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| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | SPANNUNG - Verrorane | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Taktfrequenz | Speichertyp | Speichergrö | Zugriffszeit | Speicherformat | Speicherorganisation | Speicherschnittstelle | Zykluszeitscheiben - Würze, Site | SIC -Programmierbar |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | CY7C1568V18-375BZXC | - - - |  | 3195 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 165-lbga | Cy7C1568 | SRAM - Synchron, DDR II | 1,7 V ~ 1,9 V. | 165-FBGA (15x17) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 105 | 375 MHz | Flüchtig | 72Mbit | Sram | 2m x 36 | Parallel | - - - | ||||
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 | JS28F128M29EWHF | - - - | | 2423 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 56-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | JS28F128M29 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 56-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 576 | Nicht Flüchtig | 128mbit | 70 ns | Blitz | 16m x 8, 8m x 16 | Parallel | 70ns | ||||
 | AT25SF128A-CCUB-T | 1.7100 | | 535 | 0.00000000 | Adesto Technologies | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 24-Tbga | AT25SF128 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 24-TFBGA (6x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 2.000 | 133 MHz | Nicht Flüchtig | 128mbit | Blitz | 16 mx 8 | Spi - quad i/o | 50 µs, 2,4 ms | ||||
 | CY62128BNLL-70ZXA | 1.2400 | | 589 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | MBL® | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 32-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | Cy62128 | SRAM - Asynchron | 4,5 V ~ 5,5 V. | 32-tsop i | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Ear99 | 8542.32.0041 | 243 | Flüchtig | 1Mbit | 70 ns | Sram | 128k x 8 | Parallel | 70ns | Nicht Verifiziert | |||||
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| IS43LD32128C-25BPL-TR | - - - | | 1600 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 706-IS43LD32128C-25BPL-TR | Ear99 | 8542.32.0036 | 1 | |||||||||||||||||
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 | CY62256VL-70SNC | 1.8900 | | 256 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | MBL® | Schüttgut | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 28-Soic (0,295 ", 7,50 mm Breit) | Cy62256 | SRAM - Asynchron | 2,7 V ~ 3,6 V. | 28-soic | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8542.32.0041 | 1 | Flüchtig | 256Kbit | 70 ns | Sram | 32k x 8 | Parallel | 70ns | ||||
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 | IDT71T75602S133PF | - - - | | 8411 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 100-LQFP | IDT71T75 | SRAM - Synchron, SDR (ZBT) | 2.375 V ~ 2,625 V. | 100-TQFP (14x14) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 71T75602S133PF | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 72 | 133 MHz | Flüchtig | 18mbit | 4.2 ns | Sram | 512k x 36 | Parallel | - - - | ||
| 7052L35PQF | - - - | | 8821 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 132-BQFP-Stoßfänger | 7052L35 | SRAM - Quad -Port, Asynchron | 4,5 V ~ 5,5 V. | 132-PQFP (24.13x24.13) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0041 | 18 | Flüchtig | 16Kbit | 35 ns | Sram | 2k x 8 | Parallel | 35ns | ||||
 | STK11C68-SF25itr | - - - | | 7349 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 28-SOIC (0,342 ", 8,69 mm Breit) | STK11c68 | NVSRAM (NICTFLÜCHTIGES SRAM) | 4,5 V ~ 5,5 V. | 28-soic | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0041 | 1.000 | Nicht Flüchtig | 64Kbit | 25 ns | NVSRAM | 8k x 8 | Parallel | 25ns | ||||
 | 71V2556SA100BGI | 16.5291 | | 1190 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 119-Bga | 71V2556 | SRAM - Synchron, SDR (ZBT) | 3,135 V ~ 3,465V | 119-PBGA (14x22) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 84 | 100 MHz | Flüchtig | 4,5mbit | 5 ns | Sram | 128k x 36 | Parallel | - - - | |||
