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Bipolar (BJT) (35082)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Gewinnen | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) | RAUSCHFIGUR (DB Typ @ f) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Pdtb123yuf | 0,3900 |  | 10 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | PDTB123 | 300 MW | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | 50 v | 500 mA | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 100 MV @ 2,5 mA, 50 mA | 70 @ 50 Ma, 5V | 140 MHz | 2.2 Kohms | 10 Kohms | |||||
 | 2n5086tfr | - - - | | 4795 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | 2n5086 | 625 MW | To-92-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | 50 v | 100 ma | 50na | PNP | 300 mV @ 1ma, 10 mA | 150 @ 100 µA, 5V | 40 MHz | |||||||
 | Janhca2N3635 | - - - | | 4165 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/357 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-205ad, bis 39-3 Metall Kann | 1 w | To-39 (bis 205ad) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Janhca2N3635 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 140 v | 1 a | 10 µA | PNP | 600mv @ 5ma, 50 mA | 100 @ 50 Ma, 10 V | - - - | |||||||
 | DTC014TMT2L | 0,2400 | | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOT-723 | DTC014 | 150 MW | VMT3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 8.000 | 50 v | 100 ma | 500NA (ICBO) | NPN - VORGEPANNT | 150 mV @ 500 µA, 5 mA | 100 @ 5ma, 10V | 250 MHz | 10 Kohms | ||||||
 | NST1602CLTWG | 0,2459 | | 4140 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-1205, 8-LFPAK56 | 800 MW | 8-lfpak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 488-NST1602CLTWGTR | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 160 v | 1,5 a | 100NA (ICBO) | Npn | 140mv @ 50 mA, 500 mA | 140 @ 100 mA, 5V | 100 MHz | ||||||
| Jan2N5154L | 12.3158 | | 9235 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/544 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-205aa, bis 5-3 Metalldose | 2N5154 | 1 w | To-5 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 v | 2 a | 50 µA | Npn | 1,5 V @ 500 mA, 5a | 70 @ 2,5a, 5V | - - - | ||||||
 | FJX3904TF | - - - | | 5669 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | FJX390 | 350 MW | SOT-323 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 40 v | 200 ma | - - - | Npn | 300mv @ 5ma, 50 mA | 100 @ 10 Ma, 1V | 300 MHz | |||||||
 | MmbTH11 | - - - | | 5460 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MmbTH11 | 225 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | - - - | 25 v | 50 ma | Npn | 60 @ 4ma, 10V | 650 MHz | - - - | ||||||
| CP617-CM4957-CT20 | - - - | | 2437 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - - - | Schüttgut | Veraltet | - - - | - - - | - - - | 1514-CP617-CM4957-CT20 | Veraltet | 500 | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | |||||||||||||
| PN3568_D27Z | - - - | | 7970 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | PN356 | 625 MW | To-92-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | 60 v | 1 a | 50na (ICBO) | Npn | 250mv @ 15ma, 150 mA | 40 @ 150 mA, 1V | - - - | |||||||
 | JANS2N5237 | - - - | | 3465 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/394 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-205aa, bis 5-3 Metalldose | 1 w | To-5 | - - - | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 120 v | 10 µA | 10 µA | Npn | 2,5 V @ 1a, 10a | 40 @ 5a, 5V | - - - | |||||||||
 | BDW23ATU | - - - | | 3954 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | BDW23 | 50 w | To-220-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | 60 v | 6 a | 500 ähm | Npn | 3v @ 60 Ma, 6a | 750 @ 2a, 3v | - - - | |||||||
| 2SC3914-TB-E | - - - | | 4457 | 0.00000000 | Sanyo | * | Schüttgut | Veraltet | - - - | Rohs Nick Konform | Verkäfer undefiniert | 2156-2SC3914-TB-E-600057 | 1 | |||||||||||||||||||||
 | NTE176 | 5.9000 | | 60 | 0.00000000 | NTE Electronics, Inc. | - - - | Tasche | Aktiv | 85 ° C (TJ) | K. Loch | To-205ad, bis 39-3 Metall Kann | 6 w | To-39 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 2368-NTE176 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 a | 10 ma | PNP | 250mv @ 200 Ma, 2a | 40 @ 2a, 0v | 1,2 MHz | |||||||||
