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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Gewinnen | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) | RAUSCHFIGUR (DB Typ @ f) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | FJE3303H2 | - - - | ![]() | 6690 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-225aa, to-126-3 | Fje3303 | 20 w | To-126-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 250 | 400 V | 1,5 a | 10 µA (ICBO) | Npn | 3v @ 500 mA, 1,5a | 14 @ 500 mA, 2V | 4MHz | |||||||
![]() | 2N6076_D27Z | - - - | ![]() | 7187 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | 2N6076 | 625 MW | To-92-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | 25 v | 500 mA | 100na | PNP | 250 mV @ 1ma, 10 mA | 100 @ 10 Ma, 1V | - - - | |||||||
![]() | 89100-06TXV | - - - | ![]() | 2595 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | - - - | K. Loch | To-213aa, to-66-2 | To-66 (to-213aa) | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | 0000.00.0000 | 1 | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | ||||||||||||
![]() | 2N3501U4 | 120.9502 | ![]() | 9400 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-smd, Keine Frotung | 1 w | U4 | - - - | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 150 v | 300 ma | 50na (ICBO) | Npn | 400mv @ 15ma, 150 mA | 100 @ 150 mA, 10V | - - - | |||||||||
![]() | PXT4401,115 | 0,4200 | ![]() | 730 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | PXT4401 | 1,1 w | SOT-89 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 40 v | 600 mA | 50na (ICBO) | Npn | 750 MV @ 50 Ma, 500 mA | 100 @ 150 mA, 1V | 250 MHz | ||||||
![]() | PDTC114YT | - - - | ![]() | 8078 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||
![]() | UMY1NTR | 0,4700 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 | Umy1 | 150 MW | Umt5 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50V | 150 Ma | 100NA (ICBO) | NPN, PNP (Emitter Gekoppelt) | 400mv @ 5 mA, 50 mA / 500mv @ 5 mA, 50 mA | 120 @ 1ma, 6v | 180 MHz, 140 MHz | ||||||
![]() | PBSS2515M, 315 | 0,3600 | ![]() | 16 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-101, SOT-883 | PBSS2515 | 430 MW | SOT-883 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | 15 v | 500 mA | 100NA (ICBO) | Npn | 250mv @ 50 mA, 500 mA | 150 @ 100 mA, 2V | 420 MHz | ||||||
![]() | 1004 ma | - - - | ![]() | 7424 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - - - | Schüttgut | Veraltet | - - - | 1 (unbegrenzt) | Veraltet | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||
![]() | 2SC3851 | 1.8500 | ![]() | 676 | 0.00000000 | Sanken | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | 25 w | To-220f | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2SC3851 DK | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | 60 v | 4 a | 100 µA (ICBO) | Npn | 500mv @ 200 Ma, 2a | 40 @ 1a, 4V | 15 MHz | |||||||
![]() | DMA566040R | - - - | ![]() | 5760 | 0.00000000 | Panasonische Elektronische Komponenten | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | 6-smd, Flache Leitungen | DMA56604 | 150 MW | Smini6-F3-B | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50V | 100 ma | 500NA | 2 PNP - Voreeinnensmen (Dual) | 250 mV @ 500 µA, 10 mA | 80 @ 5ma, 10V | - - - | 10kohm | 47kohm | ||||||
![]() | DDTC123EKA-7-F | - - - | ![]() | 3314 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DDTC123 | 200 MW | SC-59-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 20 @ 20 Ma, 5V | 250 MHz | 2.2 Kohms | 2.2 Kohms | |||||
![]() | 0510-50a | - - - | ![]() | 1950 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - - - | Schüttgut | Veraltet | 200 ° C (TJ) | Chassis -berg | 55AV | 50W | 55AV | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 7db | 27V | 3.7a | - - - | 10 @ 500 mA, 5 V | 500 MHz ~ 1 GHz | - - - | ||||||||
![]() | DME20B010R | - - - | ![]() | 4457 | 0.00000000 | Panasonische Elektronische Komponenten | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-74A, SOT-753 | DME20 | 300 MW | Mini5-g3-b | - - - | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50V | 100 ma | 100 µA | NPN, PNP Kopplementär Darlington | 300mv @ 10 mA, 100 mA / 500mv @ 10 mA, 100 mA | 210 @ 2MA, 10V | 150 MHz | |||||||
Bul742c | 1.3100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | - - - | Rohr | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | Bul742 | 70 w | To-220 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 400 V | 4 a | 250 µA | Npn | 1,5 V @ 1a, 3,5a | 25 @ 800 mA, 3V | - - - | |||||||
