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Optoisolatoren (15788)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Eingabetyp | Anzahl der Kanäle | Ausgangstyp | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Strom - Ausgang / Kanal | Aufstieg / Fallzeit (Typ) | Spannung - Ausgang (max) | Spannung - Vorwärts (VF) (Typ) | Strom - DC Forward (if) (max) | Spannung - Isolation | Strom Halbertragungsverhöltnis (min) | Strom Halbertragungsverhöltnis (max) | Einschalen / Ausschalten (Typ) | VCE -Sättigung (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 4N25-X016 | 0,2319 |  | 1368 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 0,400 ", 10,16 mm) | 4n25 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-DIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50 ma | 2 µs, 2 µs | 70V | 1,36 v | 60 mA | 5000 VRMs | 20% @ 10 mA | - - - | - - - | 500mv | |||
 | ACFL-5211U-500E | 2.5939 | | 2 | 0.00000000 | Broadcom Limited | R²couper ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | 12-BSOP (0,295 ", 7,50 mm Breit) | ACFL-5211 | DC | 2 | Transistor | 12-so | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 8ma | - - - | 20V | 1,55 v | 20 ma | 5000 VRMs | 32% @ 10 mA | 100% @ 10ma | 150ns, 500 ns | - - - | ||
| ACPL -K73A -000E | 3.2056 | | 9270 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,268 ", 6,81 mm Breit) | ACPL-K73 | AC, DC | 2 | Darlington MIT Basis | 8-SO GESTRECKT | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 516-ACPL-K73A-000E | Ear99 | 8541.49.8000 | 80 | 60 mA | - - - | 18V | 1,4 v | 20 ma | 5000 VRMs | 800% @ 40 ähm | 25000% bei 40 µA | - - - | - - - | |||
 | SFH617A-4x001 | 1.0300 | | 9292 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | K. Loch | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | SFH617 | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 4.000 | 50 ma | 2 µs, 2 µs | 70V | 1,35 V. | 60 mA | 5300 VRMs | 160% @ 10 mA | 320% @ 10 mA | 3 µs, 2,3 µs | 400mV | ||
 | EL816 (c) | 0,1526 | | 7737 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | K. Loch | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | EL816 | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 3908160804 | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 50 ma | 4 µs, 3 µs | 80V | 1,2 v | 60 mA | 5000 VRMs | 200% @ 5ma | 400% @ 5ma | - - - | 200mv | ||
 | ISQ74 | 0,6787 | | 3349 | 0.00000000 | ISOCOM -Komponenten 2004 Ltd. | ISQ74 | Rohr | Aktiv | -25 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 0,300 ", 7,62 mm) | DC | 1 | Transistor | 16-DIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 58-Isq74 | Ear99 | 8541.49.8000 | 25 | 50 ma | 2,6 µs, 2,2 µs | 50V | 1,2 v | 50 ma | 5300 VRMs | 12,5% @ 16 Ma | - - - | - - - | - - - | ||
 | PS2561L2-1-E4-A | - - - | | 5882 | 0.00000000 | Cel | Nepoc | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | DC | 1 | Transistor | 4-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 ma | 3 µs, 5 µs | 80V | 1.17V | 80 Ma | 5000 VRMs | 80% @ 5ma | 400% @ 5ma | - - - | 300mV | ||||
| TLP372 (Ho, F) | - - - | | 7776 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | * | Rohr | Veraltet | TLP372 | - - - | 1 (unbegrenzt) | 264-TLP372 (HOF) | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||
 | ILQ2-X006 | - - - | | 1915 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - - - | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 0,300 ", 7,62 mm) | ILQ2 | DC | 4 | Transistor | 16-DIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 ma | 2,6 µs, 2,2 µs | 70V | 1,25 V. | 60 mA | 5300 VRMs | 100% @ 10ma | 500% @ 10 mA | 1,2 µs, 2,3 µs | 400mV | |||
| EL1118-G | - - - | | 1407 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe), 5 Leads | EL1118 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 5-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 50 ma | 2 µs, 3 µs | 80V | 1,5 V (max) | 60 mA | 5000 VRMs | 130% @ 5ma | 260% @ 5ma | 4 µs, 3 µs | 400mV | |||
 | PS2505L-1-F3-A | 0,2920 | | 2140 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | Nepoc | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | PS2505 | AC, DC | 1 | Transistor | 4-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50 ma | 3 µs, 5 µs | 80V | 1.17V | 80 Ma | 5000 VRMs | 80% @ 5ma | 600% @ 5ma | - - - | 300mV | ||
 | VOM618A-1X001T | 0,1445 | | 8290 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | VOM618 | DC | 1 | Transistor | 4-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50 ma | 5 µs, 4 µs | 80V | 1.1V | 60 mA | 3750 VRMs | 40% @ 1ma | 80% @ 1ma | 7 µs, 6 µs | 400mV | |||
 | HCPL2531SDM | 0,7600 | | 571 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-smd, Möwenflügel | DC | 2 | Transistor | 8-smd | Herunterladen | Ear99 | 8541.49.8000 | 397 | 8ma | - - - | 20V | 1,45 v | 25 ma | 5000 VRMs | 19% @ 16ma | 50% @ 16 ma | 250ns, 260ns | - - - | ||||||
 | Vos617a-9x001t | 0,6400 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-Soic (0,173 ", 4,40 mm BreiTe) | Vos617 | DC | 1 | Transistor | 4-SSOP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50 ma | 3 µs, 3 µs | 80V | 1,18 v | 50 ma | 3750 VRMs | 200% @ 5ma | 400% @ 5ma | 6 µs, 4 µs | 400mV | |||
