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| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | SPANNUNG - Verrorane | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Taktfrequenz | Speichertyp | Speichergrö | Zugriffszeit | Speicherformat | Speicherorganisation | Speicherschnittstelle | Zykluszeitscheiben - Würze, Site | SIC -Programmierbar |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MTFC64GBCAQTC-AAT ES TR | 29.4000 |  | 7673 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | 557-MTFC64GBCAQTC-ETESTR | 2.000 | ||||||||||||||||||||||
| 7008L12PFI | - - - | | 6204 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Tablett | Lets Kaufen | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 100-LQFP | SRAM - Dual -Port, Asynchron | 4,5 V ~ 5,5 V. | 100-TQFP (14x14) | - - - | 800-7008L12PFI | 1 | Flüchtig | 512Kbit | 12 ns | Sram | 64k x 8 | Parallel | 12ns | |||||||||
 | IS42S32800D-6BI | - - - | | 2686 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 90-tfbga | IS42S32800 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 90-TFBGA (8x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0024 | 240 | 166 MHz | Flüchtig | 256mbit | 5.4 ns | Dram | 8m x 32 | Parallel | - - - | |||
 | N25Q128A11EF840E | - - - | | 6016 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-VDFN Exposed Pad | N25Q128A11 | Flash - Nor | 1,7 V ~ 2 V | 8-VDFPN (MLP8) (8x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 557-1559 | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.920 | 108 MHz | Nicht Flüchtig | 128mbit | Blitz | 32m x 4 | Spi | 8 ms, 5 ms | |||
 | CY62137BV18LL-70BAI | 3.2000 | | 6 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | MBL2 ™ | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-tfbga | Cy62137 | SRAM - Asynchron | 1,75 V ~ 1,95 V. | 48-FBGA (7x7) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | Reichweiite Betroffen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 1 | Flüchtig | 2mbit | 70 ns | Sram | 128k x 16 | Parallel | 70ns | ||||
 | CY7C199D-10VXI | 3.0700 | | 723 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 28-BSOJ (0,300 ", 7,62 mm Breit) | Cy7C199 | SRAM - Asynchron | 4,5 V ~ 5,5 V. | 28-soj | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0041 | 1,350 | Flüchtig | 256Kbit | 10 ns | Sram | 32k x 8 | Parallel | 10ns | ||||
 | MT53B768M32D4NQ-062 AIT: B Tr | - - - | | 9970 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 200-VFBGA | MT53B768 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | 200-VFBGA (10x14,5) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0036 | 2.000 | 1,6 GHz | Flüchtig | 24gbit | Dram | 768 mx 32 | - - - | - - - | ||||
| GD25WQ40EEIGR | 0,4222 | | 3181 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25WQ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-XFDFN Exposed Pad | Flash - Nor (SLC) | 1,65 V ~ 3,6 V. | 8-uson (3x2) | Herunterladen | 1970-GD25WQ40EEIGRTR | 3.000 | 104 MHz | Nicht Flüchtig | 4mbit | 7 ns | Blitz | 512k x 8 | Spi - quad i/o | 120 µs, 4 ms | ||||||||
 | M95M01-DWDW3TP/K. | 3.2100 | | 1 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm Breit) | M95M01 | Eeprom | 2,5 V ~ 5,5 V | 8-tssop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0051 | 4.000 | 16 MHz | Nicht Flüchtig | 1Mbit | Eeprom | 128k x 8 | Spi | 4 ms | ||||
 | 93C76BT-I/MS | - - - | | 4621 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-TSSOP, 8-MSOP (0,118 ", 3,00 mm Breit) | 93c76 | Eeprom | 4,5 V ~ 5,5 V. | 8-msop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0051 | 2.500 | 3 MHz | Nicht Flüchtig | 8kbit | Eeprom | 512 x 16 | Mikrowire | 2 ms | ||||
| NDS76PT5-16AT TR | 2.6335 | | 4158 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | * | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 1982-NDS76PT5-16ATTR | 1.000 | ||||||||||||||||||||
 | AS7C1024B-12JCNTR | 2.9779 | | 7595 | 0.00000000 | Alliance Memory, Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 32-BSOJ (0,400 ", 10,16 mm Breit) | AS7C1024 | SRAM - Asynchron | 4,5 V ~ 5,5 V. | 32-soj | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0041 | 1.000 | Flüchtig | 1Mbit | 12 ns | Sram | 128k x 8 | Parallel | 12ns | ||||
 | 24lc16b-i/stg | - - - | | 2316 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm Breit) | 24lc16b | Eeprom | 2,5 V ~ 5,5 V | 8-tssop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.32.0051 | 100 | 400 kHz | Nicht Flüchtig | 16Kbit | 900 ns | Eeprom | 2k x 8 | I²c | 5 ms | ||||
 | 70V35L20PF | - - - | | 2897 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 100-LQFP | 70V35L | SRAM - Dual -Port, Asynchron | 3v ~ 3,6 V | 100-TQFP (14x14) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0041 | 6 | Flüchtig | 144Kbit | 20 ns | Sram | 8k x 18 | Parallel | 20ns | ||||
