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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Eingabetyp | Anzahl der Kanäle | Ausgangstyp | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Strom - Ausgang / Kanal | Aufstieg / Fallzeit (Typ) | Spannung - Ausgang (max) | Spannung - Vorwärts (VF) (Typ) | Strom - DC Forward (if) (max) | Spannung - Isolation | Strom Halbertragungsverhöltnis (min) | Strom Halbertragungsverhöltnis (max) | Einschalen / Ausschalten (Typ) | VCE -Sättigung (max) | Grad | Qualifikation |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | HCPL-M452#500 | - - - | ![]() | 7955 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,173 ", 4,40 mm Beitite), 5 Leads | DC | 1 | Transistor | 5-so | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 8ma | - - - | 20V | 1,5 v | 25 ma | 3750 VRMs | 20% @ 16 ma | 50% @ 16 ma | 200ns, 600ns | - - - | |||||
![]() | TLP290 (TP, SE | 0,5100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-soic (0,179 ", 4,55 mm BreiTe) | TLP290 | AC, DC | 1 | Transistor | 4-so | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 50 ma | 2 µs, 3 µs | 80V | 1,25 V. | 50 ma | 3750 VRMs | 50% @ 5ma | 600% @ 5ma | 3 µs, 3 µs | 300mV | |||||
![]() | Q817BST1 | 0,4900 | ![]() | 5 | 0.00000000 | QT Brightek (QTB) | Q817 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | Q817 | DC | 1 | Transistor | 4-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 50 ma | 6 µs, 8 µs | 35 V | 1,24 v | 60 mA | 5000 VRMs | 130% @ 5ma | 260% @ 5ma | - - - | 200mv | ||||
![]() | TLX9185 (TOJ2GBTF (o | - - - | ![]() | 3905 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,173 ", 4,40 mm BreiTe), 4 Leads | TLX9185 | DC | 1 | Transistor | 6-Sop | - - - | 264-TLX9185 (TOJ2GBTF (o | Ear99 | 8541.49.8000 | 1 | 50 ma | 3 µs, 5 µs | 80V | 1,27 v | 30 ma | 3750 VRMs | 20% @ 5ma | 600% @ 5ma | 5 µs, 5 µs | 400mV | ||||||
![]() | HCPL-2530-020E | 1.2966 | ![]() | 4559 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 8-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | HCPL-2530 | DC | 2 | Transistor | 8-DIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | 8ma | - - - | 20V | 1,5 v | 25 ma | 5000 VRMs | 7% @ 16 ma | 50% @ 16 ma | 200 ns, 1,3 µs | - - - | ||||
4n32vm | 0,8700 | ![]() | 687 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | 4n32 | DC | 1 | Darlington MIT Basis | 6-DIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | 150 Ma | - - - | 30V | 1,2 v | 80 Ma | 4170 VRMs | 500% @ 10 mA | - - - | 5 µs, 100 µs (max) | 1V | |||||
![]() | PS2561DL-1Y-VLA | - - - | ![]() | 7576 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | Nepoc | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | PS2561 | DC | 1 | Transistor | 4-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | 559-1334 | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 50 ma | 3 µs, 5 µs | 80V | 1,2 v | 40 ma | 5000 VRMs | 200% @ 5ma | 400% @ 5ma | - - - | 300mV | |||
![]() | PS2701A-1-PA | - - - | ![]() | 4173 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | Nepoc | Streiflen | Aktiv | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | PS2701 | DC | 1 | Transistor | 4-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.49.8000 | 20 | 30 ma | 5 µs, 7 µs | 70V | 1,2 v | 30 ma | 3750 VRMs | 150% @ 5ma | 300% @ 5ma | - - - | 300mV | ||||
![]() | PS2501-1-A | 0,1747 | ![]() | 8182 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | Nepoc | Rohr | Nicht für Designs | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | PS2501 | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | 559-1001 | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 50 ma | 3 µs, 5 µs | 80V | 1.17V | 80 Ma | 5000 VRMs | 80% @ 5ma | 600% @ 5ma | - - - | 300mV | |||
