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Optoisolatoren (15788)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Eingabetyp | Anzahl der Kanäle | Ausgangstyp | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Strom - Ausgang / Kanal | Aufstieg / Fallzeit (Typ) | Spannung - Ausgang (max) | Spannung - Vorwärts (VF) (Typ) | Strom - DC Forward (if) (max) | Spannung - Isolation | Strom Halbertragungsverhöltnis (min) | Strom Halbertragungsverhöltnis (max) | Einschalen / Ausschalten (Typ) | VCE -Sättigung (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | ILQ74-X009 | 3.9600 |  | 1 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 16-SMD, Möwenflügel | ILQ74 | DC | 4 | Transistor | 16-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - - - | - - - | 20V | 1,3 v | 60 mA | 5300 VRMs | 12,5% @ 16 Ma | - - - | 3 µs, 3 µs | 500mv | |||
 | TLP191B (MSTPL, C, F. | - - - | | 3298 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd (4 Leitungen), Möwenflügel | DC | Photovoltaik | 6-mfsop, 4 Blei | Herunterladen | 264-TLP191B (MbstPlcf | Ear99 | 8541.49.8000 | 1 | 24 µA | - - - | 8v | 1,4 v | 50 ma | 2500 VRMs | - - - | - - - | 200 µs, 3 ms | - - - | ||||||
 | TLP292-4 (V4-GB, e | 1.7900 | | 6099 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | 16-soic (0,179 ", 4,55 mm BreiTe) | TLP292 | AC, DC | 4 | Transistor | 16 Also | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | 50 ma | 2 µs, 3 µs | 80V | 1,25 V. | 50 ma | 3750 VRMs | 100% @ 5ma | 600% @ 5ma | 3 µs, 3 µs | 300mV | |||
| Tlp121 (y, f) | - - - | | 5341 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd (4 Leitungen), Möwenflügel | TLP121 | DC | 1 | Transistor | 6-mfsop, 4 Blei | - - - | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | TLP121 (YF) | Ear99 | 8541.49.8000 | 125 | 50 ma | 2 µs, 3 µs | 80V | 1,15 V | 50 ma | 3750 VRMs | 50% @ 5ma | 150% @ 5ma | 3 µs, 3 µs | 400mV | ||
 | EL817 (S1) (D) (TB) -g | - - - | | 4500 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | -55 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | DC | 1 | Transistor | 4-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 ma | 6 µs, 8 µs | 80V | 1,2 v | 60 mA | 5000 VRMs | 300% @ 5ma | 600% @ 5ma | - - - | 200mv | ||||
| OR-6N136 | 0,9300 | | 3194 | 0.00000000 | Shenzhen Orient Components Co., Ltd. | - - - | Rohr | Aktiv | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 5007-OR-6N136 | 2.250 | |||||||||||||||||||||
 | MOC8104 | 1.4200 | | 54 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | Moc81 | DC | 1 | Transistor | 6-DIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | 50 ma | 2 µs, 2 µs | 30V | 1,25 V. | 60 mA | 5300 VRMs | 160% @ 10 mA | 256% @ 10 mA | 3 µs, 2,3 µs | 400mV | |||
 | FODM121FR2V | - - - | | 7834 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | FODM12 | DC | 1 | Transistor | 4-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 80 Ma | 3 µs, 3 µs | 80V | 1,3 V (max) | 50 ma | 3750 VRMs | 50% @ 5ma | 600% @ 5ma | - - - | 400mV | |||
 | TLP385 (D4-TPL, e | 0,5400 | | 3 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,173 ", 4,40 mm BreiTe), 4 Leads | TLP385 | DC | 1 | Transistor | 6-so, 4 Blei | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50 ma | 2 µs, 3 µs | 80V | 1,25 V. | 50 ma | 5000 VRMs | 50% @ 5ma | 600% @ 5ma | 3 µs, 3 µs | 300mV | |||
| H11A8173S | 0,0600 | | 1304 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | DC | 1 | Transistor | 4-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Ear99 | 8541.49.8000 | 4.000 | 50 ma | 2,4 µs, 2,4 µs | 70V | 1,2 v | 50 ma | 5300 VRMs | 50% @ 5ma | 600% @ 5ma | - - - | 200mv | |||||
| PS2561BL2-1-A | 0,3761 | | 7723 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | Nepoc | Rohr | Nicht für Designs | -55 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | PS2561 | DC | 1 | Transistor | 4-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | 559-1316 | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 50 ma | 3 µs, 5 µs | 80V | 1.17V | 40 ma | 5000 VRMs | 100% @ 5ma | 400% @ 5ma | - - - | 300mV | |
 | TLP3902 (TPL, U, F) | 1.0712 | | 2518 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd (4 Leitungen), Möwenflügel | TLP3902 | DC | 1 | Photovoltaik | 6-mfsop, 4 Blei | Herunterladen | ROHS -KONFORM | TLP3902 (TPLUF) | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 5 ähm | - - - | 7v | 1,15 V | 50 ma | 2500 VRMs | - - - | - - - | 600 µs, 2 ms | - - - | |||
 | PVI5050NSPBF | 4.3900 | | 36 | 0.00000000 | Internationaler Gleichrichter | PVI | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-smd, Möwenflügel, 4 Leads | DC | 1 | Photovoltaik | 8-smd | Herunterladen | Ear99 | 8541.49.8000 | 69 | 5 ähm | - - - | 5v | - - - | 4000 VRMs | - - - | - - - | 300 µs, 220 µs (max) | - - - | |||||||
| EL814S (TU) -V | - - - | | 6560 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | EL814 | AC, DC | 1 | Transistor | 4-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.500 | - - - | 7 µs, 11 µs | 80V | 1,2 v | 60 mA | 5000 VRMs | 20% @ 1ma | 300% @ 1ma | - - - | 200mv | |||
