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IGBT -Modul (3267)

Produktnummer	Bestandteil (USD)	Menge	Menge Verfügbar	Mfr	Serie	Paket	Produktstatus	Biebstemperatur	Montagetyp	Paket / Herbst	Grundproduktnummer	Kraft - Max	Eingang	LEEFERANTENGERATEPAKET	Datenblatt	ROHS -STATUS	FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL)	Status Erreichen	Andere Namen	Eccn	Htsus	Standardpaket	Konfiguration	IGBT -Typ	Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max)	Strom - Sammler (IC) (max)	VCE (ON) (max) @ vge, IC	Strom - Sammler Cutoff (max)	NTC Thermistor	Eingabekapazität (cies) @ vce
IRG5K75HH06E	- - -	RFQ	9033	Infineon -technologien	- - -	Kasten	Veraltet	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Chassis -berg	Powir Eco 2 ™ Modul	IRG5K75	330 w	Standard	Powir Eco 2 ™	Herunterladen		1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	14	Vollbrückke Wechselrichter	- - -	600 V	140 a	2,1 V @ 15V, 75a	1 Ma	Ja	3.6 NF @ 25 V
NXH50M65L4Q1PTG	- - -	RFQ	5583	Onsemi	- - -	Tablett	Aktiv	175 ° C (TJ)	Chassis -berg	Modul		86 w	Standard	53-PIM/Q2Pack (93x47)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	Nicht Anwendbar	UnberÜHrt Ereichen	488-NXH50M65L4Q1PTG	Ear99	8541.29.0095	21	Volle Brucke	TRABENFELD STOPP	650 V	48 a	2,22 V @ 15V, 50a	300 µA	Ja	3.137 NF @ 20 V
Vii50-06p1	- - -	RFQ	1356	Ixys	- - -	Kasten	Veraltet	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Chassis -berg	Öko-PAC2	Vii	130 w	Standard	Öko-PAC2	Herunterladen		1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	25	Halbbrücke	Npt	600 V	42,5 a	2,9 V @ 15V, 50a	600 µA	Ja	16 NF @ 25 V
VS-ENQ030L120S	- - -	RFQ	7672	Vishay General Semiconductor - DioDes Division	- - -	Schüttgut	Aktiv	150 ° C (TJ)	Chassis -berg	Emipak-1b	ENQ030	216 w	Standard	Emipak-1b	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	98	Drei -Level -Wechselrichter	Graben	1200 V	61 a	2,52 V @ 15V, 30a	230 µA	Ja	3.34 NF @ 30 V
DF1400R12IP4D	- - -	RFQ	6093	Infineon -technologien	Primepack ™ 3	Schüttgut	Aktiv	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Chassis -berg	Modul	DF1400R		Standard	Modul	Herunterladen						0000.00.0000	1	Einzelhubschlaar	TRABENFELD STOPP	1200 V	1400 a	- - -	5 Ma	Ja	82 NF @ 25 V
CMLogu50H60T3FG	- - -	RFQ	7704	Mikrochip -technologie	*	Tablett	Veraltet								- - -				150-CMLogu50H60T3FG	Veraltet		1
FS650R08A4P2BPSA1	545.4500	RFQ	16	Infineon -technologien	Hybridpack ™ DC6	Tablett	Aktiv	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Chassis -berg	Modul	FS650R08	20 MW	Standard	Ag-hybdc6i-1	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	16	Drei -Phase -wechselrichter	TRABENFELD STOPP	750 V	375 a	1,35 V @ 15V, 375a	1 Ma	Ja	65 NF @ 50 V
FZ1200R12KF4NOSA1	- - -	RFQ	7347	Infineon -technologien	IHM-B	Tablett	Veraltet	150 ° C (TJ)	Chassis -berg	Modul		7800 w	Standard	- - -	Herunterladen		1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	2	Einzelschalter	- - -	1200 V	1200 a	3,2 V @ 15V, 1,2ka	16 Ma	NEIN	90 NF @ 25 V
MUBW25-12T7	- - -	RFQ	9696	Ixys	- - -	Kasten	Aktiv	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	Chassis -berg	E2	MUBW25	170 w	DREIPHASENBRÜCKENGLECHRICHTER	E2	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	6	Dreiphasen -Wechselrichter mit Bremse	Graben	1200 V	45 a	2,15 V @ 15V, 25a	2,7 Ma	Ja	1,8 NF @ 25 V.
