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| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | SPANNUNG - Verrorane | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Taktfrequenz | Speichertyp | Speichergrö | Zugriffszeit | Speicherformat | Speicherorganisation | Speicherschnittstelle | Zykluszeitscheiben - Würze, Site |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT47H128M8SH-25E ES: M TR | 3.7664 |  | 2814 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 60-tfbga | MT47H128M8 | SDRAM - DDR2 | 1,7 V ~ 1,9 V. | 60-FBGA (8x10) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | MT47H128M8SH-25EIT: MTR | Ear99 | 8542.32.0032 | 2.000 | 400 MHz | Flüchtig | 1Gbit | 400 ps | Dram | 128 MX 8 | Parallel | 15ns | |
| MTFC64GASAONS-AAT | 41.4750 | | 1319 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Kasten | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 153-tfbga | Flash - Nand (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V. | 153-TFBGA (11,5x13) | - - - | 557-MTFC64Gasaons-Aat | 1 | 52 MHz | Nicht Flüchtig | 512Gbit | Blitz | 64g x 8 | UFS2.1 | - - - | ||||||||
 | FM93C66LVMT8 | - - - | | 8439 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm Breit) | 93c66 | Eeprom | 2,7 V ~ 5,5 V. | 8-tssop | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8542.32.0051 | 1 | 250 kHz | Nicht Flüchtig | 4kbit | Eeprom | 256 x 16 | Mikrowire | 15 ms | |||
| MT62F1536M64D8EK-023 AIT: B Tr | 86.2050 | | 1195 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 95 ° C. | Oberflächenhalterung | 441-tfbga | SDRAM - Mobile LPDDR5 | - - - | 441-tfbga (14x14) | - - - | 557-MT62F1536M64D8EK-023AIT: BTR | 1.500 | 4,266 GHz | Flüchtig | 96Gbit | Dram | 1,5 GX 64 | Parallel | - - - | ||||||||
| 71321SA17TFI8 | - - - | | 6668 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Lets Kaufen | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 64-LQFP | SRAM - Dual -Port, Asynchron | 4,5 V ~ 5,5 V. | 64-TQFP (10x10) | - - - | 800-71321SA17TFI8TR | 1 | Flüchtig | 16Kbit | 17 ns | Sram | 2k x 8 | Parallel | 17ns | ||||||||
| A2257216-C | 125.0000 | | 9770 | 0.00000000 | Prolabs | * | Einzelhandelspaket | Aktiv | - - - | ROHS -KONFORM | 4932-A2257216-C | Ear99 | 8473.30.5100 | 1 | ||||||||||||||||||
 | DS2432P-W0A+1T | - - - | | 9531 | 0.00000000 | Analog Devices Inc./Maxim Integrierert | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 6-smd, J-Lead | DS2432 | Eeprom | 2,8 V ~ 5,25 V | 6-tSoc | - - - | ROHS3 -KONFORM | 175-ds2432P-W0A+1TTR | Veraltet | 4.000 | Nicht Flüchtig | 1kbit | 2 µs | Eeprom | 1k x 1 | 1-Wire® | 10 ms | |||||
 | Cat93c46ryi-g | - - - | | 9266 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm Breit) | Cat93c46 | Eeprom | 1,8 V ~ 5,5 V. | 8-tssop | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0051 | 100 | 4 MHz | Nicht Flüchtig | 1kbit | Eeprom | 128 x 8, 64 x 16 | Mikrowire | - - - | ||||
 | IS63LV1024-10KI | - - - | | 4080 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 32-BSOJ (0,400 ", 10,16 mm Breit) | IS63LV1024 | SRAM - Asynchron | 3,15 V ~ 3,45 V. | 32-soj | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 21 | Flüchtig | 1Mbit | 10 ns | Sram | 128k x 8 | Parallel | 10ns | |||
| S29PL064J60BFI070 | 7.9800 | | 6134 | 0.00000000 | Infineon -technologien | PL-J | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-VFBGA | S29PL064 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 48-VFBGA (8.15x6.15) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 338 | Nicht Flüchtig | 64Mbit | 60 ns | Blitz | 4m x 16 | Parallel | 60ns | |||
 | 71V35761S183BGG8 | - - - | | 7619 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 119-Bga | 71v35761s | SRAM - Synchron, SDR | 3,135 V ~ 3,465V | 119-PBGA (14x22) | Herunterladen | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 1.000 | 183 MHz | Flüchtig | 4,5mbit | 3.3 ns | Sram | 128k x 36 | Parallel | - - - | |||
| 70V05L20J8 | - - - | | 4955 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 68-LCC (J-Lead) | 70V05L | SRAM - Dual -Port, Asynchron | 3v ~ 3,6 V | 68-PLCC (24.21x24.21) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0041 | 250 | Flüchtig | 64Kbit | 20 ns | Sram | 8k x 8 | Parallel | 20ns | |||
 | Cat24c64wi | - - - | | 1806 | 0.00000000 | Catalyst Semiconductor Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 2156-CAT24C64WI-736 | 1 | |||||||||||||||||||
| S29GL01GS11TFB010YZK000 | - - - | | 8322 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Automobil, AEC-Q100, GL-S | Schüttgut | Lets Kaufen | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 56-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | Flash - Nor (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V. | 56-tsop | - - - | 1 | Nicht Flüchtig | 1Gbit | 110 ns | Blitz | 128 MX 8 | CFI | 60ns | |||||||||
 | W25Q40EWSNBG | - - - | | 5141 | 0.00000000 | Winbond Electronics | Spiflash® | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | W25Q40 | Flash - Nor | 1,65 V ~ 1,95 V. | 8-soic | - - - | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 256-W25Q40EWSNBG | Veraltet | 1 | 104 MHz | Nicht Flüchtig | 4mbit | 6 ns | Blitz | 512k x 8 | Spi - quad i/o, qpi | 30 µs, 800 µs | |||
