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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Gewinnen | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) | RAUSCHFIGUR (DB Typ @ f) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | PMSTA3904,115 | 0,0200 | ![]() | 8177 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | PMSTA | 200 MW | SC-70 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 40 v | 200 ma | 50na (ICBO) | Npn | 300mv @ 5ma, 50 mA | 100 @ 10 Ma, 1V | 300 MHz | ||||||
![]() | DXTP3C100PD-13 | 0,2411 | ![]() | 9012 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | DXTP3C100 | 1.76W | PowerDI5060-8 (Typ UXD) | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 31-DXTP3C100PD-13TR | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.500 | 100V | 3a | 100na | 2 PNP (Dual) | 325mv @ 200 Ma, 2a | 170 @ 500 mA, 10V | 100 MHz | |||||||
![]() | BD241CTU | 0,3200 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | BD241 | 40 w | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | 100 v | 3 a | 300 µA | Npn | 1,2 V @ 600 Ma, 3a | 25 @ 1a, 4V | - - - | ||||||
![]() | BC857C | 0,1000 | ![]() | 840 | 0.00000000 | Guten Halbler | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 350 MW | SOT-23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0080 | 3.000 | 45 V | 100 ma | 15NA (ICBO) | PNP | 650 mv @ 5ma, 100 mA | 125 @ 2MA, 5V | 150 MHz | |||||||
![]() | MPS650RLRA | - - - | ![]() | 1253 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, Bis 92-3 Langer Körper (Gebildete Leitungen) | MPS650 | 625 MW | To-92 (to-226) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | 40 v | 2 a | 100NA (ICBO) | Npn | 500mv @ 200 Ma, 2a | 75 @ 1a, 2v | 75 MHz | ||||||
![]() | MMBTA14 | 0,0230 | ![]() | 300 | 0.00000000 | Yangjie -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 225 MW | SOT-23 | - - - | ROHS -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 4617-MMBTA14TR | Ear99 | 3.000 | 30 v | 300 ma | 100NA (ICBO) | NPN - Darlington | 1,5 V @ 100 µA, 100 mA | 20000 @ 150 Ma, 1V | 125 MHz | ||||||||
![]() | NHUMH10F | 0,0503 | ![]() | 6739 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | NHUMH10 | 350 MW | 6-tssop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | 80V | 100 ma | 100na | 1 NPN, 1 PNP - Voreingenben (Dual) | 100 mV @ 500 µA, 10 mA | 100 @ 10ma, 5V | 170 MHz, 150 MHz | 2.2ko | 47kohm | |||||
![]() | 2SA1586-y, LXHF | 0,3300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | 200 MW | USM | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 v | 150 Ma | 100NA (ICBO) | PNP | 300mv @ 10 mA, 100 mA | 120 @ 2MA, 6V | 80MHz | |||||||||
![]() | NSS20200LT1G | 0,3800 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | NSS20200 | 460 MW | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 20 v | 2 a | 100NA (ICBO) | PNP | 180mv @ 200 Ma, 2a | 250 @ 500 mA, 2V | 100 MHz | ||||||
![]() | 2C6301 | 21.0938 | ![]() | 5597 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-2C6301 | 1 | |||||||||||||||||||||
![]() | 2N5771 | 1.0000 | ![]() | 2770 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) | 350 MW | To-92-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 15 v | 200 ma | 10na | PNP | 600mv @ 5ma, 50 mA | 50 @ 10ma, 300mV | - - - | |||||||||
![]() | MS2207 | - - - | ![]() | 4042 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - - - | Schüttgut | Veraltet | 250 ° C (TJ) | Chassis -berg | M216 | 880W | M216 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 8db | 65 V | 24a | Npn | 10 @ 5a, 5V | 1,09 GHz | - - - | ||||||||
![]() | DDTC143ZKA-7-F | - - - | ![]() | 2413 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DDTC143 | 200 MW | SC-59-3 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 80 @ 10ma, 5V | 250 MHz | 4.7 Kohms | 47 Kohms | |||||
![]() | 2N5139 | - - - | ![]() | 8210 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - - - | Kasten | Veraltet | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Veraltet | 0000.00.0000 | 2.500 | ||||||||||||||||||||
![]() | 2N3584 | 35.7504 | ![]() | 2092 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-213aa, to-66-2 | 2N3584 | 2,5 w | To-66 (to-213aa) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | 2n3584ms | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 250 V | 2 a | 5ma | Npn | 750 MV @ 125 Ma, 1a | 40 @ 100 mA, 10 V. | - - - | ||||||
