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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BU508AFI | - - - | ![]() | 3102 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | - - - | Rohr | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | ISOWATT-218-3 | BU508 | 50 w | ISOWATT-218FX | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 300 | 700 V | 8 a | 1ma | Npn | 1v @ 2a, 4,5a | - - - | 7MHz | ||||
DZT5551Q-13-52 | 0,1488 | ![]() | 2750 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | 2 w | SOT-223 | Herunterladen | 31-DZT5551Q-13-52 | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.500 | 160 v | 600 mA | 50na (ICBO) | Npn | 200mv @ 5ma, 50 mA | 80 @ 10ma, 5V | 300 MHz | ||||||||
![]() | EMD4T2R | 0,3900 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | EMD4T2 | 150 MW | EMT6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 8.000 | 50V | 100 ma | 500NA | 1 NPN, 1 PNP - Voreingenben (Dual) | 300 mV @ 500 µA, 10 mA / 300 mV @ 250 µA, 5 mA | 68 @ 5ma, 5v | 250 MHz | 47kohms, 10kohms | 47kohm | |||
![]() | FJC2383YTF | - - - | ![]() | 7386 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | FJC23 | 500 MW | SOT-89-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 4.000 | 160 v | 1 a | 1 µA (ICBO) | Npn | 1,5 V @ 50 Ma, 500 mA | 160 @ 200 Ma, 5V | 100 MHz | |||||
![]() | 2SB1430-Az | - - - | ![]() | 9247 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | |||||||||||||||||
![]() | BU406 | - - - | ![]() | 9534 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | BU406 | 60 w | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.200 | 200 v | 7 a | 5ma | Npn | 1v @ 500 mA, 5a | - - - | 10 MHz | ||||
![]() | UP0121M00L | 0,2600 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Panasonische Elektronische Komponenten | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SOT-665 | Up0121 | 125 MW | Ssmini5-f2 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0095 | 8.000 | 50V | 100 ma | 500NA | 2 NPN - Voresingenben (Dual) | 250 mV @ 300 µA, 10 mA | 80 @ 5ma, 10V | 150 MHz | 2.2ko | 47kohm | |||||
![]() | UPA1454H-AZ | 6.2500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||
![]() | KSH44H11TF | - - - | ![]() | 3611 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | 1,75 w | To-252-3 (dpak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 v | 8 a | 10 µA | Npn | 1v @ 400 mA, 8a | 40 @ 4a, 1V | 50 MHz | |||||
![]() | BF821,215 | - - - | ![]() | 7876 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | BF821 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | |||||||||||||||||
![]() | STSA1805 | - - - | ![]() | 9692 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) | STSA1805 | 1,1 w | To-92-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.500 | 60 v | 5 a | 100NA (ICBO) | Npn | 600mv @ 200 Ma, 5a | 200 @ 100 Ma, 2V | 150 MHz | ||||
![]() | RN2403, LF | 0,2200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | RN2403 | 200 MW | S-mini | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 70 @ 10ma, 5V | 200 MHz | 22 Kohms | 22 Kohms | ||||
![]() | JANS2N3421 | 65.2800 | ![]() | 2362 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/393 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-205aa, bis 5-3 Metalldose | 1 w | To-5aa | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jans2N3421 | 1 | 80 v | 3 a | 5 ähm | Npn | 500mv @ 200 Ma, 2a | 40 @ 1a, 2v | - - - | ||||||||
![]() | RN1109ACT (TPL3) | - - - | ![]() | 1006 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SC-101, SOT-883 | RN1109 | 100 MW | CST3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | 50 v | 80 Ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 150 mV @ 250 ua, 5 mA | 70 @ 10ma, 5V | 47 Kohms | 22 Kohms | ||||||
![]() | Jantxv2N2920 | 38.5301 | ![]() | 7335 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | 200 ° C (TJ) | K. Loch | Bis 78-6 Metalldose | 2n2920 | - - - | To-78-6 | - - - | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 60 v | 30 ma | - - - | 2 NPN (Dual) | - - - | - - - | - - - | ||||
