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IGBT -Modul (3267)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Kraft - Max | Eingang | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | IGBT -Typ | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | VCE (ON) (max) @ vge, IC | Strom - Sammler Cutoff (max) | NTC Thermistor | Eingabekapazität (cies) @ vce |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | APT75GP120JDQ3 | 47.1600 |  | 3674 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Power MOS 7® | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Isotop | APT75GP120 | 543 w | Standard | ISOTOP® | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Einzel | Pt | 1200 V | 128 a | 3,9 V @ 15V, 75a | 1,25 Ma | NEIN | 7.04 NF @ 25 V. | ||
 | Ixyn100N120C3 | 46.6700 | | 2874 | 0.00000000 | Ixys | XPT ™, GenX3 ™ | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Chassis -berg | SOT-227-4, MiniBloc | Ixyn100 | 830 w | Standard | SOT-227B | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | Einzel | - - - | 1200 V | 152 a | 3,5 V @ 15V, 100a | 25 µA | NEIN | 6 NF @ 25 V | ||
 | CM100TU-24H | - - - | | 8766 | 0.00000000 | Powerex Inc. | IGBTMOD ™ | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Modul | 650 w | Standard | Modul | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Drei -Phase -wechselrichter | - - - | 1200 V | 100 a | 3,7 V @ 15V, 100a | 1 Ma | NEIN | 15 NF @ 10 V | ||||
 | BYM600A170DN2HOSA1 | - - - | | 5542 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Modul | BYM600 | 1400 w | Standard | Modul | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | Einzel | - - - | - - - | NEIN | ||||||
| FP10R12W1T4B29BOMA1 | 43.5896 | | 4452 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Easypim ™ | Tablett | Aktiv | FP10R12 | - - - | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | 0000.00.0000 | 24 | |||||||||||||||||
| FS200T12A1T4BOSA1 | - - - | | 7984 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Veraltet | - - - | - - - | - - - | FS200T12 | - - - | - - - | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | SP000840730 | Veraltet | 0000.00.0000 | 1 | - - - | - - - | - - - | ||||||||
| FF600R12KE3NOSA1 | - - - | | 8344 | 0.00000000 | Infineon -technologien | C | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Chassis -berg | Modul | FF600R12 | 2800 w | Standard | Modul | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2 | 2 Unabhängig | - - - | 1200 V | 850 a | 2,15 V @ 15V, 600A | 5 Ma | NEIN | ||||
| FP30R06YE3BOMA1 | - - - | | 3348 | 0.00000000 | Infineon -technologien | * | Tablett | Veraltet | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | SP000100331 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||
 | FS150R17KE3GBOSA1 | 649.1275 | | 2666 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Econopack ™+ | Tablett | Nicht für Designs | -40 ° C ~ 125 ° C. | Chassis -berg | Modul | FS150R17 | 1050 w | Standard | Modul | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 4 | Volle Brucke | TRABENFELD STOPP | 1700 v | 240 a | 2,45 V @ 15V, 150a | 3 ma | Ja | 13.5 NF @ 25 V. | ||
 | APTGT300A60TG | 163.8113 | | 3387 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Chassis -berg | Sp4 | Aptgt300 | 935 w | Standard | Sp4 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Halbbrücke | TRABENFELD STOPP | 600 V | 430 a | 1,9 V @ 15V, 300A | 350 µA | Ja | 18.4 NF @ 25 V. | ||
| APTGT100DH60TG | 102.7500 | | 8647 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Chassis -berg | Sp4 | Aptgt100 | 340 w | Standard | Sp4 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Asymmetrische Brücke | TRABENFELD STOPP | 600 V | 150 a | 1,9 V @ 15V, 100a | 250 µA | Ja | 6.1 NF @ 25 V | ||
| APTGV100H60BTPG | - - - | | 9515 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - - - | Schüttgut | Veraltet | - - - | Chassis -berg | Sp6 | 340 w | Standard | SP6-P | - - - | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Hubschruber, Volle Brucke | Npt, Grabenfeld Stopp | 600 V | 150 a | 1,9 V @ 15V, 100a | 250 µA | Ja | 6.1 NF @ 25 V | |||||
| CM30TF-12H | - - - | | 1299 | 0.00000000 | Powerex Inc. | IGBTMOD ™ | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Modul | 150 w | Standard | Modul | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2 | Drei -Phase -wechselrichter | - - - | 600 V | 30 a | 2,8 V @ 15V, 30a | 1 Ma | NEIN | 3 NF @ 10 V. | ||||
| APTGT50A170TG | 117.6200 | | 4601 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Sp4 | APTGT50 | 312 w | Standard | Sp4 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Halbbrücke | TRABENFELD STOPP | 1700 v | 75 a | 2,4 V @ 15V, 50a | 250 µA | Ja | 4.4 NF @ 25 V | ||
| CM200DU-24NFH | - - - | | 4017 | 0.00000000 | Powerex Inc. | IGBTMOD ™ | Schüttgut | Abgebrochen bei Sic | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Modul | 830 w | Standard | Modul | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Halbbrücke | - - - | 1200 V | 200 a | 6,5 V @ 15V, 200a | 1 Ma | NEIN | 32 NF @ 10 V | ||||