 | AT28BV256-20SU | 12.9300 | | 5436 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 28-Soic (0,295 ", 7,50 mm Breit) | AT28BV256 | Eeprom | 2,7 V ~ 3,6 V. | 28-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | AT28BV25620SU | Ear99 | 8542.32.0051 | 27 | Nicht Flüchtig | 256Kbit | 200 ns | Eeprom | 32k x 8 | Parallel | 10 ms | ||
 | 23a1024-i/st | 2.7400 | | 1 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm Breit) | 23A1024 | Sram | 1,7 V ~ 2,2 V. | 8-tssop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0051 | 100 | 20 MHz | Flüchtig | 1Mbit | Sram | 128k x 8 | Spi - quad i/o | - - - | |||
 | IS61WV6416EELLL-10BLI | 1.6819 | | 6894 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-tfbga | IS61WV6416 | SRAM - Asynchron | 2,4 V ~ 3,6 V. | 48-tfbga (6x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 480 | Flüchtig | 1Mbit | 10 ns | Sram | 64k x 16 | Parallel | 10ns | |||
 | 24FC01-E/SN36KVAO | - - - | | 2005 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Automobil, AEC-Q100 | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | 24FC01 | Eeprom | 1,7 V ~ 5,5 V. | 8-soic | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 150-24FC01-E/SN36KVAO | Ear99 | 8542.32.0051 | 100 | 1 MHz | Nicht Flüchtig | 1kbit | 450 ns | Eeprom | 128 x 8 | I²c | 5 ms | |||
 | 71V35761S183PFGI8 | 9.1182 | | 3819 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 100-LQFP | 71v35761s | SRAM - Synchron, SDR | 3,135 V ~ 3,465V | 100-TQFP (14x14) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 1.000 | 183 MHz | Flüchtig | 4,5mbit | 3.3 ns | Sram | 128k x 36 | Parallel | - - - | ||
 | S70FL01GSDSMFV010 | 15.2600 | | 1966 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Fl-s | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 16-soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe) | S70FL01 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 16-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 2.400 | 80 MHz | Nicht Flüchtig | 1Gbit | Blitz | 128 MX 8 | Spi - quad i/o | - - - | |||
| IS43DR16128C-25DBL-TR | 6.2016 | | 5623 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 84-tfbga | SDRAM - DDR2 | 1,7 V ~ 1,9 V. | 84-TWBGA (8x12,5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 706-IS43DR16128C-25DBL-TR | 2.500 | 400 MHz | Flüchtig | 2Gbit | 400 ns | Dram | 128 MX 16 | SSTL_18 | 15ns | |||||
 | 3TQ35AT-C | 28.0000 | | 4765 | 0.00000000 | Prolabs | * | Einzelhandelspaket | Aktiv | - - - | ROHS -KONFORM | 4932-3TQ35AT-C | Ear99 | 8473.30.5100 | 1 | ||||||||||||||||||
 | MT41K256M8DA-125: k | 5.3700 | | 29 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 78-tfbga | MT41K256M8 | SDRAM - DDR3L | 1,283v ~ 1,45 V. | 78-FBGA (8x10.5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0036 | 1 | 800 MHz | Flüchtig | 2Gbit | 13.75 ns | Dram | 256 mx 8 | Parallel | - - - | ||
 | M95M01-DFMN6TP | 1.8500 | | 5272 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | M95M01 | Eeprom | 1,7 V ~ 5,5 V. | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0051 | 2.500 | 16 MHz | Nicht Flüchtig | 1Mbit | Eeprom | 128k x 8 | Spi | 5 ms | |||
 | MX25L12833FMI-10G | 2.5900 | | 23 | 0.00000000 | MACRONIX | MXSMIO ™ | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 16-soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe) | MX25L12833 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 16-so-sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 1092-1229 | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 44 | 133 MHz | Nicht Flüchtig | 128mbit | Blitz | 16 mx 8 | Spi - quad i/o, qpi | 40 µs, 1,2 ms | ||
 | IS61LPD51236A-250B3LI-TR | 20.1000 | | 8075 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 165-Tbga | IS61LPD51236 | SRAM - Synchron, SDR | 3,135 V ~ 3,465V | 165-PBGA (13x15) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 2.000 | 250 MHz | Flüchtig | 18mbit | 2.6 ns | Sram | 512k x 36 | Parallel | - - - | ||
 | S25FL164K0XBHIS20 | 0,8300 | | 1016 | 0.00000000 | Spansion | FL1-K | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 24-Tbga | S25FL164 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 24-bga (8x6) | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 3a991b1a | 0000.00.0000 | 338 | 108 MHz | Nicht Flüchtig | 64Mbit | Blitz | 8m x 8 | Spi - quad i/o | 3 ms | |||||
| W25Q64FVSH01 | - - - | | 2253 | 0.00000000 | Winbond Electronics | Spiflash® | Rohr | Veraltet | - - - | - - - | - - - | W25Q64 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | - - - | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Veraltet | 0000.00.0000 | 1 | 104 MHz | Nicht Flüchtig | 64Mbit | Blitz | 8m x 8 | Spi - quad i/o, qpi | 3 ms | |||
| SNPP4T2FC/4G-C | 19.7500 | | 3709 | 0.00000000 | Prolabs | * | Einzelhandelspaket | Aktiv | - - - | ROHS -KONFORM | 4932-SNPP4T2FC/4G-C | Ear99 | 8473.30.5100 | 1 |
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