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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Gewinnen | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) | RAUSCHFIGUR (DB Typ @ f) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | JantX2N5004 | - - - | ![]() | 9479 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/534 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Chassis, Stollenberg | To-210aa, to-59-4, Stud | 2 w | To-59 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 v | 5 a | 50 µA | Npn | 1,5 V @ 500 mA, 5a | 70 @ 2,5a, 5V | - - - | |||||||
![]() | BFG310/XR, 215 | - - - | ![]() | 5560 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-143R | BFG31 | 60 MW | SOT-143R | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 18db | 6v | 10 ma | Npn | 60 @ 5ma, 3v | 14GHz | 1DB @ 2GHz | ||||||
![]() | MAT04FY | 6.0200 | ![]() | 13 | 0.00000000 | Analog Devices Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | K. Loch | 14-CDIP (0,300 ", 7,62 mm) | MAT04 | 350 MW | 14-Cerdip | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 40V | 30 ma | 5na | 4 NPN (Quad) Matched -PAARE | 60 mV @ 100 µA, 1 mA | 400 @ 1ma, 30 V | 300 MHz | ||||||
FZT958ta | 0,8200 | ![]() | 13 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | FZT958 | 3 w | SOT-223-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 400 V | 500 mA | 50na (ICBO) | PNP | 240mv @ 300 mA, 1a | 100 @ 500 mA, 10V | 85 MHz | |||||||
![]() | RN1963 (TE85L, F) | 0,4700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | RN1963 | 200 MW | US6 | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50V | 100 ma | 100NA (ICBO) | 2 NPN - Voresingenben (Dual) | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 70 @ 10ma, 5V | 250 MHz | 22kohm | 22kohm | ||||||
MJE170G | 0,9000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-225aa, to-126-3 | MJE170 | 1,5 w | To-126 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 500 | 40 v | 3 a | 100NA (ICBO) | PNP | 1,7 V @ 600 Ma, 3a | 50 @ 100 mA, 1V | 50 MHz | |||||||
![]() | DTC144WET1 | - - - | ![]() | 3250 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | DTC144 | 200 MW | SC-75, SOT-416 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 250 mV @ 300 µA, 10 mA | 80 @ 5ma, 10V | 47 Kohms | 22 Kohms | ||||||
![]() | DRC9114E0L | - - - | ![]() | 4228 | 0.00000000 | Panasonische Elektronische Komponenten | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | SC-89, SOT-490 | DRC9114 | 125 MW | Ssmini3-f3-b | - - - | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 250 mV @ 500 µA, 10 mA | 35 @ 5ma, 10 V. | 10 Kohms | 10 Kohms | |||||||
![]() | GSBC817-40W | 0,1300 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Guten Halbler | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | 200 MW | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 45 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | Npn | 700 mv @ 50 mA, 500 mA | 250 @ 100 mA, 1V | 100 MHz | |||||||
![]() | RN2106ACT (TPL3) | 0,0527 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-101, SOT-883 | RN2106 | 100 MW | CST3 | - - - | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | 50 v | 80 Ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 150 mV @ 250 ua, 5 mA | 80 @ 10ma, 5V | 4.7 Kohms | 47 Kohms | |||||||
![]() | KSA709YTA | - - - | ![]() | 5469 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | KSA709 | 800 MW | To-92-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | 150 v | 700 Ma | 100NA (ICBO) | PNP | 400mv @ 20 mA, 200 mA | 120 @ 50 Ma, 2V | 50 MHz | |||||||
![]() | 2SC4211-6-tl-e | - - - | ![]() | 4022 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | - - - | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | 2SC4211 | MCP | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | ||||||||||
DDTC123YCA-7 | - - - | ![]() | 4076 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DDTC123 | 200 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 33 @ 10ma, 5v | 250 MHz | 2.2 Kohms | 10 Kohms | ||||||
![]() | DDA144EU-7 | - - - | ![]() | 6597 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | DDA144 | 200 MW | SOT-363 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50V | 100 ma | 500NA | 2 PNP - Voreeinnensmen (Dual) | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 68 @ 5ma, 5v | 250 MHz | 47kohm | 47kohm | |||||
![]() | BC 856A E6327 | - - - | ![]() | 7780 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BC 856 | 330 MW | Pg-SOT23 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 65 V | 100 ma | 15NA (ICBO) | PNP | 650 mv @ 5ma, 100 mA | 125 @ 2MA, 5V | 250 MHz | |||||||