 | MT53B128M32D1DS-062 AAT: a Tr | - - - | | 1216 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 200-WFBGA | MT53B128 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA (10x14,5) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0036 | 2.000 | 1,6 GHz | Flüchtig | 4Gbit | Dram | 128 mx 32 | - - - | - - - | ||||
 | IDT71V3578YS133PFI | - - - | | 5337 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 100-LQFP | IDT71V3578 | SRAM - Synchron, SDR | 3,135 V ~ 3,465V | 100-TQFP (14x20) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 71V3578YS133PFI | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 72 | 133 MHz | Flüchtig | 4,5mbit | 4.2 ns | Sram | 256k x 18 | Parallel | - - - | ||
 | IS61VPD102418A-250B3 | - - - | | 3920 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 165-Tbga | IS61VPD102418 | SRAM - Quad -Port, Synchron | 2.375 V ~ 2,625 V. | 165-PBGA (13x15) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 144 | 250 MHz | Flüchtig | 18mbit | 2.6 ns | Sram | 1m x 18 | Parallel | - - - | |||
 | S29CL032J0RFFM010 | 15.3400 | | 3491 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | Cl-J | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 80 lbga | S29CL032 | Flash - Nor | 1,65 V ~ 3,6 V. | 80-FBGA (13x11) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 180 | 75 MHz | Nicht Flüchtig | 32Mbit | 54 ns | Blitz | 1m x 32 | Parallel | 60ns | |||||
 | CYDMX064A16-90BVXI | - - - | | 4811 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 100-VFBGA | Cydmx | SRAM - Dual Port, MOBL | 1,8 V ~ 3,3 V. | 100-VFBGA (6x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0041 | 429 | Flüchtig | 64Kbit | 90 ns | Sram | 4k x 16 | Parallel | 90ns | ||||
 | CY7C1021B-12VC | - - - | | 2302 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - - - | Rohr | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 44-BSOJ (0,400 ", 10,16 mm Breit) | Cy7C1021 | SRAM - Asynchron | 4,5 V ~ 5,5 V. | 44-soj | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 90 | Flüchtig | 1Mbit | 12 ns | Sram | 64k x 16 | Parallel | 12ns | Nicht Verifiziert | |||||
 | CY7C1412KV18-250BZI | 51.9400 | | 9318 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 165-lbga | Cy7C1412 | SRAM - Synchron, Qdr II | 1,7 V ~ 1,9 V. | 165-FBGA (13x15) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 272 | 250 MHz | Flüchtig | 36Mbit | Sram | 2m x 18 | Parallel | - - - | ||||
 | N82802AC8 | 6.6800 | | 20 | 0.00000000 | Intel | - - - | Schüttgut | Aktiv | - - - | Nicht Anwendbar | 3 (168 Stunden) | Verkäfer undefiniert | 0000.00.0000 | 750 | |||||||||||||||||||
 | SM662GEF Best | 181.5200 | | 25 | 0.00000000 | Silicon Motion, Inc. | Ferri-emmc® | Tablett | Aktiv | - - - | Oberflächenhalterung | 100 lbga | Flash - Nand (TLC) | - - - | 100-bga (14x18) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 1984-SM662GEFBEST | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 980 | Nicht Flüchtig | - - - | Blitz | EMMC | - - - | ||||||
 | FM28V020-T28G | - - - | | 8716 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | F-RAM ™ | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 28-tssop (0,465 ", 11.80 mm Breit) | FM28V020 | Fram (Ferroelektrischer Ram) | 2v ~ 3,6 V | 28-tsop i | Herunterladen | 1 | Nicht Flüchtig | 256Kbit | 140 ns | Fram | 32k x 8 | Parallel | 140ns | Nicht Verifiziert | ||||||||
| CY7C1620KV18-333BZXI | 296.1900 | | 86 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 165-lbga | Cy7C1620 | SRAM - Synchron, DDR II | 1,7 V ~ 1,9 V. | 165-FBGA (15x17) | Herunterladen | 2 | 333 MHz | Flüchtig | 144mbit | Sram | 4m x 36 | Parallel | - - - | Nicht Verifiziert | ||||||||
 | T7B76UT-C | 24.2500 | | 1436 | 0.00000000 | Prolabs | * | Einzelhandelspaket | Aktiv | - - - | ROHS -KONFORM | 4932-T7B76UT-C | Ear99 | 8473.30.5100 | 1 |
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