 | Vo615a-6x006 | 0,1105 | | 9703 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | K. Loch | 4-DIP (0,400 ", 10,16 mm) | VO615 | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 4.000 | 50 ma | 3 µs, 4,7 µs | 70V | 1,43V | 60 mA | 5000 VRMs | 100% @ 5ma | 300% @ 5ma | 6 µs, 5 µs | 300mV | |||
| TLP785F (D4-BLL, f | - - - | | 7615 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | K. Loch | 4-DIP (0,400 ", 10,16 mm) | TLP785 | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 264-TLP785F (D4-BLLF | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 50 ma | 2 µs, 3 µs | 80V | 1,15 V | 60 mA | 5000 VRMs | 200% @ 5ma | 400% @ 5ma | 3 µs, 3 µs | 400mV | |||
 | PC817X2CSP9F | 0,0750 | | 9793 | 0.00000000 | Sharp/Socle -technologie | PC817 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -30 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | DC | 1 | Transistor | 4-smd | Herunterladen | ROHS -KONFORM | Nicht Anwendbar | Veraltet | 0000.00.0000 | 2.000 | 50 ma | 4 µs, 3 µs | 80V | 1,2 v | 50 ma | 5000 VRMs | 50% @ 5ma | 600% @ 5ma | - - - | 200mv | ||||
 | CNY17-2. | 0,6600 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - - - | Rohr | Nicht für Designs | -55 ° C ~ 110 ° C. | K. Loch | 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | CNY17 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-DIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | 50 ma | 2 µs, 2 µs | 70V | 1,39 v | 60 mA | 5000 VRMs | 63% @ 10 mA | 125% @ 10 mA | 3 µs, 2,3 µs | 400mV | ||
 | H11av2 | 0,1844 | | 6383 | 0.00000000 | ISOCOM -Komponenten 2004 Ltd. | H11AV | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-DIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 58-H11AV2 | Ear99 | 8541.49.8000 | 65 | 50 ma | 2 µs, 2 µs | 70V | 1,2 v | 60 mA | 7,5 VPK | 50% @ 10 mA | - - - | - - - | 400mV | ||
 | H11a5m | - - - | | 7283 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | K. Loch | 0,400 ", 10,16 mm) | H11A5 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-DIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 65 | - - - | - - - | 80V | 1,2 v | 60 mA | 5000 VRMs | 30% @ 10 mA | - - - | 3 µs, 3 µs | 400mV | |||
 | H11A4S (TB) -V | - - - | | 7973 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | H11A4 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 3907171145 | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - - - | - - - | 80V | 1,2 v | 60 mA | 5000 VRMs | 10% @ 10 mA | - - - | 3 µs, 3 µs | 400mV | ||
| EL817 (S) (TU) | - - - | | 2781 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | EL817 | DC | 1 | Transistor | 4-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 50 ma | 4 µs, 3 µs | 35 V | 1,2 v | 60 mA | 5000 VRMs | 50% @ 5ma | 600% @ 5ma | - - - | 200mv | |||
 | Vo615a-7x007t | 0,1298 | | 7123 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | VO615 | DC | 1 | Transistor | 4-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 ma | 3 µs, 4,7 µs | 70V | 1,43V | 60 mA | 5000 VRMs | 80% @ 5ma | 160% @ 5ma | 6 µs, 5 µs | 300mV | |||
| PS8902-YV-F3-Achsen | 4.8900 | | 6056 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,543 ", 13.80 mm Breit) | PS8902 | DC | 1 | Transistor | 8-lsdip | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 8ma | - - - | 35 V | 1,65 v | 25 ma | 7500 VRMs | 15% @ 16 Ma | 35% @ 16 Ma | - - - | - - - | ||
 | MOC216VM | - - - | | 6416 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Kasten | Veraltet | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | MOC216 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 8-soic | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 150 Ma | 3,2 µs, 4,7 µs | 30V | 1.07V | 60 mA | 2500 VRMs | 50% @ 1ma | - - - | 7,5 µs, 5,7 µs | 400mV | |||
 | HMHA2801CV | - - - | | 2401 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Kasten | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-Soic (0,173 ", 4,40 mm BreiTe) | HMHA28 | DC | 1 | Transistor | 4-mini-Flat | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50 ma | 3 µs, 3 µs | 80V | 1,3 V (max) | 50 ma | 3750 VRMs | 200% @ 5ma | 400% @ 5ma | - - - | 300mV | |||
 | 4n27m | - - - | | 3809 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | K. Loch | 0,400 ", 10,16 mm) | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-DIP | Herunterladen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1 | - - - | - - - | 80V | 1,2 v | 60 mA | 5000 VRMs | 10% @ 10 mA | - - - | 3 µs, 3 µs | 500mv | ||||||
| ILQ615-4-lb | - - - | | 1806 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | ILQ615 | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 0,300 ", 7,62 mm) | DC | 4 | Transistor | 16-DIP | - - - | 751-ILQ615-4-lb | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 ma | 2 µs, 2 µs | 70V | 1,15 V | 60 mA | 5300 VRMs | 160% @ 10 mA | 320% @ 10 mA | 3 µs, 2,3 µs | - - - | |||||
 | TCDT1122G | 0,7200 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 0,400 ", 10,16 mm) | TCDT1122 | DC | 1 | Transistor | 6-DIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | 50 ma | - - - | 70V | 1,25 V. | 60 mA | 5000 VRMs | 63% @ 10 mA | 125% @ 10 mA | - - - | 300mV |
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