SIC
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Bipolar (BJT) (35082)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Gewinnen Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Strom - Sammler Cutoff (max) Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang Ausflussbasis (R1) Ausfluss - Emitterbasis (R2) RAUSCHFIGUR (DB Typ @ f)
MMBTA42Q Yangjie Technology MMBTA42Q 0,0370
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 Yangjie -technologie - - - Band & Rollen (TR) Aktiv - - - ROHS -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 4617-MMBTA42qtr Ear99 3.000
JANSF2N2906AUA Microchip Technology JANSF2N2906AUA 156.0008
RFQ
 ECAD 7364 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/291 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C. Oberflächenhalterung 4-smd, Keine Frotung 500 MW Ua - - - UnberÜHrt Ereichen 150-Jansf2N2906AUA 1 60 v 600 mA 50na PNP 1,6 V @ 50 Ma, 500 mA 40 @ 150 mA, 10V - - -
MSR2N3700 Microchip Technology MSR2N3700 - - -
RFQ
 ECAD 9388 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-206aa, to-18-3 Metalldose 500 MW To-18 (to-206aa) - - - UnberÜHrt Ereichen 150-MSR2N3700 100 80 v 1 a 10na Npn 500 mv @ 50 mA, 500 mA 100 @ 150 mA, 10V - - -
2PA1774RM,315 Nexperia USA Inc. 2pa1774rm, 315 0,0308
RFQ
 ECAD 2215 0.00000000 Nexperia USA Inc. Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SC-101, SOT-883 2pa1774 430 MW SOT-883 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 10.000 40 v 100 ma 100NA (ICBO) PNP 200mv @ 5ma, 50 mA 180 @ 1ma, 6v 100 MHz
JANKCAD2N3637 Microchip Technology Jankcad2N3637 - - -
RFQ
 ECAD 9095 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/357 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-205ad, bis 39-3 Metall Kann 1 w To-39 (bis 205ad) - - - UnberÜHrt Ereichen 150-Jankcad2N3637 100 175 v 1 a 10 µA PNP 600mv @ 5ma, 50 mA 100 @ 50 Ma, 10 V - - -
JANKCBD2N2906A Microchip Technology Jankcbd2n2906a - - -
RFQ
 ECAD 4039 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/291 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C. K. Loch To-206aa, to-18-3 Metalldose 500 MW To-18 (to-206aa) - - - UnberÜHrt Ereichen 150-Jankcbd2n2906a 100 60 v 600 mA 50na PNP 1,6 V @ 50 Ma, 500 mA 40 @ 150 mA, 10V - - -
BCP53QTA Diodes Incorporated BCP53QTA 0,1198
RFQ
 ECAD 5698 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-261-4, to-261aa BCP53 2 w SOT-223-3 Herunterladen UnberÜHrt Ereichen 31-BCP53QTATR Ear99 8541.29.0075 1.000 80 v 1 a 100NA (ICBO) PNP 500 mv @ 50 mA, 500 mA 40 @ 150 mA, 2V 150 MHz
MJ11012 Solid State Inc. MJ11012 5.0000
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Solid State Inc. - - - Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-204aa, to-3 200 w To-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert 2383-MJ11012 Ear99 8541.10.0080 10 60 v 30 a 1ma NPN - Darlington 4v @ 300 mA, 30a 1000 @ 20a, 5V - - -
JANSP2N5151 Microchip Technology JANSP2N5151 95.9904
RFQ
 ECAD 1334 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/545 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-205ad, bis 39-3 Metall Kann 1 w To-39 (bis 205ad) - - - UnberÜHrt Ereichen 150-JANSP2N5151 1 80 v 2 a 50 µA PNP 1,5 V @ 500 mA, 5a 30 @ 2,5a, 5V - - -
JAN2N2907AUBP/TR Microchip Technology Jan2N2907AUBP/Tr 12.6616
RFQ
 ECAD 2435 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/291 Band & Rollen (TR) Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 3-smd, Keine Frotung 500 MW UB - - - UnberÜHrt Ereichen 150-Jan2N2907AUBP/Tr Ear99 8541.21.0095 100 60 v 600 mA 50na PNP 1,6 V @ 50 Ma, 500 mA 100 @ 1ma, 10V - - -
BC856AW-HF Comchip Technology BC856AW-HF 0,0517
RFQ
 ECAD 5760 0.00000000 Comchip -technologie - - - Band & Rollen (TR) Aktiv 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SC-70, SOT-323 BC856 150 MW SOT-323 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) 641-BC856AW-HFTR Ear99 8541.21.0075 3.000 65 V 100 ma 15NA (ICBO) PNP 650 mv @ 5ma, 100 mA 125 @ 2MA, 5V 100 MHz
CEN363 Central Semiconductor Corp Cen363 - - -
RFQ
 ECAD 6364 0.00000000 Central Semiconductor Corp - - - Kasten Veraltet - - - 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Veraltet 0000.00.0000 2.500
RN2423(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2423 (TE85L, F) 0,4100
RFQ
 ECAD 130 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 RN2423 200 MW S-mini Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 800 mA 500NA PNP - VoreInensmen 250mv @ 1ma, 50 mA 70 @ 100 mA, 1V 200 MHz 4.7 Kohms 4.7 Kohms
PBSS5540Z/ZLX Nexperia USA Inc. PBSS5540Z/ZLX - - -
RFQ
