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Optoisolatoren (15788)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Eingabetyp | Genehmigungsbehörde | Anzahl der Kanäle | Ausgangstyp | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Strom - Ausgang / Kanal | Aufstieg / Fallzeit (Typ) | Spannung - Ausgang (max) | Spannung - Vorwärts (VF) (Typ) | Strom - DC Forward (if) (max) | Spannung - Isolation | Spannung - Staat | Strom - Auf Status (It (RMS)) (max) | Strom - Hold (ih) | Strom Halbertragungsverhöltnis (min) | Strom Halbertragungsverhöltnis (max) | Einschalen / Ausschalten (Typ) | VCE -Sättigung (max) | NULL -KREUZungskreis | Statischer DV/DT (min) | Strom - LED -Tigger (IFT) (max) | Zeit Drehen |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | CNY64S (a) (ta) -v | 1.4091 |  | 8178 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | CNY64S | DC | 1 | Transistor | 4-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | C110000658 | Ear99 | 8541.49.8000 | 500 | 50 ma | 3 µs, 5 µs | 80V | 1,6 v | 75 Ma | 8200 VRMs | 63% @ 5ma | 125% @ 5ma | 6 µs, 7 µs | 300mV | ||||||||||
| El816 (s) (b) (td) -v | - - - | | 7712 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | EL816 | DC | 1 | Transistor | 4-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 50 ma | 4 µs, 3 µs | 80V | 1,2 v | 60 mA | 5000 VRMs | 130% @ 5ma | 260% @ 5ma | - - - | 200mv | |||||||||||
 | 4N37-X009 | 0,7300 | | 845 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | 4n37 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50 ma | - - - | 30V | 1,2 v | 60 mA | 5000 VRMs | 100% @ 10ma | - - - | 10 µs, 10 µs | - - - | |||||||||||
 | PS2561L2-1-VLA | - - - | | 8988 | 0.00000000 | Cel | Nepoc | Rohr | Abgebrochen bei Sic | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | DC | 1 | Transistor | 4-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 50 ma | 3 µs, 5 µs | 80V | 1.17V | 80 Ma | 5000 VRMs | 200% @ 5ma | 400% @ 5ma | - - - | 300mV | |||||||||||
 | TLP751 (LF2, F) | - - - | | 5641 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 8-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | TLP751 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 8-DIP | - - - | ROHS -KONFORM | Nicht Anwendbar | TLP751 (LF2F) | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | 8ma | - - - | 15 v | 1,65 v | 25 ma | 5000 VRMs | 10% @ 16 ma | - - - | 200ns, 1µs | - - - | ||||||||||
 | Tcmt1101 | 0,6200 | | 5 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-Soic (0,173 ", 4,40 mm BreiTe) | Tcmt1101 | DC | 1 | Transistor | 4-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50 ma | 5,5 µs, 7 µs | 70V | 1,35 V. | 60 mA | 3750 VRMs | 40% @ 10 mA | 80% @ 10ma | 9,5 µs, 8,5 µs | 300mV | ||||||||||
 | HCNR200#300 | 3.1150 | | 5807 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-smd, Möwenflügel | HCNR200 | DC | 1 | Photovoltaik, linearissiert | 8-smd | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 42 | - - - | - - - | - - - | 1,6 v | 25 ma | 5000 VRMs | 0,25% @ 10 mA | 0,75% @ 10 mA | - - - | - - - | ||||||||||
| TCDT1123 | - - - | | 4681 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | TCDT11 | DC | 1 | Transistor | 6-DIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50 ma | 4,2 µs, 4,7 µs | 70V | 1,25 V. | 60 mA | 5000 VRMs | 100% @ 10ma | 200% @ 10ma | 7 µs, 5 µs | 300mV | ||||||||||
| 8275390000 | - - - | | 9286 | 0.00000000 | Weidmüller | - - - | Schüttgut | Veraltet | -25 ° C ~ 60 ° C. | Din -schien | Modul | DC | 1 | Transistor | - - - | Herunterladen | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1 | 100 ma | - - - | 48 v | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | |||||||||||||
 | 140817140210 | 0,2900 | | 59 | 0.00000000 | Würdh Elektronik | WL-OCPT | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | K. Loch | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 50 ma | 3 µs, 4 µs | 35 V | 1,24 v | 60 mA | 5000 VRMs | 130% @ 5ma | 260% @ 5ma | - - - | 200mv | |||||||||||
 | H11AG1TVM | 0,4897 | | 1985 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 0,400 ", 10,16 mm) | H11AG | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-DIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 ma | - - - | 30V | 1,25 V. | 50 ma | 4170 VRMs | 100% @ 1ma | - - - | 5 µs, 5 µs | 400mV | ||||||||||
 | MCT5210m | 1.9100 | | 639 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | MCT5210 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-DIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | 150 Ma | - - - | 30V | 1,25 V. | 50 ma | 4170 VRMs | 70% @ 3ma | - - - | 10 µs, 400 ns | 400mV | ||||||||||
 | SFH6135 | 0,5041 | | 6270 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 8-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | SFH6135 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 8-DIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 8ma | - - - | 25 v | 1,6 v | 25 ma | 5300 VRMs | 7% @ 16 ma | - - - | 300 ns, 300 ns | - - - | ||||||||||
| TLP371 (LF1, F) | - - - | | 5901 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | * | Rohr | Veraltet | TLP371 | - - - | 1 (unbegrenzt) | 264-TLP371 (LF1F) | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||
