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IGBT -Modul (3267)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Kraft - Max | Eingang | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | IGBT -Typ | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | VCE (ON) (max) @ vge, IC | Strom - Sammler Cutoff (max) | NTC Thermistor | Eingabekapazität (cies) @ vce |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | FF1000R17IE4DPB2BOSA1 | 1.0000 |  | 7087 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Primepack ™ 3 | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 150 ° C. | Chassis -berg | Modul | FF1000 | Standard | Modul | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3 | 2 Unabhängig | TRABENFELD STOPP | 1700 v | 1000 a | 2,45 V @ 15V, 1000a | 5 Ma | Ja | 81 NF @ 25 V | |||
 | MWI100-06A8 | - - - | | 8281 | 0.00000000 | Ixys | - - - | Kasten | Veraltet | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Chassis -berg | E3 | MWI100 | 410 w | Standard | E3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 5 | Drei -Phase -wechselrichter | Npt | 600 V | 130 a | 2,5 V @ 15V, 100a | 1,2 Ma | NEIN | 4.3 NF @ 25 V | ||
| BSM50GB120DLCHOSA1 | - - - | | 1688 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 125 ° C. | Chassis -berg | Modul | BSM50G | 460 w | Standard | Modul | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | Halbbrücke | - - - | 1200 V | 115 a | 2,6 V @ 15V, 50A | 5 Ma | NEIN | 3.3 NF @ 25 V | ||
 | FS75R17KE3BOSA1 | 229.9300 | | 5105 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C. | Chassis -berg | Modul | FS75R17 | 465 w | Standard | Modul | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | Volle Brucke | - - - | 1700 v | 130 a | 2,45 V @ 15V, 75a | 5 Ma | Ja | 6.8 NF @ 25 V | ||
| APTGF25A120T1G | - - - | | 9431 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - - - | Schüttgut | Veraltet | - - - | Chassis -berg | Sp1 | 208 w | Standard | Sp1 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Halbbrücke | Npt | 1200 V | 40 a | 3,7 V @ 15V, 25a | 250 µA | Ja | 1,65 NF @ 25 V. | ||||
 | GA200SA60U | - - - | | 1337 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | SOT-227-4, MiniBloc | GA200 | 500 w | Standard | SOT-227B | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | Einzel | - - - | 600 V | 200 a | 1,9 V @ 15V, 100a | 1 Ma | NEIN | 16,5 NF @ 30 V | |||
 | CM1000DU-34NF | - - - | | 5142 | 0.00000000 | Powerex Inc. | IGBTMOD ™ | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Modul | 3900 w | Standard | Modul | - - - | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | 835-1003 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Halbbrücke | - - - | 1700 v | 1000 a | 2,8 V @ 15V, 1000a | 1 Ma | NEIN | 220 NF @ 10 V | |||
| APTGT50DH60TG | - - - | | 4719 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - - - | Schüttgut | Abgebrochen bei Sic | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Chassis -berg | Sp4 | 176 w | Standard | Sp4 | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Asymmetrische Brücke | TRABENFELD STOPP | 600 V | 80 a | 1,9 V @ 15V, 50a | 250 µA | Ja | 3.15 NF @ 25 V. | ||||
 | APTGT150DA120G | 157.6800 | | 7704 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | - - - | Chassis -berg | Sp6 | APTGT150 | 690 w | Standard | Sp6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Einzel | TRABENFELD STOPP | 1200 V | 220 a | 2,1 V @ 15V, 150a | 350 µA | NEIN | 10.7 NF @ 25 V | ||