 ECAD 8284 0.00000000 Nexperia USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-261-4, to-261aa 2 w SOT-223 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 934070763115 Ear99 8541.29.0075 1.000 40 v 5 a 100NA (ICBO) PNP 160mv @ 200 Ma, 2a 150 @ 2a, 2v 120 MHz
PDTD123YQA147 NXP USA Inc. PDTD123YQA147 1.0000
RFQ
 ECAD 2873 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv Herunterladen Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.21.0075 1
MRF8372GR2 Microsemi Corporation MRF8372gr2 - - -
RFQ
 ECAD 5767 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Band & Rollen (TR) Veraltet - - - Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) 2.2W 8-so Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0075 2.500 8db ~ 9,5 dB 16V 200 ma Npn 30 @ 50 Ma, 5V 870 MHz - - -
MMBT5551 Fairchild Semiconductor MMBT5551 0,0400
RFQ
 ECAD 227 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 350 MW SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 160 v 600 mA 50na (ICBO) Npn 200mv @ 5ma, 50 mA 80 @ 10ma, 5V 100 MHz
DCX114EUQ-13-F Diodes Incorporated DCX114EUQ-13-F 0,0528
RFQ
 ECAD 9872 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101, DCX (XXXX) U. Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 DCX114 200 MW SOT-363 Herunterladen UnberÜHrt Ereichen 31-DCX114EUQ-13-FTR Ear99 8541.21.0075 10.000 50V 100 ma 500NA (ICBO) 1 NPN, 1 PNP - Voreingenben (Dual) 300 mV @ 500 µA, 10 mA 30 @ 5ma, 5v 250 MHz 10kohm 10kohm
2SD1684S onsemi 2SD1684S 0,2900
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Onsemi * Schüttgut Aktiv Herunterladen Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 1
CMST5087 TR TIN/LEAD Central Semiconductor Corp Cmst5087 trin/Beid 0,0454
RFQ
 ECAD 5901 0.00000000 Central Semiconductor Corp - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SC-70, SOT-323 Cmst5087 275 MW SOT-323 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 50 v 50 ma 10NA (ICBO) PNP 300 mV @ 1ma, 10 mA 250 @ 100 µA, 5V 40 MHz
DXTN06080BFG-7 Diodes Incorporated DXTN06080BFG-7 0,4000
RFQ
 ECAD 2171 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung, Benetzbare Flanke 8-Powervdfn 1 w PowerDI3333-8 (SWP) Typ UX Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 2.000 80 v 1 a 20na Npn 500mv @ 50 mA, 800 mA 100 @ 150 mA, 2V 130 MHz
2N5389 Microchip Technology 2N5389 519.0900
RFQ
 ECAD 7084 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Bolzenhalterung To-211ma, to-211ac, to-61-4, Stud 175 w To-61 - - - UnberÜHrt Ereichen 150-2N5389 Ear99 8541.29.0095 1 300 V 7 a - - - Npn - - - - - - - - -
2C3637-MSCL Microchip Technology 2C3637-MSCL 7.3650
RFQ
 ECAD 3596 0.00000000 Mikrochip -technologie * Schüttgut Aktiv - - - UnberÜHrt Ereichen 150-2C3637-MSCL 1
2N3439P Microchip Technology 2N3439p 27.9750
RFQ
 ECAD 9958 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 200 ° C. K. Loch To-205ad, bis 39-3 Metall Kann 800 MW To-39 (bis 205ad) - - - UnberÜHrt Ereichen 150-2N3439p Ear99 8541.21.0095 1 350 V 1 a 2 µA Npn 500mv @ 4ma, 50 mA 40 @ 20 mA, 10V - - -
2SC3952D onsemi 2SC3952d - - -
RFQ
 ECAD 2933 0.00000000 Onsemi * Schüttgut Aktiv - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 1
BDW23-S Bourns Inc. BDW23-S - - -
RFQ
 ECAD 9807 0.00000000 Bourns Inc. - - - Rohr Veraltet -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 BDW23 2 w To-220 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 15.000 45 V 6 a 500 ähm NPN - Darlington 3v @ 60 Ma, 6a 750 @ 2a, 3v - - -
TIP41-BP Micro Commercial Co TIP41-BP - - -
RFQ
 ECAD 2744 0.00000000 Micro Commercial co - - - Rohr Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 TIP41 2 w To-220ab Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) 353-Tip41-Bp Ear99 8541.29.0095 50 40 v 6 a 700 ähm Npn 1,5 V @ 600 Ma, 6a 30 @ 300 mA, 4V 3MHz
2N3752 Microchip Technology 2N3752 273.7050
RFQ
 ECAD 5125 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Bolzenhalterung To-111-4, Stud 30 w To-111 - - - UnberÜHrt Ereichen 150-2N3752 Ear99 8541.29.0095 1 80 v 5 a - - - PNP 250 mV @ 100 µA, 1 mA - - - - - -
2N2896 Microchip Technology 2n2896 17.3831
RFQ
 ECAD 2494 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Tasche Aktiv - - - K. Loch To-206aa, to-18-3 Metalldose 1,8 w To-18 (to-206aa) - - - 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 2n2896ms Ear99 8541.29.0075 1 90 v 1 a 10NA (ICBO) Npn 600mv @ 15ma, 150 mA 60 @ 150 mA, 10V 120 MHz
2N2946 Microchip Technology 2N2946 24.6450
RFQ
 ECAD 7242 0.00000000 Mikrochip -technologie * Schüttgut Aktiv - - - UnberÜHrt Ereichen 150-2n2946 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Expositionspad

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