MIO600-65E11	- - -	RFQ	3468	Ixys	- - -	Tablett	Veraltet	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	Chassis -berg	E11	Mio		Standard	E11	Herunterladen		1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	1	Einzelschalter	Npt	6500 v	600 a	4,2 V @ 15V, 600A	120 Ma	NEIN	150 NF @ 25 V
APTGT35A120D1G	- - -	RFQ	5031	Microsemi Corporation	- - -	Schüttgut	Abgebrochen bei Sic	- - -	Chassis -berg	D1		205 w	Standard	D1	- - -	ROHS -KONFORM	1 (unbegrenzt)			Ear99	8541.29.0095	1	Halbbrücke	TRABENFELD STOPP	1200 V	55 a	2,1 V @ 15V, 35a	5 Ma	NEIN	2,5 NF @ 25 V.
APTGT50A60T1G	- - -	RFQ	6919	Microsemi Corporation	- - -	Schüttgut	Veraltet	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Chassis -berg	Sp1		176 w	Standard	Sp1	Herunterladen		1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	1	Halbbrücke	TRABENFELD STOPP	600 V	80 a	1,9 V @ 15V, 50a	250 µA	Ja	3.15 NF @ 25 V.
BSM75GAL120DN2HOSA1	- - -	RFQ	5287	Infineon -technologien	- - -	Tablett	Veraltet	150 ° C (TJ)	Chassis -berg	Modul	BSM75GAL120	625 w	Standard	Modul	- - -	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	10	Einzelschalter	- - -	1200 V	105 a	3v @ 15V, 75a	1,4 Ma	NEIN	5.5 NF @ 25 V.
DF400R12KE3	- - -	RFQ	5846	Infineon -technologien	- - -	Schüttgut	Aktiv	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	Chassis -berg	Modul		2000 w	Standard	Modul	Herunterladen					Ear99	8542.29.0095	1	Einzel	TRABENFELD STOPP	1200 V	580 a	2,15 V @ 15V, 400A	5 Ma	NEIN	28 NF @ 25 V
VS-GB90DA60U	- - -	RFQ	9603	Vishay General Semiconductor - DioDes Division	- - -	Rohr	Veraltet	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Chassis -berg	SOT-227-4	GB90	625 w	Standard	SOT-227	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	VS-GB90DA60UGI	Ear99	8541.29.0095	160	Einzel	Npt	600 V	147 a	2,8 V @ 15V, 100a	100 µA	NEIN
APTGT75SK60T1G	- - -	RFQ	8048	Microsemi Corporation	- - -	Schüttgut	Veraltet	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Chassis -berg	Sp1		250 w	Standard	Sp1	Herunterladen		1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	1	Einzel	TRABENFELD STOPP	600 V	100 a	1,9 V @ 15V, 75A	250 µA	Ja	4.62 NF @ 25 V.
FD1000R33HL3KBPSA1	2.0000	RFQ	1959	Infineon -technologien	IHM-B	Tablett	Nicht für Designs	-40 ° C ~ 150 ° C.	Chassis -berg	Modul	FD1000	11500 w	Standard	Modul	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	Nicht Anwendbar	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	1	2 Unabhängig	TRABENFELD STOPP	3300 v	1000 a	2,85 V @ 15V, 1000a	5 Ma	NEIN	190 NF @ 25 V.
APTGV50H120BTPG	- - -	RFQ	2882	Microsemi Corporation	- - -	Schüttgut	Veraltet	- - -	Chassis -berg	Sp6		270 w	Standard	SP6-P	- - -		1 (unbegrenzt)			Ear99	8541.29.0095	1	Hubschruber, Volle Brucke	Npt, Grabenfeld Stopp	1200 V	75 a	2,1 V @ 15V, 50a	250 µA	Ja	3.6 NF @ 25 V
IRG7U150HF12B	- - -	RFQ	1723	Infineon -technologien	- - -	Kasten	Veraltet	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Chassis -berg	POWIR® 62 Modul	IRG7U	900 w	Standard	Powir® 62	Herunterladen		1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	15	Halbbrücke	- - -	1200 V	300 a	2v @ 15V, 150a	1 Ma	NEIN	14 NF @ 25 V
APTGT75DU120TG	110.7300	RFQ	5531	Mikrochip -technologie	- - -	Schüttgut	Aktiv	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Chassis -berg	Sp4	AptGT75	350 w	Standard	Sp4	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	1	Dual Gemeinsame Quelle	TRABENFELD STOPP	1200 V	100 a	2,1 V @ 15V, 75a	250 µA	Ja	5.34 NF @ 25 V
