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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Gewinnen | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) | RAUSCHFIGUR (DB Typ @ f) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | FJV4104RMTF | 0,0200 | ![]() | 9030 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | FJV410 | 200 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | Nicht Anwendbar | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 100NA (ICBO) | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 68 @ 5ma, 5v | 200 MHz | 47 Kohms | 47 Kohms | |||||||
![]() | BC547C, 116 | - - - | ![]() | 4767 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | BC54 | 500 MW | To-92-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.000 | 45 V | 100 ma | 15NA (ICBO) | Npn | 400mv @ 5 mA, 100 mA | 420 @ 2MA, 5V | 100 MHz | ||||||
![]() | FJC1386ptf | 0,1100 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | 500 MW | SOT-89-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Ear99 | 8541.21.0095 | 4.000 | 20 v | 5 a | 500NA (ICBO) | PNP | 1v @ 100 mA, 4a | 80 @ 500 mA, 2V | - - - | |||||||||
Jan2N3500 | 12.5818 | ![]() | 5481 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/366 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-205ad, bis 39-3 Metall Kann | 2N3500 | 1 w | To-39 (bis 205ad) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 150 v | 300 ma | 10 µA (ICBO) | Npn | 400mv @ 15ma, 150 mA | 40 @ 150 mA, 10V | - - - | |||||||
![]() | UNR51ATG0L | - - - | ![]() | 3162 | 0.00000000 | Panasonische Elektronische Komponenten | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SC-85 | UNR51 | 150 MW | Smini3-F2 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 v | 80 Ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 250 mV @ 300 µA, 10 mA | 80 @ 5ma, 10V | 80 MHz | 22 Kohms | 47 Kohms | |||||||
![]() | Jan2n5038 | - - - | ![]() | 5419 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/439 | Schüttgut | Abgebrochen bei Sic | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-204aa, to-3 | 140 w | To-3 (to-204aa) | - - - | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 90 v | 20 a | 1 µA | Npn | 1v @ 1,2a, 12a | 50 @ 2a, 5v | - - - | |||||||
![]() | BCX70JE6433HTMA1 | 0,0492 | ![]() | 5550 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Lets Kaufen | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BCX70 | 330 MW | Pg-SOT23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | 45 V | 100 ma | 20na (ICBO) | Npn | 550 MV @ 1,25 mA, 50 mA | 250 @ 2MA, 5V | 250 MHz | ||||||
![]() | JANSL2N3810L | 198.9608 | ![]() | 7220 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/336 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | Bis 78-6 Metalldose | 2N3810 | 350 MW | To-78-6 | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jansl2N3810L | 1 | 60 v | 50 ma | 10 µA (ICBO) | 2 PNP (Dual) | 250 mV @ 100 µA, 1 mA | 150 @ 1ma, 5V | - - - | |||||||||
![]() | BFS 469L6 E6327 | - - - | ![]() | 7074 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-xfdfn | 200 MW, 250 MW | TSLP-6-1 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 15.000 | 14.5db | 5v, 10V | 50 mA, 70 mA | 2 NPN (Dual) | 130 @ 20 mA, 3V / 100 @ 5MA, 3V | 22GHz, 9GHz | 1,1 db ~ 1,4 dB @ 1,8GHz ~ 3GHz | |||||||
![]() | MMBTRA102SS | 0,0298 | ![]() | 42 | 0.00000000 | DITEC -halbleiter | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Mmbtra102 | 200 MW | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2796 mmbtra102sstr | 8541.21.0000 | 3.000 | 100 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | - - - | 50 @ 10ma, 5v | 200 MHz | 10 Kohms | 10 Kohms | |||||||
![]() | MPS2907A-BP | - - - | ![]() | 2040 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) | MPS2907 | 625 MW | To-92 | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 353-MPS2907A-BP | Ear99 | 8541.21.0075 | 1.000 | 60 v | 600 mA | 50na | PNP | 600mv @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 150 mA, 10V | 200 MHz | ||||||
![]() | 2SA1977-T1B-A | - - - | ![]() | 2721 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 200 MW | SOT23-3 (to-236) | Herunterladen | Nicht Anwendbar | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 12 dB | 12V | 50 ma | PNP | 20 @ 20 ma, 8v | 8,5 GHz | 1,5 dB @ 1 GHz | |||||||||
![]() | RN4991FE, LXHF (CT | 0,3800 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | RN4991 | 100 MW | Es6 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0095 | 4.000 | 50V | 100 ma | 100NA (ICBO) | 1 NPN, 1 PNP - Voreingenben (Dual) | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 120 @ 1ma, 5V | 250 MHz, 200 MHz | 10kohm | - - - | |||||||