 | 70V3379S6BF | 98.3007 | | 9689 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 208-LFBGA | 70v3379 | SRAM - Dual -Port, Synchron | 3,15 V ~ 3,45 V. | 208-Cabga (15x15) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 7 | Flüchtig | 576Kbit | 6 ns | Sram | 32k x 18 | Parallel | - - - | ||||
 | S25FS128SAGMFI101 | - - - | | 9865 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | Fs-s | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,209 ", 5,30 mm Breit) | S25FS128 | Flash - Nor | 1,7 V ~ 2 V | 8-soic | Herunterladen | Rohs Nick Konform | Verkäfer undefiniert | 2166-S25FS128SAGMFI101-428 | 1 | 133 MHz | Nicht Flüchtig | 128mbit | Blitz | 16 mx 8 | Spi - quad i/o, qpi | - - - | Verifiziert | |||||
 | CY7C026AV-25AXCKJ | 23.9200 | | 130 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Verkäfer undefiniert | UnberÜHrt Ereichen | 2156-CY7C026AV-25AXCKJ-428 | 1 | ||||||||||||||||||||
 | MX29F040CTI-70G | 4.3700 | | 10 | 0.00000000 | MACRONIX | MX29f | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 32-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | MX29F040 | Flash - Nor | 4,5 V ~ 5,5 V. | 32-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 156 | Nicht Flüchtig | 4mbit | 70 ns | Blitz | 512k x 8 | Parallel | 70ns | ||||
| Sm671pac-adss | - - - | | 2984 | 0.00000000 | Silicon Motion, Inc. | Ferri-UFS ™ | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 105 ° C. | Oberflächenhalterung | 153-tfbga | SM671 | Flash - Nand (SLC), Flash - Nand (TLC) | - - - | 153-BGA (11,5x13) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 1984-sm671pac-adss | Veraltet | 1 | Nicht Flüchtig | 160gbit | Blitz | 20g x 8 | UFS2.1 | - - - | ||||||
| W988d6fbgx7i | - - - | | 9241 | 0.00000000 | Winbond Electronics | - - - | Tablett | Lets Kaufen | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 54-tfbga | W988D6 | SDRAM - Mobile LPSDR | 1,7 V ~ 1,95 V. | 54-VFBGA (8x9) | - - - | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 256-W988D6FBGX7I | 1 | 133 MHz | Flüchtig | 256mbit | 5.4 ns | Dram | 16m x 16 | Lvcmos | 15ns | |||||
| IDT71V67703S85PFI | - - - | | 1270 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 100-LQFP | IDT71V67703 | SRAM - Synchron, SDR | 3,135 V ~ 3,465V | 100-TQFP (14x14) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 71V67703S85Pfi | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 72 | 87 MHz | Flüchtig | 9mbit | 8.5 ns | Sram | 256k x 36 | Parallel | - - - | ||
| CG8254AAT | - - - | | 7850 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | Veraltet | 1.000 | ||||||||||||||||||||
| CY7C1021DV33-10BVXIKB | 1.9100 | | 1 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Verkäfer undefiniert | UnberÜHrt Ereichen | 2156-CY7C1021DV33-10BVXIKB-428 | 1 | ||||||||||||||||||||
 | IS61NLP12836EC-200B3LI-TR | 7.7561 | | 1239 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 165-Tbga | IS61NLP12836 | SRAM - Synchron, SDR | 3,135 V ~ 3,465V | 165-tfbga (13x15) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 2.000 | 200 MHz | Flüchtig | 4,5mbit | 3.1 ns | Sram | 128k x 36 | Parallel | - - - | |||
| 70V25L35Pfi | - - - | | 7030 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 100-LQFP | 70V25L | SRAM - Dual -Port, Asynchron | 3v ~ 3,6 V | 100-TQFP (14x14) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | Ear99 | 8542.32.0041 | 90 | Flüchtig | 128Kbit | 35 ns | Sram | 8k x 16 | Parallel | 35ns | |||||
 | MT29F2G01ABAGDSF-IT: G Tr | - - - | | 4528 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 16-soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe) | MT29F2G01 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V. | 16 Also | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.000 | Nicht Flüchtig | 2Gbit | Blitz | 2g x 1 | Spi | - - - | |||||
 | IS43LD32640B-18BLI | 11.6591 | | 3570 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Lets Kaufen | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 134-tfbga | IS43LD32640 | SDRAM - Mobile LPDDR2 -S4 | 1,14 V ~ 1,95 V. | 134-tfbga (10x11.5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0036 | 171 | 533 MHz | Flüchtig | 2Gbit | Dram | 64m x 32 | Parallel | 15ns | ||||
| CG5816AA | - - - | | 5301 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8542.32.0041 | 1 | ||||||||||||||||||
 | 24cs256t-e/ot | 0,9300 | | 2 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | SC-74A, SOT-753 | Flash - Nand, Dram - LPDDR | 1,7 V ~ 5,5 V. | SOT-23-5 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0051 | 3.000 | 1 MHz | Nicht Flüchtig | 256Kbit | 400 ns | Eeprom | 32k x 8 | I²c | 5 ms | ||||
| S27KL0641DABHB020 | 3.5500 | | 89 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - - - | Schüttgut | Veraltet | - - - | 2156-S27KL0641DABHB020 | 89 |
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