| CM200DU-24NFH | - - - | | 4017 | 0.00000000 | Powerex Inc. | IGBTMOD ™ | Schüttgut | Abgebrochen bei Sic | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Modul | 830 w | Standard | Modul | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Halbbrücke | - - - | 1200 V | 200 a | 6,5 V @ 15V, 200a | 1 Ma | NEIN | 32 NF @ 10 V | ||||
| Mii200-12a4 | - - - | | 5280 | 0.00000000 | Ixys | - - - | Kasten | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Y3-DCB | Mii200 | 1130 w | Standard | Y3-DCB | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2 | Halbbrücke | Npt | 1200 V | 270 a | 2,7 V @ 15V, 150a | 10 ma | NEIN | 11 NF @ 25 V | ||
| APTGT200DH120G | 249.9100 | | 5392 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Sp6 | AptGT200 | 890 w | Standard | Sp6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Asymmetrische Brücke | TRABENFELD STOPP | 1200 V | 280 a | 2,1 V @ 15V, 200a | 350 µA | NEIN | 14 NF @ 25 V | ||
| CM100RL-12NF | - - - | | 7973 | 0.00000000 | Powerex Inc. | IGBTMOD ™ | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Modul | 540 w | Standard | Modul | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Dreiphasen -Wechselrichter mit Bremse | - - - | 600 V | 100 a | 2,2 V @ 15V, 100a | 1 Ma | NEIN | 15 NF @ 10 V | |||||
 | Ddb6u75n16w1rboma1 | 74,8000 | | 22 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 150 ° C. | Chassis -berg | Modul | Ddb6u75 | 335 w | Standard | Modul | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 24 | Drei -Phase -wechselrichter | - - - | 1200 V | 69 a | 2,15 V @ 15V, 50a | 1 Ma | Ja | 2,8 NF @ 25 V. | ||
| BSM200GA120DLCHOSA1 | 167.3260 | | 1735 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Lets Kaufen | -40 ° C ~ 125 ° C. | Chassis -berg | Modul | BSM200 | 1450 w | Standard | Modul | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | Einzel | - - - | 1200 V | 370 a | 2,6 V @ 15V, 200a | 5 Ma | NEIN | 13 NF @ 25 V | ||
| FS20R06XL4BOMA1 | - - - | | 8880 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 125 ° C. | Chassis -berg | Modul | FS20R06 | 89 w | Standard | Ag-Easy750-1 | - - - | Verkäfer undefiniert | UnberÜHrt Ereichen | SP000100283 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Drei -Phase -wechselrichter | - - - | 600 V | 26 a | 2,55 V @ 15V, 20a | 5 Ma | Ja | 900 PF @ 25 V. | ||
| CM50TL-24NF | - - - | | 3664 | 0.00000000 | Powerex Inc. | IGBTMOD ™ | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Modul | 390 w | Standard | Modul | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Drei -Phase -wechselrichter | - - - | 1200 V | 50 a | 3v @ 15V, 50a | 1 Ma | NEIN | 8.5 NF @ 10 V | ||||
 | APT45GP120JDQ2 | 43.2100 | | 144 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Power MOS 7® | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Isotop | APT45GP120 | 329 w | Standard | ISOTOP® | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Einzel | Pt | 1200 V | 75 a | 3,9 V @ 15V, 45a | 750 µA | NEIN | 4 NF @ 25 V. | ||
| IRG7U200HF12B | - - - | | 9345 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Kasten | Veraltet | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | POWIR® 62 Modul | IRG7U | 1130 w | Standard | Powir® 62 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | SP001541668 | Ear99 | 8541.29.0095 | 15 | Halbbrücke | - - - | 1200 V | 400 a | 2v @ 15V, 200a | 2 Ma | NEIN | 20 NF @ 25 V | ||
| MUBW10-12A7 | 85.4700 | | 7146 | 0.00000000 | Ixys | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Chassis -berg | E2 | MUBW10 | 105 w | DREIPHASENBRÜCKENGLECHRICHTER | E2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 6 | Dreiphasen -Wechselrichter mit Bremse | Npt | 1200 V | 20 a | 2,7 V @ 15V, 10a | 600 µA | Ja | 600 PF @ 25 V. | |||
