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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | NSV1C201MZ4T1G | 0,6000 | ![]() | 142 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | NSV1C201 | 800 MW | SOT-223 (to-261) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 1.000 | 100 v | 2 a | 100NA (ICBO) | Npn | 180mv @ 200 Ma, 2a | 120 @ 500 mA, 2V | 100 MHz | ||||
![]() | 2SA2092TLR | - - - | ![]() | 9378 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-96 | 500 MW | Tsmt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 60 v | 1 a | 1 µA (ICBO) | PNP | 500 mv @ 50 mA, 500 mA | 180 @ 100 Ma, 2V | 300 MHz | |||||
![]() | P2N2907AZL1 | - - - | ![]() | 8335 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, Bis 92-3 Langer Körper (Gebildete Leitungen) | P2N290 | 625 MW | To-92 (to-226) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.000 | 60 v | 600 mA | 10na | PNP | 1,6 V @ 50 Ma, 500 mA | 100 @ 150 mA, 10V | 200 MHz | ||||
![]() | JantX2N3250Aub/Tr | - - - | ![]() | 1165 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/323 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | 2N3250 | 360 MW | UB | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantx2N3250Aub/Tr | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 60 v | 200 ma | 10 µA (ICBO) | PNP | 500mv @ 5ma, 50 mA | 50 @ 10 ma, 1V | - - - | ||||
DDTA144TCA-7-F | 0,0483 | ![]() | 9406 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DDTA144 | 200 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA (ICBO) | PNP - VoreInensmen | 300 MV @ 250 UA, 2,5 mA | 100 @ 1ma, 5V | 250 MHz | 47 Kohms | |||||
ZX5T1951GQTA | 0,2400 | ![]() | 9716 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | 1,6 w | SOT-223-3 | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 31-ZX5T1951GQTATR | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 60 v | 6 a | 50na | PNP | 260 mv @ 500 mA, 5a | 100 @ 2a, 2v | 120 MHz | |||||||
![]() | BC817-40W_R1_00001 | 0,1900 | ![]() | 365 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | BC817-16W | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | BC817 | 300 MW | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 3757-BC817-40W_R1_00001DKR | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 45 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | Npn | 700 mv @ 50 mA, 500 mA | 250 @ 100 mA, 1V | 100 MHz | |||
![]() | FJP9100TU | - - - | ![]() | 6590 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | FJP910 | 40 w | To-220-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 275 v | 4 a | 100 µA (ICBO) | NPN - Darlington | 1,5 V @ 5ma, 2a | 1000 @ 500 mA, 5V | - - - | |||||
![]() | Jansr2N3810 | 198.9608 | ![]() | 2356 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/336 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | Bis 78-6 Metalldose | 2N3810 | 350 MW | To-78-6 | - - - | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 60 v | 50 ma | 10 µA (ICBO) | 2 PNP (Dual) | 250 mV @ 100 µA, 1 mA | 150 @ 1ma, 5V | - - - | ||||||
![]() | SJD1023T4G | - - - | ![]() | 1013 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | SJD1023 | - - - | 488-SJD1023T4G | Veraltet | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | 2N6261 | 40.3050 | ![]() | 1572 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-2N6261 | 1 | ||||||||||||||||||||
JANKCBR2N2906A | - - - | ![]() | 2624 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/291 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C. | K. Loch | To-206aa, to-18-3 Metalldose | 2N2906 | 500 MW | To-18 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jankcbr2n2906a | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 60 v | 600 mA | 50na | PNP | 1,6 V @ 50 Ma, 500 mA | 40 @ 150 mA, 10V | - - - | |||||
![]() | KSA1220ays | - - - | ![]() | 4810 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-225aa, to-126-3 | KSA1220 | 1,2 w | To-126 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.000 | 160 v | 1.2 a | 1 µA (ICBO) | PNP | 700mv @ 200 Ma, 1a | 160 @ 300 mA, 5V | 175MHz | ||||
![]() | 2SC5171, Q (j | - - - | ![]() | 7250 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | 2SC5171 | 2 w | To-220nis | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 180 v | 2 a | 5 µA (ICBO) | Npn | 1v @ 100 mA, 1a | 100 @ 100 Ma, 5V | 200 MHz | ||||||