![]() | Umh2n | 0,0300 | ![]() | 300 | 0.00000000 | Yangjie -technologie | Umh2n | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | UMH2 | 150 MW | SOT-363 | - - - | ROHS -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 4617-umh2ntr | Ear99 | 3.000 | 50V | 100 ma | 500NA | 2 NPN - Voresingenben (Dual) | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 68 @ 5ma, 5v | 250 MHz | - - - | - - - | ||||||
![]() | Dta143zm3t5g | 0,3300 | ![]() | 23 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOT-723 | Dta143 | 260 MW | SOT-723 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 8.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 250 mV @ 300 µA, 10 mA | 80 @ 5ma, 10V | 4.7 Kohms | 47 Kohms | ||||||
![]() | 2n2222a | 0,0298 | ![]() | 100 | 0.00000000 | DITEC -halbleiter | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) | 625 MW | To-92 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | 2796-2n2222atr | 8541.21.0000 | 4.000 | 40 v | 600 mA | 10NA (ICBO) | Npn | 1v @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 150 mA, 10V | 250 MHz | |||||||
![]() | DTC124EU3HZGT106 | 0,0683 | ![]() | 5543 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | DTC124 | 200 MW | Umt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 56 @ 5ma, 5V | 250 MHz | 22 Kohms | 22 Kohms | |||||
![]() | MPQ3725 PBFREE | - - - | ![]() | 6551 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - - - | Rohr | Veraltet | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 14 DIP (0,300 ", 7,62 mm) | MPQ3725 | 1W | To-116 | Herunterladen | Anfordern Sie Die Bestandsüberprüfung | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 25 | 40V | 1a | 500NA (ICBO) | 4 NPN (Quad) | 450 MV @ 50 Ma, 500 mA | 35 @ 100 mA, 1V | 250 MHz | ||||||
![]() | BC848AWT1 | 0,0200 | ![]() | 45 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | |||||||||||||||||||
![]() | BC847PNH6727XTSA1 | 0,1029 | ![]() | 2217 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Lets Kaufen | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 | BC847 | 250 MW | Pg-sot363-po | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 45 V | 100 ma | 15NA (ICBO) | NPN, PNP | 650 mv @ 5ma, 100 mA | 200 @ 2MA, 5V | 250 MHz | ||||||
![]() | PDTC143ZEF, 115 | - - - | ![]() | 4530 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SC-89, SOT-490 | PDTC143 | 250 MW | SC-89 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 4.000 | 50 v | 100 ma | 1 µA | NPN - VORGEPANNT | 100 mv @ 250 ua, 5 mA | 100 @ 10ma, 5V | 4.7 Kohms | 47 Kohms | ||||||
2N5195 | - - - | ![]() | 7959 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | - - - | Rohr | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-225aa, to-126-3 | 2n51 | 40 w | SOT-32-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 80 v | 4 a | 1ma | PNP | 1,2 V @ 1a, 4a | 20 @ 1,5a, 2V | 2MHz | |||||||
![]() | 2SD1816S-e | - - - | ![]() | 2083 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa | 2SD1816 | 1 w | Tp | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 500 | 100 v | 4 a | 1 µA (ICBO) | Npn | 400mv @ 200 Ma, 2a | 70 @ 500 mA, 5V | 180 MHz | ||||||
![]() | NSBC114YPDXV6T5G | - - - | ![]() | 8178 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | NSBC114 | 500 MW | SOT-563 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 8.000 | 50V | 100 ma | 500NA | 1 NPN, 1 PNP - Voreingenben (Dual) | 250 mV @ 300 µA, 10 mA | 80 @ 5ma, 10V | - - - | 10kohm | 47kohm | |||||
![]() | Mmdt3946q | 0,0420 | ![]() | 300 | 0.00000000 | Yangjie -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Mmdt3946 | - - - | ROHS -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 4617-mmdt3946qtr | Ear99 | 3.000 | |||||||||||||||||||
![]() | Mun2136t1g | 0,2600 | ![]() | 12 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Mun2136 | 230 MW | SC-59 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 250 mV @ 300 µA, 10 mA | 80 @ 5ma, 10V | 100 Kohms | 100 Kohms | ||||||
![]() | PBLS1504Y, 115 | 0,0700 | ![]() | 74 | 0.00000000 | NXP -halbleiter | * | Schüttgut | Aktiv | PBLS1504 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 2156-PBLS1504Y, 115-954 | 4,873 | ||||||||||||||||||||
![]() | 2SC1214D | 0,1400 | ![]() | 30 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
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