![]() | BC856CMTF-ON | - - - | ![]() | 3444 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BC856 | 310 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 0000.00.0000 | 3.000 | 65 V | 100 ma | 15NA (ICBO) | PNP | 650 mv @ 5ma, 100 mA | 420 @ 2MA, 5V | 150 MHz | ||||||
![]() | BCR 158 B6327 | - - - | ![]() | 6174 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BCR 158 | 200 MW | Pg-SOT23 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 30.000 | 50 v | 100 ma | 100NA (ICBO) | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 70 @ 5MA, 5V | 200 MHz | 2.2 Kohms | 47 Kohms | ||||||
![]() | BC328BU | - - - | ![]() | 4420 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) | BC328 | 625 MW | To-92-3 | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 1.000 | 25 v | 800 mA | 100na | PNP | 700 mv @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 100 mA, 1V | 100 MHz | |||||||
![]() | KSE700S | - - - | ![]() | 1400 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-225aa, to-126-3 | KSE70 | 40 w | To-126-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | 60 v | 4 a | 100 µA | PNP - Darlington | 2,5 V @ 30 Ma, 1,5a | 750 @ 1,5a, 3V | - - - | |||||||
![]() | Mun5314dw1t1g | 0,2700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | Mun5314 | 250 MW | SC-88/SC70-6/SOT-363 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50V | 100 ma | 500NA | 1 NPN, 1 PNP - Voreingenben (Dual) | 250 mV @ 300 µA, 10 mA | 80 @ 5ma, 10V | - - - | 10kohm | 47kohm | |||||
![]() | 2N3751 | 273.7050 | ![]() | 9484 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | - - - | Bolzenhalterung | To-111-4, Stud | 30 w | To-111 | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-2N3751 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 60 v | 5 a | - - - | PNP | - - - | - - - | - - - | ||||||||
![]() | 2N6385 | 3.6200 | ![]() | 184 | 0.00000000 | NTE Electronics, Inc | - - - | Tasche | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-204aa, to-3 | 6 w | To-204aa (to-3) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 2368-2N6385 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 v | 10 a | 1ma (ICBO) | NPN - Darlington | 3v @ 100 mA, 10a | 1000 @ 5a, 3V | - - - | ||||||||
![]() | MSR2N2369A | - - - | ![]() | 7303 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-MSR2N2369A | 100 | ||||||||||||||||||||||
Jan2N6193 | - - - | ![]() | 5765 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/561 | Schüttgut | Abgebrochen bei Sic | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-205ad, bis 39-3 Metall Kann | 1 w | To-39 (bis 205ad) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 100 v | 5 a | 100 µA | PNP | 1,2 V @ 500 mA, 5a | 60 @ 2a, 2v | - - - | ||||||||
![]() | MJD350TF | - - - | ![]() | 9699 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Veraltet | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | 1,56 w | Dpak-3 | - - - | Rohs Nick Konform | Verkäfer undefiniert | 2156-MJD350TF-600039 | 1 | 300 V | 500 mA | 100 µA | PNP | 1v @ 10 mA, 100 mA | 30 @ 50 Ma, 10 V | 10 MHz | |||||||||
![]() | BFP 540F E6327 | - - - | ![]() | 9194 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Flache Leitungen | BFP 540 | 250 MW | 4-tsfp | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 20db | 5v | 80 Ma | Npn | 50 @ 20 mA, 3,5 V. | 30 GHz | 0,9 dB ~ 1,4 dB bei 1,8 GHz | |||||||
![]() | BFT25A, 215 | - - - | ![]() | 7849 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BFT25 | 32mw | SOT-23 (to-236ab) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | - - - | 5v | 6,5 Ma | Npn | 50 @ 500 µA, 1V | 5GHz | 1,8 dB ~ 2 dB @ 1 GHz | ||||||
BD179 | - - - | ![]() | 6730 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-225aa, to-126-3 | BD179 | 30 w | To-126 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | 80 v | 3 a | 100 µA (ICBO) | Npn | 800mv @ 100 mA, 1a | 63 @ 150 mA, 2V | 3MHz | |||||||
![]() | TIP31 PBFREE | 0,6296 | ![]() | 1626 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - - - | Schüttgut | Lets Kaufen | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | TIP31 | 40 w | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 40 v | 3 a | 300 µA | Npn | 1,2 V @ 375 Ma, 3a | 25 @ 1a, 4V | 3MHz | |||||||
![]() | Dta113eet1g | 0,0229 | ![]() | 6915 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | Dta113 | 200 MW | SC-75, SOT-416 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 250mv @ 5ma, 10 mA | 3 @ 5ma, 10V | 1 Kohms | 1 Kohms |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
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