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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Gewinnen | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) | RAUSCHFIGUR (DB Typ @ f) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | Jan2N7372 | - - - | ![]() | 7853 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/612 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-254-3, to-254aa (Gerade Leads) | 2N7372 | 4 w | To-254aa | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 v | 5 a | 50 µA | PNP | 1,5 V @ 500 mA, 5a | 70 @ 2,5a, 5V | - - - | ||||||
![]() | DTC124ESA-BP | - - - | ![]() | 2334 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Schüttgut | Veraltet | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 Kurzkörper | DTC124 | 300 MW | To-92s | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 353-DTC124ESA-BP | Ear99 | 8541.21.0075 | 1.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 56 @ 5ma, 5V | 250 MHz | 22 Kohms | 22 Kohms | |||||
![]() | JantX2N3765L | - - - | ![]() | 5658 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||
![]() | DRC2115T0L | - - - | ![]() | 1338 | 0.00000000 | Panasonische Elektronische Komponenten | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DRC2115 | 200 MW | Mini3-g3-b | - - - | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 250 mV @ 500 µA, 10 mA | 160 @ 5ma, 10V | 100 Kohms | ||||||||
![]() | KSC2001GTA | 0,0200 | ![]() | 2346 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | 600 MW | To-92-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Ear99 | 8541.21.0075 | 1,934 | 25 v | 700 Ma | 100NA (ICBO) | Npn | 600mv @ 70 mA, 700 mA | 200 @ 100ma, 1V | 170 MHz | |||||||||
![]() | PDTA114EM, 315 | 0,3000 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-101, SOT-883 | PDTA114 | 250 MW | SOT-883 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | 50 v | 100 ma | 1 µA | PNP - VoreInensmen | 150 mV @ 500 µA, 10 mA | 30 @ 5ma, 5v | 10 Kohms | 10 Kohms | ||||||
2SC3668-y, T2F (j | - - - | ![]() | 3546 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | SC-71 | 2SC3668 | 1 w | MSTM | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 50 v | 2 a | 1 µA (ICBO) | Npn | 500mv @ 50 Ma, 1a | 70 @ 500 mA, 2V | 100 MHz | |||||||||
FZT1151ATA | 0,8600 | ![]() | 115 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | FZT1151 | 2,5 w | SOT-223-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 40 v | 3 a | 100na | PNP | 300mV @ 250 mA, 3a | 250 @ 500 mA, 2V | 145 MHz | |||||||
![]() | BSP52T1G | 0,4900 | ![]() | 17 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | BSP52 | 800 MW | SOT-223 (to-261) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1.000 | 80 v | 1 a | 10 µA | NPN - Darlington | 1,3 V @ 500 µA, 500 mA | 2000 @ 500 mA, 10V | - - - | ||||||
![]() | Ztx753stoa | - - - | ![]() | 4851 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | E-Line-3, Gebildete Leads | ZTX753 | 1 w | E-line (bis 92 kompatibel) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.000 | 100 v | 2 a | 100NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 200 Ma, 2a | - - - | 140 MHz | |||||||
![]() | BFR92WH6327XTSA1 | - - - | ![]() | 6155 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | - - - | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | BFR92 | 280 MW | Pg-SOT323 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 11.5db ~ 17db | 15 v | 45 ma | Npn | 70 @ 15ma, 8v | 5GHz | 1,4 db ~ 2 db bei 900 MHz ~ 1,8 GHz | |||||||
![]() | RQA0008AQS#H1 | 0,4300 | ![]() | 255 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | JANS2N2221AUBC | 130.9606 | ![]() | 1829 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | Militär, MIL-PRF-19500/255 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-smd, Keine Frotung | 2N2221 | 500 MW | 3-smd | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 50 v | 800 mA | 50na | Npn | 1v @ 50 mA, 500 mA | 40 @ 150 mA, 10V | - - - | ||||||
![]() | Emb10t2r | 0,1084 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | Emb10 | 150 MW | EMT6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 8.000 | 50V | 100 ma | 500NA | 2 PNP - Voreeinnensmen (Dual) | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 80 @ 10ma, 5V | 250 MHz | 2.2ko | 47kohm | |||||
![]() | UNR211800L | - - - | ![]() | 7258 | 0.00000000 | Panasonische Elektronische Komponenten | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | UNR211 | 200 MW | Mini3-G1 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 250 mV @ 300 µA, 10 mA | 20 @ 5ma, 10V | 80 MHz | 510 Ohm | 5.1 Kohms | |||||||