 | CPV364M4U | - - - | | 7732 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 19-sip (13 Leads), IMS-2 | CPV364 | 63 w | Standard | IMS-2 | - - - | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 160 | Drei -Phase -wechselrichter | - - - | 600 V | 20 a | 1,84 V @ 15V, 20a | 250 µA | NEIN | 2.1 NF @ 30 V | ||
| APT75GP120JDQ3 | 47.1600 | | 3674 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Power MOS 7® | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Isotop | APT75GP120 | 543 w | Standard | ISOTOP® | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Einzel | Pt | 1200 V | 128 a | 3,9 V @ 15V, 75a | 1,25 Ma | NEIN | 7.04 NF @ 25 V. | ||
| VS-GB75SA120UP | - - - | | 1928 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | SOT-227-4, MiniBloc | GB75 | 658 w | Standard | SOT-227 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | VSGB75SA120UP | Ear99 | 8541.29.0095 | 180 | Einzel | Npt | 1200 V | 3,8 V @ 15V, 75A | 250 µA | NEIN | ||||
| APTGV75H60T3G | - - - | | 9183 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - - - | Schüttgut | Veraltet | - - - | Chassis -berg | SP3 | 250 w | Standard | SP3 | - - - | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Vollbrückke Wechselrichter | Npt, Grabenfeld Stopp | 600 V | 100 a | 1,9 V @ 15V, 75A | 250 µA | Ja | 4.62 NF @ 25 V. | |||||
| VS-50MT060TFT | 61.7800 | | 8553 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Fred Pt® | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Chassis -berg | 20-MTP-Modul | 50MT060 | 144 w | Standard | 20 MTP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 112-VS-50MT060TFT | 1 | Volle Brucke | TRABENFELD STOPP | 600 V | 55 a | 2,1 V @ 15V, 50a | 40 µA | NEIN | 3000 PF @ 25 V. | ||||
| CPV363M4K | - - - | | 3068 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 19-sip (13 Leads), IMS-2 | CPV363 | 36 w | Standard | IMS-2 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 160 | Drei -Phase -wechselrichter | - - - | 600 V | 11 a | 2v @ 15V, 11a | 250 µA | NEIN | 740 PF @ 30 V | ||
 | CM150RX-24S1 | - - - | | 4216 | 0.00000000 | Powerex Inc. | - - - | Schüttgut | Abgebrochen bei Sic | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Modul | 935 w | Standard | Modul | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | Dreiphasen -Wechselrichter mit Bremse | - - - | 1200 V | 150 a | 2,25 V @ 15V, 150a | 1 Ma | Ja | 15 NF @ 10 V | ||||
| MUBW35-12A8 | - - - | | 4719 | 0.00000000 | Ixys | - - - | Kasten | Veraltet | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Chassis -berg | E3 | MUBW | 225 w | DREIPHASENBRÜCKENGLECHRICHTER | E3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 5 | Dreiphasen -Wechselrichter mit Bremse | Npt | 1200 V | 50 a | 3,1 V @ 15V, 35a | 1.1 ma | Ja | 1,65 NF @ 25 V. | ||
 | F475R06W1E3BOMA1 | 50.7600 | | 22 | 0.00000000 | Infineon -technologien | EasyPack ™ | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 150 ° C. | Chassis -berg | Modul | F475R06 | 275 w | Standard | Modul | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 24 | Drei -Phase -wechselrichter | TRABENFELD STOPP | 600 V | 100 a | 1,9 V @ 15V, 75A | 1 Ma | Ja | 4.6 NF @ 25 V | ||
 | FZ2400R33HE4BPSA1 | 2.0000 | | 2 | 0.00000000 | Infineon -technologien | IHM-B | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Modul | FZ2400 | 5400000 w | Standard | AG-IHVB190-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Einzelschalter | TRABENFELD STOPP | 3300 v | 2400 a | 2,65 V @ 15V, 2,4 ka | 5 Ma | NEIN | 280 NF @ 25 V. |
2000+
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