![]() | Ztx753stz | 0,8600 | ![]() | 5977 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | E-Line-3, Gebildete Leads | ZTX753 | 1 w | E-line (bis 92 kompatibel) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.000 | 100 v | 2 a | 10 µA (ICBO) | PNP | 500mv @ 200 Ma, 2a | - - - | 140 MHz | ||||
![]() | ZXTN2010ZQTA | 1.0000 | ![]() | 925 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | ZXTN2010 | 2.1 w | SOT-89-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 60 v | 5 a | 50na (ICBO) | Npn | 230 MV @ 300 Ma, 6a | 100 @ 2a, 1V | 130 MHz | ||||
![]() | BUJ103A, 127 | 0,3105 | ![]() | 4405 | 0.00000000 | Ween -halbleiter | - - - | Rohr | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | BUJ103 | 80 w | To-220ab | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | 400 V | 4 a | 1ma (ICBO) | Npn | 1v @ 600 mA, 3a | 13 @ 500 mA, 5V | - - - | |||||
![]() | NTE227 | 2.6800 | ![]() | 151 | 0.00000000 | NTE Electronics, Inc | - - - | Tasche | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-237aa | 850 MW | To-237 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 2368-NTE227 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 300 V | 100 ma | 100NA (ICBO) | Npn | 1V @ 2MA, 20 mA | 40 @ 10 ma, 10V | 200 MHz | ||||||
![]() | Dta143tmfhat2l | 0,2400 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOT-723 | Dta143 | 150 MW | VMT3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 8.000 | 50 v | 100 ma | 500NA (ICBO) | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 100 @ 1ma, 5V | 250 MHz | 4.7 Kohms | ||||
![]() | Jan2N3792 | 43.1585 | ![]() | 6302 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/379 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-3 | 2N3792 | 5 w | To-3 (to-204aa) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 v | 10 a | 5ma | PNP | 2,5 V @ 2a, 10a | 30 @ 3a, 2v | - - - | ||||
![]() | BC857CW-QX | 0,0322 | ![]() | 1496 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | BC857 | 200 MW | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 1727-BC857CW-QXTR | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 45 V | 100 ma | 15NA (ICBO) | PNP | 600mv @ 5ma, 100 mA | 420 @ 2MA, 5V | 100 MHz | |||
![]() | RN2107, LF (CT | 0,2300 | ![]() | 55 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | RN2107 | 100 MW | SSM | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 80 @ 10ma, 5V | 200 MHz | 10 Kohms | 47 Kohms | ||||
![]() | MS1701 | - - - | ![]() | 4345 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - - - | Schüttgut | Veraltet | - - - | 1 (unbegrenzt) | Veraltet | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | FMW2T148 | - - - | ![]() | 1759 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | * | Band & Rollen (TR) | Veraltet | FMW2 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | ||||||||||||||||
![]() | 2N6226 | 36.6681 | ![]() | 6605 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | - - - | K. Loch | To-204aa, to-3 | 125 w | To-3 | - - - | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 100 v | 50 a | - - - | PNP | - - - | - - - | - - - | |||||||
![]() | PMBT3906YS, 115 | 0,3200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | PMBT3906 | 350 MW | 6-tssop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 40V | 200 ma | 50na (ICBO) | 2 PNP (Dual) | 400mv @ 5ma, 50 mA | 100 @ 10 Ma, 1V | 250 MHz | ||||
![]() | BC857BT-7-F | 0,2200 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-523 | BC857 | 150 MW | SOT-523 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 45 V | 100 ma | 15NA (ICBO) | PNP | 650 mv @ 5ma, 100 mA | 220 @ 2MA, 5V | 100 MHz | ||||
2N5192 | - - - | ![]() | 7305 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | - - - | Rohr | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-225aa, to-126-3 | 2n51 | 40 w | SOT-32-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 80 v | 4 a | 1ma | Npn | 1,4 V @ 1a, 4a | 20 @ 1,5a, 2V | 2MHz | |||||
![]() | 2n3904ta | 0,3400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | 2N3904 | 625 MW | To-92-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.000 | 40 v | 200 ma | - - - | Npn | 300mv @ 5ma, 50 mA | 100 @ 10 Ma, 1V | 300 MHz | ||||
![]() | 2n5550tar | 0,4000 | ![]() | 39 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | 2N5550 | 625 MW | To-92-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.000 | 140 v | 600 mA | 100NA (ICBO) | Npn | 250mv @ 5 mA, 50 mA | 60 @ 10ma, 5V | 300 MHz |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
Weltweite Hersteller
Lagerhaus