| NSVBC143JPDXV6T1G | - - - | | 7104 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | NSVBC143 | 357 MW | SOT-563 | Herunterladen | 488-NSVBC143JPDXV6T1GTR | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 50V | 100 ma | 500NA | 1 NPN, 1 PNP - Voreingenben (Dual) | 250 mV @ 300 µA, 10 mA | 80 @ 5ma, 10V | - - - | 2.2kohms, 47kohms | 47kohm | |||||||
 | BCP56-16H, 115 | - - - | | 5006 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | 1.000 | |||||||||||||||||||||
 | 2SC1213AKC | 0,2400 | | 4346 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0075 | 63 | |||||||||||||||||||
 | CPH6121-TL-E | 0,1479 | | 7491 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-74, SOT-457 | CPH6121 | 1,3 w | 6-cph | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 3.000 | 12 v | 3 a | 100NA (ICBO) | PNP | 165mv @ 30 mA, 1,5a | 200 @ 500 Ma, 2V | 380 MHz | ||||||
 | 2n3904ta | 1.0000 | | 8415 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | 625 MW | To-92-3 | Herunterladen | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 40 v | 200 ma | - - - | Npn | 300mv @ 5ma, 50 mA | 100 @ 10 Ma, 1V | 300 MHz | ||||||||||
| Dta124eee3tl | 0,3700 | | 3 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Dta143x | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | Dta124 | 150 MW | Emt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA (ICBO) | PNP - VORGEPANNT + DIODE | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 30 @ 10ma, 5v | 250 MHz | 4.7 Kohms | 10 Kohms | ||||||
| TIP112 | - - - | | 4081 | 0.00000000 | Harris Corporation | - - - | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | 2 w | To-220-3 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 100 v | 2 a | 2ma | NPN - Darlington | 2,5 V @ 8ma, 2a | 1000 @ 1a, 4V | - - - | |||||||
| MMBTA63 | - - - | | 1782 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MMBTA63 | 350 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 30 v | 1.2 a | 100NA (ICBO) | PNP - Darlington | 1,5 V @ 100 µA, 100 mA | 10000 @ 100 mA, 5V | 125 MHz | |||||||
 | BC817-16W | 0,0200 | | 207 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Aktiv | BC817 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | ||||||||||||||||||
 | 2SA1313-y, lf | 0,3400 | | 2 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 2SA1313 | 200 MW | S-mini | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 500 mA | 100NA (ICBO) | PNP | 250mv @ 10 mA, 100 mA | 120 @ 100 mA, 1V | 200 MHz | |||||||
 | DXTN58100CFDB-7 | 0,5300 | | 2 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-udfn exponiert pad | DXTN58100 | 690 MW | U-DFN2020-3 (Typ B) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 100 v | 4 a | 100na | Npn | 260mv @ 400 mA, 4a | 180 @ 500 mA, 2V | 150 MHz | |||||||
 | MJD3055G | - - - | | 7321 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | MJD30 | 1,75 w | Dpak | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | 60 v | 10 a | 50 µA | Npn | 8v @ 3,3a, 10a | 20 @ 4a, 4V | 2MHz | |||||||
 | SMMBTA14LT3G | 0,0653 | | 5003 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SMMBTA14 | 225 MW | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | 30 v | 300 ma | 100NA (ICBO) | NPN - Darlington | 1,5 V @ 100 µA, 100 mA | 20000 @ 100ma, 5V | 125 MHz | ||||||
 | SMUN5211T1 | 0,0400 | | 42 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | Smun5211 | - - - | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | ||||||||||||||||||
 | ST13007d | 1.7200 | | 8 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | - - - | Rohr | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | ST13007 | 80 w | To-220 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 400 V | 8 a | 100 µA | Npn | 2v @ 2a, 8a | 8 @ 5a, 5V | - - - | ||||||
 | DNLS350E-13 | 0,4400 | | 41 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | DNLS350 | 1 w | SOT-223-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.500 | 50 v | 3 a | 100NA (ICBO) | Npn | 290mv @ 200 Ma, 2a | 100 @ 2a, 2v | 100 MHz |
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