![]() | ACPL-844-060E | 0,7799 | ![]() | 4874 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - - - | Rohr | Aktiv | -30 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 0,300 ", 7,62 mm) | ACPL-844 | AC, DC | 4 | Transistor | 16-DIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 25 | 50 ma | 4 µs, 3 µs | 70V | 1,2 v | 50 ma | 5000 VRMs | 20% @ 1ma | 300% @ 1ma | - - - | 200mv | ||||
PS2805-1-A | - - - | ![]() | 4088 | 0.00000000 | Cel | Nepoc | Streiflen | Abgebrochen bei Sic | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-Soic (0,173 ", 4,40 mm BreiTe) | AC, DC | 1 | Transistor | 4-VSSOP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | PS28051A | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 50 ma | 3 µs, 5 µs | 80V | 1.1V | 50 ma | 2500 VRMs | 80% @ 5ma | 600% @ 5ma | - - - | 300mV | |||||
![]() | El816 (s) (d) (td) -v | - - - | ![]() | 3415 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | EL816 | DC | 1 | Transistor | 4-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 50 ma | 4 µs, 3 µs | 80V | 1,2 v | 60 mA | 5000 VRMs | 300% @ 5ma | 600% @ 5ma | - - - | 200mv | |||||
![]() | EL817 (D) -G | 0,1745 | ![]() | 3610 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | K. Loch | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | EL817 | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 3908171506 | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 50 ma | 6 µs, 8 µs | 80V | 1,2 v | 60 mA | 5000 VRMs | 300% @ 5ma | 600% @ 5ma | - - - | 200mv | ||||
![]() | 3c92ctx | 42.5042 | ![]() | 9215 | 0.00000000 | TT Electronics/optek -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 125 ° C. | K. Loch | To-206af, bis 72-4 Metall Kann | DC | 1 | Transistor | To-72-4 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 30 ma | - - - | 50V | 1,2 V (max) | 50 ma | 1000vdc | 30% @ 10 mA | 200% @ 10ma | 9 µs, 6 µs (max) | 400mV | |||||
![]() | IS355 | 0,7900 | ![]() | 660 | 0.00000000 | ISOCOM -Komponenten 2004 Ltd. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | DC | 1 | Darlington | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 80 Ma | 4 µs, 3 µs | 35 V | 1,2 v | 50 ma | 3750 VRMs | 600% @ 1ma | 7500% @ 1ma | - - - | 1V | |||||
![]() | CNY17F2SVM | 0,2223 | ![]() | 3373 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | CNY17F2 | DC | 1 | Transistor | 6-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 ma | 4 µs, 3,5 µs (max) | 70V | 1,35 V. | 60 mA | 4170 VRMs | 63% @ 10 mA | 125% @ 10 mA | 2 µs, 3 µs | 400mV | ||||
![]() | 5962-8981002KYA | 628.3714 | ![]() | 8201 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-Smd-Butt-Gelenk | 5962-8981002 | DC | 1 | Darlington | 8-Dip-Buttfuge | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1 | 40 ma | - - - | 20V | 1,4 v | 10 ma | 1500VDC | 200% @ 5ma | - - - | 2 µs, 8 µs | 110mv | ||||
![]() | PS8501L2-V-Ach | 3.8400 | ![]() | 850 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | Nepoc | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-smd, Möwenflügel | PS8501 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 8-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 559-PS8501L2-V-Ach | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | 8ma | - - - | 35 V | 1,7 v | 25 ma | 5000 VRMs | 15% @ 16 Ma | - - - | - - - | - - - | |||
![]() | TLP733 (D4-GR, M, F) | - - - | ![]() | 7294 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | * | Rohr | Veraltet | TLP733 | - - - | 1 (unbegrenzt) | 264-TLP733 (D4-GRMF) | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||||
