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IGBT -Modul (3267)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Kraft - Max | Eingang | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | IGBT -Typ | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | VCE (ON) (max) @ vge, IC | Strom - Sammler Cutoff (max) | NTC Thermistor | Eingabekapazität (cies) @ vce |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | APTGF25A120T1G | - - - |  | 9431 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - - - | Schüttgut | Veraltet | - - - | Chassis -berg | Sp1 | 208 w | Standard | Sp1 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Halbbrücke | Npt | 1200 V | 40 a | 3,7 V @ 15V, 25a | 250 µA | Ja | 1,65 NF @ 25 V. | ||||
| APTGT50A170T1G | 79,8000 | | 6103 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Sp1 | APTGT50 | 312 w | Standard | Sp1 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Halbbrücke | TRABENFELD STOPP | 1700 v | 75 a | 2,4 V @ 15V, 50a | 250 µA | Ja | 4.4 NF @ 25 V | ||
 | APT85GR120J | 35.0600 | | 8 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | SOT-227-4, MiniBloc | APT85GR120 | 543 w | Standard | SOT-227 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Einzel | Npt | 1200 V | 116 a | 3,2 V @ 15V, 85a | 1 Ma | NEIN | 8.4 NF @ 25 V | ||
 | CM1000DU-34NF | - - - | | 5142 | 0.00000000 | Powerex Inc. | IGBTMOD ™ | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Modul | 3900 w | Standard | Modul | - - - | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | 835-1003 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Halbbrücke | - - - | 1700 v | 1000 a | 2,8 V @ 15V, 1000a | 1 Ma | NEIN | 220 NF @ 10 V | |||
| APT45GP120JDQ2 | 43.2100 | | 144 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Power MOS 7® | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Isotop | APT45GP120 | 329 w | Standard | ISOTOP® | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Einzel | Pt | 1200 V | 75 a | 3,9 V @ 15V, 45a | 750 µA | NEIN | 4 NF @ 25 V. | ||
 | FS150R12KT4PBPSA1 | - - - | | 4262 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Econopack ™ 3 | Tablett | Veraltet | FS150R12 | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Veraltet | 0000.00.0000 | 6 | |||||||||||||||||
| VS-GT300FD060N | 670.5450 | | 4047 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Lets Kaufen | 175 ° C (TJ) | Chassis -berg | Dual Int-A-Pak (4 + 8) | GT300 | 1250 w | Standard | Dual Int-A-Pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | VSGT300FD060N | Ear99 | 8541.29.0095 | 12 | Drei -Level -Wechselrichter | TRABENFELD STOPP | 600 V | 379 a | 2,5 V @ 15V, 300A | 250 µA | NEIN | 23.3 NF @ 30 V | |
| MWI200-06A8T | - - - | | 6303 | 0.00000000 | Ixys | - - - | Rohr | Aktiv | - - - | Chassis -berg | E3 | MWI200 | 675 w | Standard | E3 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 5 | Drei -Phase -wechselrichter | Npt | 600 V | 225 a | 2,5 V @ 15V, 200a | 1,8 Ma | NEIN | 9 NF @ 25 V | ||
 | FF450R33T3E3BPSA1 | 1.0000 | | 1 | 0.00000000 | Infineon -technologien | XHP ™ 3 | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 150 ° C. | Chassis -berg | Modul | FF450R33 | 1000000 w | Standard | AG-XHP100-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 8541.29.0095 | 1 | Halbbrücke | TRABENFELD STOPP | 3300 v | 450 a | 2.75 V @ 15V, 450a | 5 Ma | NEIN | ||||
| IRG7U200HF12B | - - - | | 9345 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Kasten | Veraltet | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | POWIR® 62 Modul | IRG7U | 1130 w | Standard | Powir® 62 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | SP001541668 | Ear99 | 8541.29.0095 | 15 | Halbbrücke | - - - | 1200 V | 400 a | 2v @ 15V, 200a | 2 Ma | NEIN | 20 NF @ 25 V | ||