![]() | BCR148SH6433XTMA1 | - - - | ![]() | 2864 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 | BCR148 | 250 MW | Pg-sot363-po | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | 50V | 100 ma | - - - | 2 NPN - Voresingenben (Dual) | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 70 @ 5MA, 5V | 100 MHz | 47kohm | 47kohm | |||||
![]() | BFP450E6433BTMA1 | - - - | ![]() | 2361 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-82A, SOT-343 | BFP450 | 450 MW | PG-SOT343-4-2 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | 15.5db | 5v | 100 ma | Npn | 60 @ 50 Ma, 4V | 24 GHz | 1,25 dB bei 1,8 GHz | |||||||
FZT593TC | - - - | ![]() | 8483 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | FZT593 | 2 w | SOT-223-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0075 | 4.000 | 100 v | 1 a | 100na | PNP | 300 mv @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 500 mA, 5V | 50 MHz | ||||||||
![]() | MSB92AWT1G | 0,3800 | ![]() | 5751 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | MSB92 | 150 MW | SC-70-3 (SOT323) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 300 V | 500 mA | 250na (ICBO) | PNP | 500 mv @ 2MA, 20 mA | 120 @ 1ma, 10 V. | 50 MHz | ||||||
FZT789ATC | - - - | ![]() | 1578 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | FZT789A | 2 w | SOT-223-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0075 | 4.000 | 25 v | 3 a | 100na | PNP | 500mv @ 100 mA, 3a | 300 @ 10ma, 2v | 100 MHz | ||||||||
![]() | BD241F-S | - - - | ![]() | 1459 | 0.00000000 | Bourns Inc. | - - - | Rohr | Veraltet | - - - | K. Loch | To-220-3 | BD241 | 2 w | To-220 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 15.000 | 160 v | 3 a | 300 µA | Npn | 2,5 V @ 750 Ma, 3a | 25 @ 1a, 4V | - - - | |||||||
![]() | TIP115 | 0,5000 | ![]() | 500 | 0.00000000 | Solid State Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | 50 w | To-220 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | 2383-tip115 | Ear99 | 8541.10.0080 | 20 | 60 v | 2 a | 2ma | PNP - Darlington | 2,5 V @ 8ma, 2a | 1000 @ 1a, 4V | - - - | ||||||
![]() | BC847BPN-QF | 0,2900 | ![]() | 17 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | BC847 | 200 MW | 6-tssop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | 45 V | 100 ma | 15NA (ICBO) | NPN, PNP | 300 mV @ 5ma, 100 mA | 200 @ 2MA, 5V | 100 MHz | ||||||
![]() | BC53-16PASX | - - - | ![]() | 3565 | 0.00000000 | NXP -halbleiter | - - - | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-udfn exponiert pad | 420 MW | DFN2020D-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 2156-BC53-16PASX-954 | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 80 v | 1 a | 100NA (ICBO) | PNP | 500 mv @ 50 mA, 500 mA | 63 @ 150 mA, 2V | 145 MHz | |||||||
![]() | 2N4033 | 0,9600 | ![]() | 100 | 0.00000000 | NTE Electronics, Inc | - - - | Tasche | Aktiv | - - - | K. Loch | To-205ad, bis 39-3 Metall Kann | 800 MW | To-39 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 2368-2N4033 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 v | 1 a | - - - | PNP | 1v @ 100 mA, 1a | 75 @ 100 µA, 5V | - - - | ||||||||
![]() | BC858CDW1T1 | - - - | ![]() | 7306 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | BC858 | 380 MW | SC-88/SC70-6/SOT-363 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 30V | 100 ma | 15NA (ICBO) | 2 PNP (Dual) | 650 mv @ 5ma, 100 mA | 420 @ 2MA, 5V | 100 MHz | ||||||
![]() | 2SD669A-B-BP | - - - | ![]() | 4360 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-225aa, to-126-3 | 2SD669 | 1 w | To-126 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 160 v | 1,5 a | 10 µA (ICBO) | Npn | 1v @ 50 mA, 500 mA | 60 @ 150 mA, 5V | 140 MHz | |||||||
![]() | 2SC3332T-AA | - - - | ![]() | 6397 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | 2SC3332 | 700 MW | 3-NP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 1.500 | 160 v | 700 Ma | 100NA (ICBO) | Npn | 400 mv @ 25 mA, 250 mA | 100 @ 100 Ma, 5V | 120 MHz | |||||||
![]() | 2N4401_D81Z | - - - | ![]() | 9122 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | 2N4401 | 625 MW | To-92-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.000 | 40 v | 600 mA | - - - | Npn | 750 MV @ 50 Ma, 500 mA | 100 @ 150 mA, 1V | 250 MHz | |||||||
![]() | 2SCR513PFRAT100 | 0,4900 | ![]() | 999 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | 2SCR513 | 500 MW | Mpt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 1.000 | 50 v | 1 a | 1 µA (ICBO) | Npn | 350 MV @ 25ma, 500 mA | 180 @ 50 Ma, 2V | 360 MHz |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
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