![]() | BCX53-16/DG/B3115 | 0,0900 | ![]() | 52 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | |||||||||||||||||||
![]() | 2pb1219aq, 115 | 0,0509 | ![]() | 6200 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | 2pb1219 | 200 MW | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 500 mA | 100NA (ICBO) | PNP | 600mv @ 30 mA, 300 mA | 85 @ 150 mA, 10V | 100 MHz | ||||||
![]() | 2N1131 pbfree | - - - | ![]() | 2850 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - - - | Schüttgut | Veraltet | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-205ad, bis 39-3 Metall Kann | 2 w | To-39 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 500 | 50 v | 600 mA | 100 µA (ICBO) | PNP | 1,5 V @ 15ma, 150 mA | 20 @ 150 mA, 10V | 50 MHz | |||||||
![]() | Jantxv2N6990 | 51.5242 | ![]() | 9533 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/559 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 14-Flatpack | 2N6990 | 400 MW | 14-Flatpack | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 50V | 800 mA | 10 µA (ICBO) | 4 NPN (Quad) | 1v @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 150 mA, 10V | - - - | ||||||
![]() | PBSS4260PANPSX | - - - | ![]() | 1672 | 0.00000000 | NXP -halbleiter | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 2156-PBSS4260PANPSX-954 | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | |||||||||||||||||||
Fmmt560qta | 0,5800 | ![]() | 166 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Fmmt560 | 500 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 500 V | 150 Ma | 100na | PNP | 500mv @ 10 mA, 50 mA | 80 @ 50 Ma, 10 V | 60 MHz | |||||||
![]() | PDTA144EU/ZLF | - - - | ![]() | 7355 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Veraltet | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | PDTA144 | 200 MW | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Veraltet | 0000.00.0000 | 1 | 50 v | 100 ma | 1 µA | PNP - VoreInensmen | 150 mV @ 500 µA, 10 mA | 80 @ 5ma, 5V | 180 MHz | 47 Kohms | 47 Kohms | |||||
![]() | MPS6562_D74Z | - - - | ![]() | 3341 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | MPS656 | 625 MW | To-92-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | 25 v | 1 a | 100na | PNP | 500 mv @ 50 mA, 500 mA | 50 @ 500 mA, 1V | 60 MHz | |||||||
![]() | ZTX851 | 1.0200 | ![]() | 2690 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | E-Line-3 | ZTX851 | 1,2 w | E-line (bis 92 kompatibel) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | ZTX851-NDR | Ear99 | 8541.29.0075 | 4.000 | 60 v | 5 a | 50na (ICBO) | Npn | 250mv @ 200 Ma, 5a | 100 @ 2a, 1V | 130 MHz | |||||
![]() | 2N4124ta | - - - | ![]() | 3414 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | 2N4124 | 625 MW | To-92-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.000 | 25 v | 200 ma | 50na (ICBO) | Npn | 300mv @ 5ma, 50 mA | 120 @ 2MA, 1V | 300 MHz | |||||||
![]() | BC818K16WH6327XTSA1 | 0,0712 | ![]() | 8414 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Lets Kaufen | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | BC818 | 250 MW | Pg-SOT323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 25 v | 500 mA | 100NA (ICBO) | Npn | 700 mv @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 100 mA, 1V | 170 MHz | ||||||
![]() | 2SB647-B-AP | - - - | ![]() | 7960 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, Bis 92-3 Langer Körper (Gebildete Leitungen) | 2SB647 | 900 MW | To-92mod | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0075 | 1.000 | 80 v | 1 a | 10 µA (ICBO) | PNP | 1v @ 50 mA, 500 mA | 60 @ 150 mA, 5V | 140 MHz | |||||||
![]() | 2stf2280 | 0,3500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | 2stf22 | 1,4 w | SOT-89 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.500 | 80 v | 2 a | 1ma | PNP | 250mv @ 100 mA, 1a | 140 @ 100 mA, 2V | 50 MHz | ||||||
![]() | BC817K40E6327HTSA1 | 0,3700 | ![]() | 117 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Lets Kaufen | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BC817 | 500 MW | Pg-SOT23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 45 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | Npn | 700 mv @ 50 mA, 500 mA | 250 @ 100 mA, 1V | 170 MHz | ||||||
2N5680 | 22.1312 | ![]() | 8022 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-205ad, bis 39-3 Metall Kann | 2N5680 | 1 w | To-39 (bis 205ad) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 2n5680ms | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 120 v | 1 a | 10 µA | PNP | 1v @ 50 mA, 500 mA | 40 @ 250 mA, 2V | - - - |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
Weltweite Hersteller
Lagerhaus