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| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | SPANNUNG - Verrorane | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Taktfrequenz | Speichertyp | Speichergrö | Zugriffszeit | Speicherformat | Speicherorganisation | Speicherschnittstelle | Zykluszeitscheiben - Würze, Site |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MX25LM25645GXDI00 | 4.7900 |  | 5298 | 0.00000000 | MACRONIX | Octabus ™ | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 24-TBGA, CSPBGA | Flash - Nor (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V. | 24-CSPBGA (6x8) | - - - | 3 (168 Stunden) | 1092-MX25LM25645GXDI00 | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 480 | 133 MHz | Nicht Flüchtig | 256mbit | 5.5 ns | Blitz | 32m x8, 256 mx 1 | Spi - oktal i/o | 750 µs | ||||
 | W25Q128FWSAQ | - - - | | 9350 | 0.00000000 | Winbond Electronics | Spiflash® | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,209 ", 5,30 mm Breit) | W25Q128 | Flash - Nor | 1,65 V ~ 1,95 V. | 8-soic | - - - | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 256-W25Q128FWSAQ | Veraltet | 1 | 104 MHz | Nicht Flüchtig | 128mbit | 6 ns | Blitz | 16 mx 8 | Spi - quad i/o, qpi | 60 µs, 5 ms | |||
| MX29LV800CBXGI-70G | - - - | | 2094 | 0.00000000 | MACRONIX | MX29LV | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-tfbga, cspbga | MX29LV800 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 48-TFBGA, CSP (6x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 480 | Nicht Flüchtig | 8mbit | 70 ns | Blitz | 1m x 8 | Parallel | 70ns | |||
| S25FL128SAGBHV300 | 2.8200 | | 257 | 0.00000000 | NXP -halbleiter | - - - | Schüttgut | Aktiv | - - - | 2156-S25FL128SAGBHV300 | 107 | |||||||||||||||||||||
 | IS61LPD51236A-250B3LI | 20.9750 | | 2754 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 165-Tbga | IS61LPD51236 | SRAM - Synchron, SDR | 3,135 V ~ 3,465V | 165-PBGA (13x15) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 144 | 250 MHz | Flüchtig | 18mbit | 2.6 ns | Sram | 512k x 36 | Parallel | - - - | ||
 | CY14B116N-Zsp45Xit | 82.6875 | | 1058 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 54-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | Cy14b116 | NVSRAM (NICTFLÜCHTIGES SRAM) | 2,7 V ~ 3,6 V. | 54-tsop II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 1.000 | Nicht Flüchtig | 16mbit | 45 ns | NVSRAM | 1m x 16 | Parallel | 45ns | |||
 | MEM-DR332L-SL02-ER13-C | 170.0000 | | 1903 | 0.00000000 | Prolabs | * | Einzelhandelspaket | Aktiv | - - - | ROHS -KONFORM | 4932-MEM-DR332L-SL02-ER13-C | Ear99 | 8473.30.5100 | 1 | ||||||||||||||||||
 | CY7C188-20VC | - - - | | 2492 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Rohr | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 32-BSOJ (0,300 ", 7,62 mm Breit) | Cy7C188 | SRAM - Asynchron | 4,5 V ~ 5,5 V. | 32-soj | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1 | Flüchtig | 288Kbit | 20 ns | Sram | 32k x 9 | Parallel | 20ns | |||
 | MT29F128G08AMCDBJ5-6itR: d | - - - | | 5849 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | - - - | MT29F128G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V. | 132-TBGA (12x18) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1,120 | 167 MHz | Nicht Flüchtig | 128Gbit | Blitz | 16g x 8 | Parallel | - - - | |||
| MT53B512M64D4NW-062 WT ES: D. | - - - | | 1261 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | - - - | - - - | MT53B512 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | - - - | - - - | 1 (unbegrenzt) | Veraltet | 0000.00.0000 | 1,190 | 1,6 GHz | Flüchtig | 32Gbit | Dram | 512 MX 64 | - - - | - - - | |||||
 | W632gu6nb12i | 5.3471 | | 9358 | 0.00000000 | Winbond Electronics | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 96-VFBGA | W632GU6 | SDRAM - DDR3L | 1,283v ~ 1,45 V. | 96-VFBGA (7,5x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0036 | 198 | 800 MHz | Flüchtig | 2Gbit | 20 ns | Dram | 128 MX 16 | Parallel | 15ns | ||
| CG7729AAT | - - - | | 7099 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | - - - | UnberÜHrt Ereichen | Veraltet | 2.500 | ||||||||||||||||||||
 | IS21ES08GA-JCLI-TR | 17.4700 | | 721 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 153-VFBGA | Is21es08 | Blitz - Nand (MLC) | 2,7 V ~ 3,6 V. | 153-VFBGA (11,5x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 2.000 | Nicht Flüchtig | 64Gbit | Blitz | 8g x 8 | EMMC | - - - | ||||
 | S25FL164K0XMFB003 | - - - | | 9977 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Automobil, AEC-Q100, FL1-K | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 16-soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe) | S25FL164 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 16-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.450 | 108 MHz | Nicht Flüchtig | 64Mbit | Blitz | 8m x 8 | Spi - quad i/o | 3 ms | |||
 | CY7C1046BV33-12VC | 7.0000 | | 63 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - - - | Schüttgut | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 32-BSOJ (0,400 ", 10,16 mm Breit) | Cy7C1046 | SRAM - Asynchron | 3v ~ 3,6 V | 32-soj | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 2 (1 Jahr) | Reichweiite Betroffen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 1 | Flüchtig | 4mbit | 12 ns | Sram | 1m x 4 | Parallel | 12ns | |||