![]() | Stld128dnt4 | 0,9400 | ![]() | 37 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Stld128 | 20 w | Dpak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 497-8786-2 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 400 V | 4 a | 250 µA | Npn | 1v @ 400 mA, 2a | 8 @ 2a, 5V | - - - | |||||
JankCap2N2369a | - - - | ![]() | 3304 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/317 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C. | K. Loch | To-206aa, to-18-3 Metalldose | 500 MW | To-18 (to-206aa) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-JankCap2N2369a | 100 | 15 v | 400na | Npn | 450 mV @ 10 mA, 100 mA | 40 @ 10 Ma, 1V | - - - | ||||||||||||
![]() | SPS9499QRLRP | 0,0200 | ![]() | 72 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | 2SA1362-gr, lf | 0,4000 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 2SA1362 | 200 MW | S-mini | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 15 v | 800 mA | 100NA (ICBO) | PNP | 200mv @ 8ma, 400 mA | 200 @ 100ma, 1V | 120 MHz | |||||||
![]() | BC847PN-AQ | 0,0607 | ![]() | 4885 | 0.00000000 | DITEC -halbleiter | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 | 250 MW | SOT-363 | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 2796-BC847pn-Aqtr | 8541.21.0000 | 3.000 | 45 V | 100 ma | 15NA (ICBO) | NPN, PNP | 600mv @ 5 mA, 100 mA, 650 mv @ 5 mA, 100 mA | 200 @ 2MA, 5V, 220 @ 2MA, 5V | 100 MHz | |||||||
PDTD123TT, 215 | 0,3300 | ![]() | 1226 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | PDTD123 | 250 MW | To-236ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 v | 500 mA | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 2,5 mA, 50 mA | 100 @ 50 Ma, 5V | 2.2 Kohms | ||||||||
![]() | PBLS1503V, 115-NXP | 0,0700 | ![]() | 12 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | PBLS1503 | 300 MW | SOT-666 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 0000.00.0000 | 4.000 | 50 V, 15 V | 100 mA, 500 mA | 1 µA, 100NA | 1 NPN Voreingensmen, 1 PNP | 150 mV @ 500 µA, 10 mA / 250 mV @ 50 mA, 500 mA | 30 @ 5MA, 5V / 200 @ 10ma, 2V | 280 MHz | 10kohm | 10kohm | |||||
![]() | BC807-25QBH-QZ | 0,3200 | ![]() | 24 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automotive, AEC-Q101, BC807QBH-Q | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung, Benetzbare Flanke | 3-xdfn exponiert Pad | 420 MW | DFN1110D-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 5.000 | 45 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | PNP | 700 mv @ 50 mA, 500 mA | 160 @ 100 mA, 1V | 80MHz | |||||||
![]() | PDTA144EQA147 | 0,0300 | ![]() | 19 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0095 | 5.000 | |||||||||||||||||||
![]() | 2N6581 | 110.9100 | ![]() | 5821 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-204aa, to-3 | 125 w | To-204ad (to-3) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-2N6581 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 450 V | 10 a | - - - | PNP | 1,5 V @ 500 µA, 3ma | - - - | - - - | ||||||||
BC816-16HVL | 0,2800 | ![]() | 30 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automotive, AEC-Q101, BC816H | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BC816 | 300 MW | To-236ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | 80 v | 500 mA | 100NA (ICBO) | Npn | 400 mv @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 100 mA, 1V | 100 MHz | |||||||
![]() | SS8550CTA | 0,0600 | ![]() | 14 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | 1 w | To-92-3 | Herunterladen | Ear99 | 8541.29.0075 | 4,948 | 25 v | 1,5 a | 100NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 80 mA, 800 mA | 120 @ 100 mA, 1V | 200 MHz | ||||||||||
![]() | 23A025 | - - - | ![]() | 9756 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - - - | Schüttgut | Veraltet | 200 ° C (TJ) | Chassis -berg | 55BT | 9W | 55BT | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 6 dB ~ 6,3 dB | 22V | 1.2a | Npn | 20 @ 420 Ma, 5V | 3,7 GHz | - - - | ||||||||
![]() | BC868-QX | 0,1710 | ![]() | 8934 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | 500 MW | SOT-89 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 1727-BC868-QXTR | Ear99 | 8541.21.0095 | 1.000 | 20 v | 2 a | 100NA (ICBO) | Npn | 600mv @ 200 Ma, 2a | 85 @ 500 mA, 1V | 170 MHz | ||||||
![]() | DTC123JCA-TP | 0,2700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DTC123 | 200 MW | SOT-23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 80 @ 10ma, 5V | 250 MHz | 2.2 Kohms | ||||||
KSH32CTF | - - - | ![]() | 1009 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | KSH32 | 1,56 w | D-Pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | 100 v | 3 a | 50 µA | PNP | 1,2 V @ 375 Ma, 3a | 10 @ 3a, 4V | 3MHz | |||||||
![]() | Mun2212t3 | 0,0200 | ![]() | 1211 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1.000 |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
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