![]() | KSC1009YTA | - - - | ![]() | 1818 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | KSC1009 | 800 MW | To-92-3 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | 140 v | 700 Ma | 100NA (ICBO) | Npn | 700mv @ 20 mA, 200 Ma | 120 @ 50 Ma, 2V | 50 MHz | ||||
![]() | KSH45H11ITU | - - - | ![]() | 9624 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa | 1,75 w | I-Pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 v | 8 a | 10 µA | PNP | 1v @ 400 mA, 8a | 60 @ 2a, 1V | 40 MHz | |||||
![]() | 2SD613E | 0,6200 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||
![]() | ICA30V01X1SA1 | - - - | ![]() | 4275 | 0.00000000 | Infineon -technologien | * | Schüttgut | Veraltet | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | SP000906842 | Veraltet | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||
![]() | NSV1C201MZ4T1G | 0,6000 | ![]() | 142 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | NSV1C201 | 800 MW | SOT-223 (to-261) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 1.000 | 100 v | 2 a | 100NA (ICBO) | Npn | 180mv @ 200 Ma, 2a | 120 @ 500 mA, 2V | 100 MHz | ||||
![]() | 2SA2092TLR | - - - | ![]() | 9378 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-96 | 500 MW | Tsmt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 60 v | 1 a | 1 µA (ICBO) | PNP | 500 mv @ 50 mA, 500 mA | 180 @ 100 Ma, 2V | 300 MHz | |||||
![]() | P2N2907AZL1 | - - - | ![]() | 8335 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, Bis 92-3 Langer Körper (Gebildete Leitungen) | P2N290 | 625 MW | To-92 (to-226) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.000 | 60 v | 600 mA | 10na | PNP | 1,6 V @ 50 Ma, 500 mA | 100 @ 150 mA, 10V | 200 MHz | ||||
![]() | JantX2N3250Aub/Tr | - - - | ![]() | 1165 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/323 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | 2N3250 | 360 MW | UB | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantx2N3250Aub/Tr | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 60 v | 200 ma | 10 µA (ICBO) | PNP | 500mv @ 5ma, 50 mA | 50 @ 10 ma, 1V | - - - | ||||
DDTA144TCA-7-F | 0,0483 | ![]() | 9406 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DDTA144 | 200 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA (ICBO) | PNP - VoreInensmen | 300 MV @ 250 UA, 2,5 mA | 100 @ 1ma, 5V | 250 MHz | 47 Kohms | |||||
ZX5T1951GQTA | 0,2400 | ![]() | 9716 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | 1,6 w | SOT-223-3 | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 31-ZX5T1951GQTATR | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 60 v | 6 a | 50na | PNP | 260 mv @ 500 mA, 5a | 100 @ 2a, 2v | 120 MHz | |||||||
![]() | BC817-40W_R1_00001 | 0,1900 | ![]() | 365 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | BC817-16W | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | BC817 | 300 MW | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 3757-BC817-40W_R1_00001DKR | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 45 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | Npn | 700 mv @ 50 mA, 500 mA | 250 @ 100 mA, 1V | 100 MHz | |||
![]() | FJP9100TU | - - - | ![]() | 6590 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | FJP910 | 40 w | To-220-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 275 v | 4 a | 100 µA (ICBO) | NPN - Darlington | 1,5 V @ 5ma, 2a | 1000 @ 500 mA, 5V | - - - | |||||
![]() | Jansr2N3810 | 198.9608 | ![]() | 2356 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/336 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | Bis 78-6 Metalldose | 2N3810 | 350 MW | To-78-6 | - - - | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 60 v | 50 ma | 10 µA (ICBO) | 2 PNP (Dual) | 250 mV @ 100 µA, 1 mA | 150 @ 1ma, 5V | - - - | ||||||
![]() | SJD1023T4G | - - - | ![]() | 1013 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | SJD1023 | - - - | 488-SJD1023T4G | Veraltet | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | 2N6261 | 40.3050 | ![]() | 1572 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-2N6261 | 1 |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
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