| MT62F1536M64D8CL-023 WT: b | 55.3050 | | 9548 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Kasten | Aktiv | - - - | - - - | - - - | SDRAM - Mobile LPDDR5 | - - - | - - - | - - - | 557-MT62F1536M64D8CL-023WT: b | 1 | 4,266 GHz | Flüchtig | 96Gbit | Dram | 1,5 GX 64 | Parallel | - - - | ||||||||
 | R1ex24128bsas0i#S1 | 4.2300 | | 1 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Nicht Anwendbar | 3 (168 Stunden) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8542.32.0051 | 250 | |||||||||||||||||
 | GS880Z36CGT-250IV | 29.6905 | | 8147 | 0.00000000 | GSI Technology Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 100-LQFP | GS880Z | SRAM - Synchron, ZBT | 1,7 V ~ 2 V, 2,3 V ~ 2,7 V. | 100-TQFP (20x14) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 2364-GS880Z36CGT-250IV | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 66 | 250 MHz | Flüchtig | 9mbit | Sram | 256k x 36 | Parallel | - - - | ||
 | MTFC8GACAALT-4M IT | - - - | | 6301 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 100 TBGA | MTFC8 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V. | 100-TBGA (14x18) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | MTFC8GACAALT-4MIT | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 980 | Nicht Flüchtig | 64Gbit | Blitz | 8g x 8 | MMC | - - - | ||||
| MT53E2G64D8TN-046 AAT: a | 122.8500 | | 7137 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Kasten | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 556-LFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR4X | 1,06 V ~ 1,17 V. | 556-LFBGA (12,4x12,4) | - - - | 557-MT53E2G64D8TN-046AAT: a | 1 | 2.133 GHz | Flüchtig | 128Gbit | 3,5 ns | Dram | 2g x 64 | Parallel | 18ns | |||||||
 | CY14MB256J2-SXI | - - - | | 1335 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | CY14MB256 | NVSRAM (NICTFLÜCHTIGES SRAM) | 2,7 V ~ 3,6 V. | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 97 | 3,4 MHz | Nicht Flüchtig | 256Kbit | NVSRAM | 32k x 8 | I²c | - - - | |||
| S25HS01GTDPMHV013 | 16.8700 | | 7793 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Semper ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 16-soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe) | Flash - Nor (SLC) | 1,7 V ~ 2 V | 16-soic | Herunterladen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.450 | 133 MHz | Nicht Flüchtig | 1Gbit | Blitz | 128 MX 8 | Spi - quad i/o, qpi | - - - | |||||||
| GD55LX01GEFIRR | 18.7900 | | 5406 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | Oberflächenhalterung | 16-soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe) | Flash - Nor (SLC) | 1,65 V ~ 2 V | 16-so-sop | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 1.000 | 200 MHz | Nicht Flüchtig | 1Gbit | Blitz | 128 MX 8 | Spi - oktal i/o, dtr | - - - | ||||||
 | CY7C1399BL-12ZXCT | - - - | | 4746 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 28-tssop (0,465 ", 11.80 mm Breit) | Cy7C1399 | SRAM - Asynchron | 3v ~ 3,6 V | 28-tsop i | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0041 | 1.500 | Flüchtig | 256Kbit | 12 ns | Sram | 32k x 8 | Parallel | 12ns | |||
 | W9812G6KH-5I TR | 1.7328 | | 6869 | 0.00000000 | Winbond Electronics | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 54-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | W9812G6 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 54-tsop II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 256-W9812G6KH-5itr | Ear99 | 8542.32.0002 | 1.000 | 200 MHz | Flüchtig | 128mbit | 4,5 ns | Dram | 8m x 16 | Lvttl | - - - | |
 | S25FL256LAGBHN023 | 5.5125 | | 3593 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Fl-l | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 24-Tbga | S25FL256 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 24-bga (8x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 2.500 | 133 MHz | Nicht Flüchtig | 256mbit | Blitz | 32m x 8 | Spi - quad i/o, qpi | - - - | |||
 | P13211-001-C | 835.0000 | | 8335 | 0.00000000 | Prolabs | * | Einzelhandelspaket | Aktiv | - - - | ROHS -KONFORM | 4932-P13211-001-C | Ear99 | 8473.30.5100 | 1 | ||||||||||||||||||
 | N25Q128A11EF740F TR | - - - | | 6864 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-VDFN Exposed Pad | N25Q128A11 | Flash - Nor | 1,7 V ~ 2 V | 8-VDFPN (6x5) (MLP8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 4.000 | 108 MHz | Nicht Flüchtig | 128mbit | Blitz | 32m x 4 | Spi | 8 ms, 5 ms | |||
 | CAT25080LI-GC | - - - | | 1963 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | K. Loch | 8-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | CAT25080 | Eeprom | 1,8 V ~ 5,5 V. | 8-Pdip | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 488-CAT25080LI-GC | Veraltet | 50 | Nicht Flüchtig | 8kbit | Eeprom | 1k x 8 | Spi | 5 ms | |||||
| MT29F2T08EMLEEJ4-QJ: E Tr | 52.9800 | | 3739 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | 557-mt29f2t08emleej4-QJ: ETR | 2.000 |
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