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Bipolar (BJT) (35082)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Gewinnen | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) | RAUSCHFIGUR (DB Typ @ f) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | NHDTA124eux | 0,0310 |  | 3580 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | NHDTA124 | 235 MW | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 80 v | 100 ma | 100na | PNP - VoreInensmen | 100 mV @ 500 µA, 10 mA | 70 @ 10ma, 5V | 150 MHz | 22 Kohms | 22 Kohms | |||||
 | 2N6714 Zinn/Blei | 1.2000 | | 1 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | 2N6714 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-237aa | 1 w | To-237 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.000 | 30 v | 2 a | 100NA (ICBO) | Npn | 500mv @ 100 mA, 1a | 60 @ 100 mA, 1V | 500 MHz | |||||||
| PDTC144VU, 115 | 0,0349 | | 1239 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | PDTC144 | 200 MW | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 1 µA | NPN - VORGEPANNT | 150 mV @ 500 µA, 10 mA | 40 @ 5ma, 5v | 47 Kohms | 10 Kohms | ||||||
 | MVR2N2222AUB/Tr | 29.9649 | | 4535 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-smd, Keine Frotung | 500 MW | UB | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-mVR2N2222AUB/Tr | 100 | 50 v | 800 mA | 50na | Npn | 1v @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 150 mA, 10V | - - - | ||||||||||
 | MPSA56BK | 0,0477 | | 8472 | 0.00000000 | DITEC -halbleiter | - - - | Kasten | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) | 625 MW | To-92 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2796-MPSA56BK | 8541.21.0000 | 5.000 | 80 v | 500 mA | 100NA (ICBO) | PNP | 250mv @ 10 mA, 100 mA | 100 @ 100 mA, 1V | 50 MHz | ||||||||
 | 2N6049 | 48.1194 | | 4492 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Schüttgut | Aktiv | 2N6049 | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||
 | 2N5151 | 26.0015 | | 7813 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | MIL-PRF-19500/545 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-205ad, bis 39-3 Metall Kann | 2N5151 | 1 w | To-39 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 80 v | 2 a | 50 µA | PNP | 1,5 V @ 500 mA, 5a | 30 @ 2,5a, 5V | - - - | |||||||
 | CA3096CM96 | 0,9000 | | 2 | 0.00000000 | Harris Corporation | * | Schüttgut | Aktiv | CA3096 | Herunterladen | Verkäfer undefiniert | Reichweiite Betroffen | 2156-CA3096CM96-600026 | 1 | ||||||||||||||||||||
 | AR1L3N-AZ | 0,3800 | | 6 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | |||||||||||||||||||
 | SMUN5311DW1T1G | 0,3700 | | 7 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | Smun5311 | 250 MW | SC-88/SC70-6/SOT-363 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50V | 100 ma | 500NA | 1 NPN, 1 PNP - Voreingenben (Dual) | 250 mV @ 300 µA, 10 mA | 35 @ 5ma, 10 V. | - - - | 10kohm | 10kohm | |||||
 | KSB1022TU | - - - | | 9142 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | KSB10 | 2 w | To-220f-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | 60 v | 7 a | 100 µA (ICBO) | PNP - Darlington | 2v @ 14ma, 7a | 2000 @ 3a, 3v | - - - | |||||||
 | MPSA65_D27Z | - - - | | 2439 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | MPSA65 | 625 MW | To-92-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.000 | 30 v | 1.2 a | 100NA (ICBO) | PNP - Darlington | 1,5 V @ 100 µA, 100 mA | 20000 @ 100ma, 5V | 100 MHz | |||||||
| MSC80806 | - - - | | 1029 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - - - | Schüttgut | Veraltet | - - - | 1 (unbegrenzt) | Veraltet | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||
 | MJB44H11T4 | - - - | | 5443 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | MJB44 | 50 w | D²pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | 80 v | 10 a | 10 µA | Npn | 1v @ 400 mA, 8a | 40 @ 4a, 1V | - - - | ||||||
 | BC857BS_R1_00001 | 0,2400 | | 585 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | BC857 | 150 MW | SOT-363 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 3757-BC857BS_R1_00001DKR | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 45 V | 100 ma | 15NA (ICBO) | 2 PNP (Dual) | 650 mv @ 5ma, 100 mA | 220 @ 2MA, 5V | 100 MHz | |||||