| Mii200-12a4 | - - - | | 5280 | 0.00000000 | Ixys | - - - | Kasten | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Y3-DCB | Mii200 | 1130 w | Standard | Y3-DCB | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2 | Halbbrücke | Npt | 1200 V | 270 a | 2,7 V @ 15V, 150a | 10 ma | NEIN | 11 NF @ 25 V | ||
| BSM300GA170DLCHOSA1 | - - - | | 3059 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 125 ° C. | Chassis -berg | Modul | BSM300 | 2520 w | Standard | Modul | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | Einzel | - - - | 1700 v | 600 a | 3,2 V @ 15V, 300A | 600 µA | NEIN | 20 NF @ 25 V | |||
 | CM200DY-12NF | - - - | | 3513 | 0.00000000 | Powerex Inc. | IGBTMOD ™ | Schüttgut | Abgebrochen bei Sic | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Modul | 650 w | Standard | Modul | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Halbbrücke | - - - | 600 V | 200 a | 2,2 V @ 15V, 200a | 1 Ma | NEIN | 30 NF @ 10 V | ||||
 | FF300R07ME4B11BOSA1 | 147.0800 | | 5 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Econodual ™ 3 | Schüttgut | Abgebrochen bei Sic | -40 ° C ~ 150 ° C. | Chassis -berg | Modul | FF300R07 | 1100 w | Standard | Modul | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 6 | 2 Unabhängig | TRABENFELD STOPP | 650 V | 390 a | 1,95 V @ 15V, 300A | 1 Ma | Ja | 18,5 NF @ 25 V. | ||
 | APTGF30H60T1G | - - - | | 5867 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Veraltet | - - - | Chassis -berg | Sp1 | 140 w | Standard | Sp1 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Vollbrückke Wechselrichter | Npt | 600 V | 42 a | 2,45 V @ 15V, 30a | 250 µA | Ja | 1,35 NF @ 25 V. | |||||
| APTGT150A120G | 202.7917 | | 8416 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | - - - | Chassis -berg | Sp6 | APTGT150 | 690 w | Standard | Sp6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Halbbrücke | TRABENFELD STOPP | 1200 V | 220 a | 2,1 V @ 15V, 150a | 350 µA | NEIN | 10.7 NF @ 25 V | ||
 | CM400DX-12A | - - - | | 1809 | 0.00000000 | Powerex Inc. | IGBTMOD ™ | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Modul | 1340 w | Standard | Modul | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Halbbrücke | - - - | 600 V | 400 a | 2,1 V @ 15V, 400a | 1 Ma | Ja | 50 NF @ 10 V | |||||
 | FF600R17ME4PBOSA1 | 489.9300 | | 2635 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Econodual ™ 3 | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Modul | FF600R17 | Standard | Modul | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 6 | Halbbrückke Wechselrichter | TRABENFELD STOPP | 1700 v | 600 a | 2,3 V @ 15V, 600A | 1 Ma | Ja | 48 NF @ 25 V. | |||
| FF225R17ME4PBPSA1 | 234.8150 | | 8761 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Econodual ™ 3 | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 150 ° C. | Chassis -berg | Modul | FF225R17 | 20 MW | Standard | Modul | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 6 | Halbbrücke | TRABENFELD STOPP | 1700 v | 450 a | 2,3 V @ 15V, 225a | 3 ma | Ja | 18,5 NF @ 25 V. | ||
 | APTGT100H60T3G | 102.7300 | | 9098 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Chassis -berg | SP3 | Aptgt100 | 340 w | Standard | SP3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Vollbrückke Wechselrichter | TRABENFELD STOPP | 600 V | 150 a | 1,9 V @ 15V, 100a | 250 µA | Ja | 6.1 NF @ 25 V | ||
 | CPV363M4K | - - - | | 3068 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 19-sip (13 Leads), IMS-2 | CPV363 | 36 w | Standard | IMS-2 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 160 | Drei -Phase -wechselrichter | - - - | 600 V | 11 a | 2v @ 15V, 11a | 250 µA | NEIN | 740 PF @ 30 V | ||
| BSM100GD60DLCBOSA1 | - - - | | 8395 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 125 ° C. | Chassis -berg | Modul | BSM100 | 430 w | Standard | Modul | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | Volle Brucke | - - - | 600 V | 130 a | 2,45 V @ 15V, 100a | 500 µA | NEIN | 4.3 NF @ 25 V | ||
 | GSID100A120S5C1 | - - - | | 2783 | 0.00000000 | Semiq | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Modul | Gsid100 | 650 w | Standard | Modul | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | 1560-1229 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2 | Drei -Phase -wechselrichter | - - - | 1200 V | 170 a | 2,1 V @ 15V, 100a | 1 Ma | Ja | 13.7 NF @ 25 V. | |
| MKI80-06T6K | - - - | | 5109 | 0.00000000 | Ixys | - - - | Kasten | Veraltet | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Chassis -berg | E1 | Mki80 | 210 w | Standard | E1 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | Vollbrückke Wechselrichter | Graben | 600 V | 89 a | 2,3 V @ 15V, 75a | 500 µA | Ja | 4.62 NF @ 25 V. | ||
| MWI100-06A8T | - - - | | 7316 | 0.00000000 | Ixys | - - - | Rohr | Aktiv | - - - | Chassis -berg | E3 | MWI100 | 410 w | Standard | E3 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 5 | Drei -Phase -wechselrichter | Npt | 600 V | 130 a | 2,5 V @ 15V, 100a | 1,2 Ma | NEIN | 4.3 NF @ 25 V |
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