| ACPL-5731L-100 | 126.3942 | | 8674 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-Smd-Butt-Gelenk | ACPL-5731 | DC | 2 | Darlington | 8-Dip-Buttfuge | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 3a001a2c | 8541.49.8000 | 1 | 40 ma | - - - | 20V | 1,4 v | 10 ma | 1500VDC | 200% @ 5ma | - - - | 2 µs, 6 µs | - - - | ||
 | Lda110str | - - - | | 3909 | 0.00000000 | Ixys Integrierte SchaltungsabeLung | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | LDA110 | AC, DC | 1 | Darlington MIT Basis | 6-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - - - | - - - | 30V | 1,2 v | 100 ma | 3750 VRMs | 300% @ 1ma | 30000% @ 1ma | 8µs, 345 µs | 1V | ||
| TLX9185 (KBDGBTLF (o | - - - | | 8129 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,173 ", 4,40 mm BreiTe), 4 Leads | TLX9185 | DC | 1 | Transistor | 6-Sop | - - - | 264-TLX9185 (KBDGBTLF (o | Ear99 | 8541.49.8000 | 1 | 50 ma | 3 µs, 5 µs | 80V | 1,27 v | 30 ma | 3750 VRMs | 20% @ 5ma | 600% @ 5ma | 5 µs, 5 µs | 400mV | ||||
 | MOC205R1M | - - - | | 9630 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | Moc205 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 8-soic | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | MOC205R1M-NDR | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 150 Ma | 3,2 µs, 4,7 µs | 30V | 1,15 V | 60 mA | 2500 VRMs | 40% @ 10 mA | 80% @ 10ma | 7,5 µs, 5,7 µs | 400mV | ||
 | FODM121FR2 | - - - | | 9376 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | FODM12 | DC | 1 | Transistor | 4-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 80 Ma | 3 µs, 3 µs | 80V | 1,3 V (max) | 50 ma | 3750 VRMs | 50% @ 5ma | 600% @ 5ma | - - - | 400mV | |||
 | ELD207 (TA) -V | 1.2900 | | 93 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | ELD207 | DC | 2 | Transistor | 8-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 2.000 | - - - | 1,6 µs, 2,2 µs | 80V | 1,2 v | 60 mA | 3750 VRMs | 100% @ 10ma | 200% @ 10ma | 5 µs, 4 µs | 400mV | |||
 | TLP785 (GB-LF6, f | 0,6400 | | 79 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | TLP785 | DC | 1 | Transistor | 4-smd | Herunterladen | ROHS -KONFORM | Nicht Anwendbar | TLP785 (GB-LF6F | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 50 ma | 2 µs, 3 µs | 80V | 1,15 V | 60 mA | 5000 VRMs | 100% @ 5ma | 600% @ 5ma | 3 µs, 3 µs | 400mV | ||
 | EL212 (TA) | - - - | | 5616 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | EL212 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 8-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | C110000100 | Ear99 | 8541.49.8000 | 2.000 | - - - | 1,6 µs, 2,2 µs | 80V | 1,3 v | 60 mA | 3750 VRMs | 50% @ 10 mA | - - - | 3 µs, 3 µs | 400mV | ||
| TLP781F (D4BLL-F7, f | - - - | | 3316 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 110 ° C. | K. Loch | 4-DIP (0,400 ", 10,16 mm) | TLP781f | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 264-TLP781F (D4BLL-F7F | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 50 ma | 2 µs, 3 µs | 80V | 1,15 V | 60 mA | 5000 VRMs | 200% @ 5ma | 400% @ 5ma | 3 µs, 3 µs | 400mV | |||
 | LTV-352T-D | - - - | | 3548 | 0.00000000 | Lite-on Inc. | LTV-352T | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | LTV-352 | DC | 1 | Darlington | 4-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 150 Ma | 100 µs, 20 µs | 300 V | 1,2 v | 50 ma | 3750 VRMs | 1000% @ 1ma | - - - | - - - | 1,2 v | |||
 | SFH6286-4 | 1.2600 | | 1953 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | SFH6286 | AC, DC | 1 | Transistor | 4-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 50 ma | 3,5 µs, 5 µs | 55 v | 1.1V | 50 ma | 5300 VRMs | 160% @ 1ma | 500% @ 1ma | 6 µs, 5,5 µs | 400mV | ||
 | 4N45-060E | 1.2749 | | 6220 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | K. Loch | 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | 4n45 | DC | 1 | Darlington MIT Basis | 6-DIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | 60 mA | - - - | 7v | 1,4 v | 20 ma | 3750 VRMs | 200% @ 10ma | 1000% @ 10 mA | 5 µs, 150 µs | - - - | ||
| FOD2742CR1 | 0,3300 | | 3 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Veraltet | -25 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | DC | 1 | Transistor | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 ma | - - - | 70V | 1,2 v | 2500 VRMs | 100% @ 10ma | 200% @ 10ma | - - - | 400mV | ||||||
 | H11B1M-V | - - - | | 1053 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 0,400 ", 10,16 mm) | H11b1 | DC | 1 | Darlington MIT Basis | 6-DIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 3907150105 | Ear99 | 8541.49.8000 | 65 | - - - | - - - | 55 v | 1,2 v | 60 mA | 5000 VRMs | 500% @ 1ma | - - - | 25 µs, 18 µs | 1V | ||
| EL208 | - - - | | 7163 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 8-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | - - - | 1,6 µs, 2,2 µs | 80V | 1,3 v | 60 mA | 3750 VRMs | 160% @ 10 mA | 320% @ 10 mA | 3 µs, 3 µs | 400mV | ||||
 | 4n25fm | - - - | | 1191 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | 4n25 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 4n25fm-ndr | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - - - | - - - | 30V | 1,18 v | 60 mA | 7500vpk | 20% @ 10 mA | - - - | 2 µs, 2 µs | 500mv |
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