 | PS2561AL-1-VA | 0,2642 | | 9399 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | Nepoc | Rohr | Nicht für Designs | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | PS2561 | DC | 1 | Transistor | 4-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | 559-1280 | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 30 ma | 3 µs, 5 µs | 70V | 1,2 v | 30 ma | 5000 VRMs | 50% @ 5ma | 400% @ 5ma | - - - | 300mV | |||||||||
| RV1S2285ACCSP-10YV#KC0 | 1.9400 | | 9408 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 115 ° C. | Oberflächenhalterung | 0,295 ", 7,50 mm Breit) | RV1S2285 | AC, DC | 1 | Transistor | 4-lssop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.500 | 30 ma | 4 µs, 5 µs | 80V | 1,15 V | 30 ma | 5000 VRMs | 50% @ 5ma | 400% @ 5ma | - - - | 300mV | ||||||||||
 | SFH1690BT | 0,8900 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | SFH1690 | DC | 1 | Transistor | 4-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50 ma | 3 µs, 4 µs | 70V | 1,15 V | 50 ma | 3750 VRMs | 100% @ 5ma | 300% @ 5ma | 5 µs, 3 µs | 400mV | ||||||||||
 | HMA121CR4 | - - - | | 5668 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | HMA121 | DC | 1 | Transistor | 4-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 80 Ma | 3 µs, 3 µs | 80V | 1,3 V (max) | 50 ma | 3750 VRMs | 100% @ 5ma | 200% @ 5ma | - - - | 400mV | |||||||||||
| TLP552 (LF1, F) | - - - | | 3526 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | * | Rohr | Veraltet | TLP552 | - - - | 1 (unbegrenzt) | 264-TLP552 (LF1F) | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||
 | H11A2XSM | 0,2012 | | 8538 | 0.00000000 | ISOCOM -Komponenten 2004 Ltd. | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | H11a2 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 65 | 50 ma | 2 µs, 2 µs | 30V | 1,2 v | 60 mA | 5300 VRMs | 20% @ 10 mA | - - - | - - - | 400mV | ||||||||||
 | LTV-357T-D | 0,1238 | | 4331 | 0.00000000 | Lite-on Inc. | LTV-357T | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | LTV-357 | DC | 1 | Transistor | 4-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50 ma | 4 µs, 3 µs | 35 V | 1,2 v | 50 ma | 3750 VRMs | 300% @ 5ma | 600% @ 5ma | - - - | 200mv | |||||||||||
| EL4503S (TA) -V | 0,7503 | | 5437 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-smd, Möwenflügel | EL4503 | DC | 1 | Transistor | 8-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | C170000053 | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 8ma | - - - | 20V | 1,45 v | 25 ma | 5000 VRMs | 19% @ 16ma | 50% @ 16 ma | 350ns, 300 ns | - - - | ||||||||||
 | 8019590000 | - - - | | 4892 | 0.00000000 | Weidmüller | - - - | Schüttgut | Veraltet | -25 ° C ~ 40 ° C. | Din -schien | Modul | DC | 1 | Transistor | - - - | Herunterladen | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1 | 500 mA | - - - | 48 v | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | |||||||||||||
 | PS2701A-1-PA | - - - | | 7427 | 0.00000000 | Cel | Nepoc | Rohr | Abgebrochen bei Sic | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | DC | 1 | Transistor | 4-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | PS2701A1PA | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 30 ma | 5 µs, 7 µs | 70V | 1,2 v | 30 ma | 3750 VRMs | 150% @ 5ma | 300% @ 5ma | - - - | 300mV | ||||||||||
| VO4258M-X007T | 1.4021 | | 1624 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | VO4258 | BSI, cur, fimko, ur | 1 | Triac | 6-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 1,2 v | 60 mA | 5300 VRMs | 800 V | 300 ma | - - - | NEIN | 5kV/µs | 3ma | - - - | |||||||||||
 | FOD2741BV | 0,6500 | | 1 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | K. Loch | 8-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | DC | 1 | Transistor | 8-DIP | Herunterladen | Ear99 | 8541.49.8000 | 502 | 50 ma | - - - | 30V | 1,5 V (max) | 5000 VRMs | 100% @ 10ma | 200% @ 10ma | - - - | 400mV | |||||||||||||||
| HMAA2705 | - - - | | 8067 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Kasten | Veraltet | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | HMAA27 | AC, DC | 1 | Transistor | 4-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 80 Ma | 3 µs, 3 µs | 40V | 1,3 V (max) | 50 ma | 3750 VRMs | 50% @ 5ma | 300% @ 5ma | - - - | 300mV | |||||||||||
| ACPL-827-56BE | 0,3604 | | 7741 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -30 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-smd, Möwenflügel | ACPL-827 | DC | 2 | Transistor | 8-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 ma | 4 µs, 3 µs | 70V | 1,2 v | 50 ma | 5000 VRMs | 130% @ 5ma | 260% @ 5ma | - - - | 200mv | ||||||||||
| ILD55 | 2.6900 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 8-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | ILD55 | DC | 2 | Darlington | 8-DIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | 125 Ma | 10 µs, 35 µs | 55 v | 1,25 V. | 60 mA | 5300 VRMs | 100% @ 10ma | - - - | - - - | 1V | |||||||||||
| TLP2531 (QCPL4532, f | - - - | | 4357 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 8-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | TLP2531 | DC | 2 | Transistor -MIT -Basis | 8-DIP | Herunterladen | 264-TLP2531 (QCPL4532F | Ear99 | 8541.49.8000 | 1 | 8ma | - - - | 15 v | 1,65 v | 25 ma | 2500 VRMs | 19% @ 16ma | 30% @ 16 ma | 200 ns, 300 ns | - - - |
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