | Veraltet | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-213aa, to-66-2 | 35 w | To-66 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 1514-2N6212 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 300 V | 2 a | 5ma | PNP | 1,6 V @ 125 Ma, 1a | 10 @ 1a, 3,2 V. | 20MHz | |||||||
 | 2pb709aqw, 115 | - - - | | 6686 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 2pb70 | 200 MW | SMT3; Mpak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 45 V | 100 ma | 10NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 10 mA, 100 mA | 160 @ 2MA, 10V | 60 MHz | ||||||
| MS2213 | - - - | | 2256 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - - - | Schüttgut | Veraltet | 250 ° C (TJ) | Chassis -berg | M214 | 75W | M214 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 7.8db | 55 v | 3.5a | Npn | 15 @ 1a, 5V | 960 MHz ~ 1,215 GHz | - - - | ||||||||
 | MSB1218A-RT1G | 0,2100 | | 4 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | MSB1218 | 150 MW | SC-70-3 (SOT323) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 45 V | 100 ma | 100 µA | PNP | 500mv @ 10 mA, 100 mA | 210 @ 2MA, 10V | - - - | ||||||
 | SS9015CTA | - - - | | 5753 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | SS9015 | 450 MW | To-92-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.000 | 45 V | 100 ma | 50na (ICBO) | PNP | 700 mv @ 5ma, 100 mA | 200 @ 1ma, 5V | 190 MHz | |||||||
| CPH3148-TL-E | 0,4400 | | 3 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Aktiv | - - - | Oberflächenhalterung | SC-96 | 900 MW | 3-cph | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | 3.000 | 100 v | 2 a | 1 µA (ICBO) | PNP | 240mv @ 100 mA, 1a | 200 @ 100ma, 5V | 260 MHz | |||||||||
 | PMST4401,115 | 0,2200 | | 3 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | PMST4401 | 200 MW | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 40 v | 600 mA | 50na (ICBO) | Npn | 750 MV @ 50 Ma, 500 mA | 100 @ 150 mA, 1V | 250 MHz | ||||||
 | DMMT3904WQ-7-F | 0,4800 | | 12 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | DMMT3904 | 200 MW | SOT-363 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 40V | 200 ma | - - - | 2 NPN (Dual) | 300mv @ 5ma, 50 mA | 100 @ 10 Ma, 1V | 300 MHz |
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