APTGT50TL601G	65.8500	RFQ	1	Mikrochip -technologie	- - -	Schüttgut	Aktiv	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Chassis -berg	Sp1	APTGT50	176 w	Standard	Sp1	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	1	Drei -Level -Wechselrichter	TRABENFELD STOPP	600 V	80 a	1,9 V @ 15V, 50a	250 µA	NEIN	3.15 NF @ 25 V.
APTGT400U170D4G	316.5100	RFQ	1755	Mikrochip -technologie	- - -	Schüttgut	Aktiv	- - -	Chassis -berg	D4	APTGT400	2080 w	Standard	D4	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	1	Einzel	TRABENFELD STOPP	1700 v	800 a	2,4 V @ 15V, 400a	1 Ma	NEIN	33 NF @ 25 V.
FS450R17OP4PBOSA1	889.2150	RFQ	6560	Infineon -technologien	Econopack ™+	Tablett	Aktiv	- - -			FS450R17		- - -		Herunterladen	ROHS3 -KONFORM		UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	4	- - -	- - -			- - -
FZ1500R33HE3C1NPSA1	- - -	RFQ	7581	Infineon -technologien	IHM-B	Tablett	Abgebrochen bei Sic	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Chassis -berg	Modul	FZ1500	2400000 w	Standard	AG-IHVB190-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM		UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	1	Volle Brucke	TRABENFELD STOPP	3300 v	1500 a	3,1 V @ 15V, 1,5 ka	5 Ma	NEIN	280 NF @ 25 V.
FP35R12KT4PBPSA1	125.5450	RFQ	9404	Infineon -technologien	Econopim ™ 2	Tablett	Aktiv	-40 ° C ~ 150 ° C.	Chassis -berg	Modul	FP35R12	20 MW	DREIPHASENBRÜCKENGLECHRICHTER	Modul	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	10	Drei -Phase -wechselrichter	TRABENFELD STOPP	1200 V	70 a	2,15 V @ 15V, 35a	1 Ma	Ja	2 NF @ 25 V
FP75R12KE3BOSA1	236.8800	RFQ	76	Infineon -technologien	- - -	Tablett	Aktiv	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	Chassis -berg	Modul	FP75R12	355 w	Standard	Modul	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	10	Einzel	Npt	1200 V	105 a	2,2 V @ 15V, 75A	5 Ma	NEIN	5.3 NF @ 25 V
VIO125-12P1	- - -	RFQ	2914	Ixys	- - -	Kasten	Veraltet	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Chassis -berg	Öko-PAC2	VIO	568 w	Standard	Öko-PAC2	Herunterladen		1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	25	Einzel	Npt	1200 V	138 a	3,4 V @ 15V, 125a	5 Ma	NEIN	5.5 NF @ 25 V.
APTGT30A60T1G	- - -	RFQ	5070	Microsemi Corporation	- - -	Schüttgut	Veraltet	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Chassis -berg	Sp1		90 w	Standard	Sp1	Herunterladen		1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	1	Halbbrücke	TRABENFELD STOPP	600 V	50 a	1,9 V @ 15V, 30a	250 µA	Ja	1,6 NF @ 25 V.
BSM100GP60BOSA1	- - -	RFQ	6040	Infineon -technologien	- - -	Tablett	Veraltet	-40 ° C ~ 125 ° C.	Chassis -berg	Modul	BSM100	420 w	DREIPHASENBRÜCKENGLECHRICHTER	Modul	- - -	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	10	Drei -Phase -wechselrichter	- - -	600 V	135 a	2,45 V @ 15V, 100a	500 µA	Ja	4.3 NF @ 25 V
Higfed1bosa1	- - -	RFQ	6279	Infineon -technologien	- - -	Tablett	Veraltet	- - -	- - -	- - -	Higfed1		- - -	- - -	- - -		1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	SP000713564	Veraltet	0000.00.0000	1	- - -	- - -			- - -

2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m²
Lagerhaus

IGBT -Modul (3267)

2000+

30.000.000

2800+

15.000 m2

15.000 m²