| APTGF150A60T3AG | - - - | | 9045 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Veraltet | - - - | Chassis -berg | SP3 | 833 w | Standard | SP3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Halbbrücke | Npt | 600 V | 230 a | 2,5 V @ 15V, 200a | 350 µA | Ja | 9 NF @ 25 V | |||||
| MUBW10-12A7 | 85.4700 | | 7146 | 0.00000000 | Ixys | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Chassis -berg | E2 | MUBW10 | 105 w | DREIPHASENBRÜCKENGLECHRICHTER | E2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 6 | Dreiphasen -Wechselrichter mit Bremse | Npt | 1200 V | 20 a | 2,7 V @ 15V, 10a | 600 µA | Ja | 600 PF @ 25 V. | |||
 | APTGF100A120T3AG | - - - | | 4266 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - - - | Schüttgut | Veraltet | - - - | Chassis -berg | SP3 | 780 w | Standard | SP3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Halbbrücke | Npt | 1200 V | 130 a | 3,7 V @ 15V, 100a | 250 µA | Ja | 6,5 NF @ 25 V. | |||||
 | FP100R06KE3BOSA1 | 201.1300 | | 9726 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Econopim ™ 3 | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 150 ° C. | Chassis -berg | Modul | FP100R06 | 335 w | Standard | Modul | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | Drei -Phase -wechselrichter | TRABENFELD STOPP | 600 V | 100 a | 1,9 V @ 15V, 100a | 1 Ma | Ja | 6.2 NF @ 25 V | ||
| APTGT50DH60TG | - - - | | 4719 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - - - | Schüttgut | Abgebrochen bei Sic | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Chassis -berg | Sp4 | 176 w | Standard | Sp4 | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Asymmetrische Brücke | TRABENFELD STOPP | 600 V | 80 a | 1,9 V @ 15V, 50a | 250 µA | Ja | 3.15 NF @ 25 V. | ||||
 | CPV364M4U | - - - | | 7732 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 19-sip (13 Leads), IMS-2 | CPV364 | 63 w | Standard | IMS-2 | - - - | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 160 | Drei -Phase -wechselrichter | - - - | 600 V | 20 a | 1,84 V @ 15V, 20a | 250 µA | NEIN | 2.1 NF @ 30 V | ||
| FPF1C2P5MF07AM | - - - | | 5240 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | F1 -modul | FPF1C2 | 231 w | Einphasenbrückenreichrichter | F1 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 110 | Vollbrückke Wechselrichter | - - - | 620 v | 39 a | 1,6 V @ 15V, 30a | 25 µA | NEIN | |||
 | VS-GB75SA120UP | - - - | | 1928 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | SOT-227-4, MiniBloc | GB75 | 658 w | Standard | SOT-227 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | VSGB75SA120UP | Ear99 | 8541.29.0095 | 180 | Einzel | Npt | 1200 V | 3,8 V @ 15V, 75A | 250 µA | NEIN | ||||
| APTGV75H60T3G | - - - | | 9183 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - - - | Schüttgut | Veraltet | - - - | Chassis -berg | SP3 | 250 w | Standard | SP3 | - - - | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Vollbrückke Wechselrichter | Npt, Grabenfeld Stopp | 600 V | 100 a | 1,9 V @ 15V, 75A | 250 µA | Ja | 4.62 NF @ 25 V. | |||||
| VS-GT50TP120N | - - - | | 9172 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Veraltet | 175 ° C (TJ) | Chassis -berg | INT-A-PAK (3 + 4) | GT50 | 405 w | Standard | Int-a-Pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | VSGT50TP120N | Ear99 | 8541.29.0095 | 24 | Halbbrücke | Graben | 1200 V | 100 a | 2,35 V @ 15V, 50a | 5 Ma | NEIN | 6.24 NF @ 30 V | |