![]() | SL5500 | 0,1200 | ![]() | 2052 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-DIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Ear99 | 8541.49.8000 | 21 | 100 ma | - - - | 30V | 1,23V | 100 ma | 5300 VRMs | 40% @ 10 mA | 300% @ 10ma | 20 µs, 50 µs (max) | 400mV | |||||||
![]() | CNY17F4300W | 0,2000 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 0,400 ", 10,16 mm) | DC | 1 | Transistor | 6-DIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 ma | 1 µs, 2 µs | 70V | 1,35 V. | 100 ma | 5300 VRMs | 160% @ 10 mA | 320% @ 10 mA | 2 µs, 3 µs | 300mV | |||||||
![]() | 140817142400 | 0,2900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Würdh Elektronik | WL-OCPT | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | DC | 1 | Transistor | 4-dip-s | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 50 ma | 3 µs, 4 µs | 35 V | 1,24 v | 60 mA | 5000 VRMs | 300% @ 5ma | 600% @ 5ma | - - - | 200mv | |||||
![]() | Tlx9906 (tpl, f | 4.0500 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,173 ", 4,40 mm BreiTe), 4 Leads | TLX9906 | DC | 1 | Photovoltaik | 6-Sop | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | - - - | - - - | 7v | 1,65 v | 30 ma | 3750 VRMs | - - - | - - - | 200 US, 200 µs | - - - | Automobil | AEC-Q101 | ||||
![]() | SFH601-3x002 | - - - | ![]() | 6178 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | SFH601 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50 ma | 3 µs, 14 µs | 100V | 1,25 V. | 60 mA | 5000 VRMs | 100% @ 10ma | 200% @ 10ma | 4,2 µs, 23 µs | 400mV | ||||
![]() | EL816 (S1) (Y) (TB) | - - - | ![]() | 4596 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | -55 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | DC | 1 | Transistor | 4-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 ma | 4 µs, 3 µs | 80V | 1,2 v | 60 mA | 5000 VRMs | 150% @ 5ma | 300% @ 5ma | - - - | 200mv | ||||||
![]() | 6n139m | 1.3700 | ![]() | 1258 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 8-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | 6N139 | DC | 1 | Darlington MIT Basis | 8-DIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | 60 mA | - - - | 18V | 1,3 v | 20 ma | 5000 VRMs | 500% @ 1,6 mA | - - - | 240 ns, 1,3 µs | - - - | ||||
![]() | TIL117-V | - - - | ![]() | 6657 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | K. Loch | 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | Til117 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-DIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 390717L124 | Ear99 | 8541.49.8000 | 65 | - - - | 6 µs, 8 µs | 80V | 1,32v | 60 mA | 5000 VRMs | 50% @ 10 mA | - - - | 10 µs, 9 µs | 400mV | ||||
![]() | EL212-V | - - - | ![]() | 1357 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | EL212 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 8-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | - - - | 1,6 µs, 2,2 µs | 80V | 1,3 v | 60 mA | 3750 VRMs | 50% @ 10 mA | - - - | 3 µs, 3 µs | 400mV | |||||
![]() | TLP120 (GR-TP, F) | - - - | ![]() | 9211 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd (4 Leitungen), Möwenflügel | TLP120 | AC, DC | 1 | Transistor | 6-mfsop, 4 Blei | - - - | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | TLP120 (GR-TPF) | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50 ma | 2 µs, 3 µs | 80V | 1,15 V | 50 ma | 3750 VRMs | 50% @ 5ma | 600% @ 5ma | 3 µs, 3 µs | 400mV | ||||
![]() | EL817 (S1) (TB) -G | - - - | ![]() | 3427 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | -55 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | DC | 1 | Transistor | 4-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 ma | 6 µs, 8 µs | 80V | 1,2 v | 60 mA | 5000 VRMs | 50% @ 5ma | 600% @ 5ma | - - - | 200mv |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
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