 | KSE13003TATU | - - - | | 7360 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | KSE13003 | 20 w | To-220-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | 400 V | 1,5 a | - - - | Npn | 3v @ 500 mA, 1,5a | 8 @ 500 mA, 2V | 4MHz | |||||||
| 2SC2812-6-TB-E | - - - | | 4596 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 200 MW | 3-CP | - - - | Rohs Nick Konform | Verkäfer undefiniert | 2156-2SC2812-6-TB-E-488 | 1 | 50 v | 150 Ma | 100NA (ICBO) | Npn | 500mv @ 5ma, 50 mA | 200 @ 1ma, 6v | 100 MHz | |||||||||
 | MMBTH10LT3G | 0,2700 | | 3015 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MmbTH10 | 225 MW | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | - - - | 25 v | - - - | Npn | 60 @ 4ma, 10V | 650 MHz | - - - | ||||||
| 2C2222a | 1.5900 | | 6547 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | Oberflächenhalterung | Sterben | 2C2222 | Sterben | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 1 | 40 v | 10NA (ICBO) | Npn | - - - | 100 @ 150 mA, 10V | - - - | ||||||||||
 | Jan2N5582 | 6.6367 | | 3515 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/423 | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-206ab, bis 46-3 Metall Kann | 2n5582 | 500 MW | To-46-3 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 50 v | 800 mA | 10 µA (ICBO) | Npn | 1v @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 150 mA, 10V | - - - | ||||||
| BCY-59 | 30.3107 | | 3219 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-BCY-59 | 1 | ||||||||||||||||||||||
| JANS2N3637UB/Tr | 113.7400 | | 8471 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/357 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-smd, Keine Frotung | 1,5 w | UB | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jans2N3637UB/Tr | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 175 v | 1 a | 10 µA | PNP | 600mv @ 5ma, 50 mA | 100 @ 50 Ma, 10 V | - - - | |||||||
 | JANSR2N3810U/Tr | 262.4506 | | 1341 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/336 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-smd, Keine Frotung | 2N3810 | 350 MW | 6-smd | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jansr2N3810U/tr | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 60 v | 50 ma | 10 µA (ICBO) | 2 PNP (Dual) | 250 mV @ 1ma, 100 ua | 150 @ 1ma, 5V | - - - | ||||||
| 42126 | - - - | | 6211 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - - - | Schüttgut | Veraltet | - - - | Nicht Anwendbar | Veraltet | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||
 | 2SA1579U3T106S | 0,4900 | | 6 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | 2SA1579 | 200 MW | Umt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 846-2SA1579U3T106str | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 120 v | 50 ma | 500NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 1ma, 10 mA | 180 @ 2ma, 6v | 140 MHz | |||||
| 2N6059 | 48.1194 | | 3528 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Schüttgut | Aktiv | 2N6059 | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | 2N6059ms | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||
 | NTE2402 | 2.7500 | | 6900 | 0.00000000 | NTE Electronics, Inc | - - - | Tasche | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 200 MW | SOT-23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 2368-NTE2402 | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 18db | 15 v | 25ma | Npn | 25 @ 14ma, 10V | 5GHz | 2,4 dB @ 500MHz | ||||||||
 | MMBT3904 | 0,1000 | | 628 | 0.00000000 | Guten Halbler | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 200 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 40 v | 200 ma | 50na | Npn | 300mv @ 5ma, 50 mA | 100 @ 10 Ma, 1V | 300 MHz | |||||||
| NSVMMBT5550LT1G | 0,3900 | | 98 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 225 MW | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 488-NSVMMBT5550LT1GTR | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 140 v | 600 mA | 100na | Npn | 250mv @ 5 mA, 50 mA | 60 @ 10ma, 5V | - - - | ||||||
 | BC369-AP | - - - | | 8475 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | BC369 | 625 MW | To-92 | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 353-BC369-aptb | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | 20 v | 1 a | 10 µA (ICBO) | PNP | 500mv @ 100 mA, 1a | 85 @ 500 mA, 1V | 65 MHz |
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