| F575R06KE3B5BOSA1 | - - - | | 7495 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Econopack ™ 3 | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 150 ° C. | Chassis -berg | Modul | F575R06 | 250 w | Standard | Modul | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | Drei -Phase -wechselrichter | TRABENFELD STOPP | 600 V | 75 a | 1,9 V @ 15V, 75A | 1 Ma | Ja | 4.6 NF @ 25 V | ||
| VS-GB400th120U | - - - | | 5555 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Doppelter int-a-pak (3 + 4) | GB400 | 2660 w | Standard | Double Int-a-Pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Vsgb400th120u | Ear99 | 8541.29.0095 | 12 | Halbbrücke | Npt | 1200 V | 660 a | 3,6 V @ 15V, 400a | 5 Ma | NEIN | 33.7 NF @ 30 V | |
 | MG400V2YS60A | - - - | | 4004 | 0.00000000 | Powerex Inc. | IGBTMOD ™ | Schüttgut | Veraltet | -20 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Modul | 4300 w | Standard | Modul | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Halbbrücke | - - - | 1700 v | 400 a | 3,4 V @ 15V, 400a | 1 Ma | Ja | 45 NF @ 10 V | ||||
| IRG7T300CL12B | - - - | | 5855 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Kasten | Veraltet | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | POWIR® 62 Modul | Irg7t | 1600 w | Standard | Powir® 62 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | SP001544918 | Ear99 | 8541.29.0095 | 15 | Einzel | - - - | 1200 V | 570 a | 2,2 V @ 15V, 300A | 4 ma | NEIN | 42.4 NF @ 25 V. | ||
 | Ddb6u84n16rrbpsa1 | 110.7100 | | 15 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Modul | Ddb6u8 | 350 w | Standard | Ag-Econo2a | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 15 | Einzelhubschlaar | - - - | 1200 V | 50 a | 3,2 V @ 20V, 50A | 1 Ma | NEIN | 3.3 NF @ 25 V | ||
| VS-50MT060TFT | 61.7800 | | 8553 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Fred Pt® | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Chassis -berg | 20-MTP-Modul | 50MT060 | 144 w | Standard | 20 MTP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 112-VS-50MT060TFT | 1 | Volle Brucke | TRABENFELD STOPP | 600 V | 55 a | 2,1 V @ 15V, 50a | 40 µA | NEIN | 3000 PF @ 25 V. | ||||
 | FF1500R17IP5PBPSA1 | 1.0000 | | 3 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Primepack ™ 3+ b | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 175 ° C. | Chassis -berg | Modul | FF1500R | 1500 w | Standard | Ag-Prime3+-5 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3 | Halbbrücke | TRABENFELD STOPP | 1700 v | 1500 a | 2,2 V @ 15V, 1,5 ka | 5 Ma | Ja | |||
 | APTGT150DA120G | 157.6800 | | 7704 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | - - - | Chassis -berg | Sp6 | APTGT150 | 690 w | Standard | Sp6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Einzel | TRABENFELD STOPP | 1200 V | 220 a | 2,1 V @ 15V, 150a | 350 µA | NEIN | 10.7 NF @ 25 V | ||
| FZ1200R12KL4CNOSA1 | - - - | | 8633 | 0.00000000 | Infineon -technologien | IHM-B | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Chassis -berg | Modul | 7800 w | Standard | - - - | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | SP000014916 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2 | Einzelschalter | - - - | 1200 V | 1900 a | 2,6 V @ 15V, 1,2ka | 5 Ma | NEIN | 90 NF @ 25 V | |||
 | FS50R12W2T4B11BOMA1 | 64.2600 | | 15 | 0.00000000 | Infineon -technologien | EasyPack ™ | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 150 ° C. | Chassis -berg | Modul | FS50R12 | 335 w | Standard | Modul | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 15 | Drei -Phase -wechselrichter | TRABENFELD STOPP | 1200 V | 83 a | 2,15 V @ 15V, 50a | 1 Ma | Ja | 2,8 NF @ 25 V. |
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