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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MPSA42RLRMG | - - - | ![]() | 1710 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, Bis 92-3 Langer Körper (Gebildete Leitungen) | MPSA42 | 625 MW | To-92 (to-226) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | 300 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | Npn | 500 mv @ 2MA, 20 mA | 40 @ 30 ma, 10V | 50 MHz | |||||
![]() | 2SC5200OTU | 5.7800 | ![]() | 624 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Aktiv | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-264-3, to-264aa | 2SC5200 | 150 w | To-264-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | 2832-2SC5200otu | Ear99 | 8541.29.0075 | 25 | 250 V | 17 a | 5 µA (ICBO) | Npn | 3v @ 800 mA, 8a | 80 @ 1a, 5V | 30 MHz | |||
![]() | PBSS302ndh, 125 | - - - | ![]() | 6505 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-74, SOT-457 | 360 MW | 6-tsop | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | 1 | 40 v | 4 a | 100NA (ICBO) | Npn | 450 MV @ 600 Ma, 6a | 250 @ 2a, 2v | 150 MHz | |||||||
JANSD2N2221AL | 98.4404 | ![]() | 6309 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/255 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-206aa, to-18-3 Metalldose | 500 MW | To-18 (to-206aa) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-JansD2N2221Al | 1 | 50 v | 800 mA | 50na | Npn | 1v @ 50 mA, 500 mA | 40 @ 150 mA, 10V | - - - | |||||||||
![]() | PMST3904,135 | 0,1900 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | PMST3904 | 200 MW | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | 40 v | 200 ma | 50na (ICBO) | Npn | 300mv @ 5ma, 50 mA | 100 @ 10 Ma, 1V | 300 MHz | ||||
![]() | NSVMMBT2907AWT1G | 0,4000 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | NSVMMBT2907 | 150 MW | SC-70-3 (SOT323) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 60 v | 600 mA | - - - | PNP | 1,6 V @ 50 Ma, 500 mA | 100 @ 150 mA, 10V | 200 MHz | ||||
![]() | 2N4240 | 39.9133 | ![]() | 1742 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-213aa, to-66-2 | 2N4240 | 35 w | To-66 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 500 V | 2 a | 5ma | Npn | 1v @ 75 mA, 750 mA | 30 @ 750 Ma, 10 V | - - - | |||||
PDTA114et, 235 | 0,1700 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | PDTA114 | 250 MW | To-236ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | 50 v | 100 ma | 1 µA | PNP - VoreInensmen | 150 mV @ 500 µA, 10 mA | 30 @ 5ma, 5v | 10 Kohms | 10 Kohms | |||||
![]() | BC238A_J35Z | - - - | ![]() | 6170 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | BC238 | 500 MW | To-92-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.000 | 25 v | 100 ma | 15na | Npn | 600mv @ 5ma, 100 mA | 120 @ 2MA, 5V | 250 MHz | |||||
![]() | JANSL2N3440UA | - - - | ![]() | 9350 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/368 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | 800 MW | Ua | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jansl2N3440UA | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 250 V | 1 a | 2 µA | Npn | 500mv @ 4ma, 50 mA | 40 @ 20 mA, 10V | - - - | |||||
![]() | CP327V-MPSA27-CT | - - - | ![]() | 1420 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - - - | Tablett | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Sterben | CP327 | Sterben | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 1514-CP327V-MPSA27-CT | Ear99 | 8541.21.0040 | 400 | 60 v | 500 mA | 500NA | NPN - Darlington | 1,5 V @ 100 µA, 100 mA | 10000 @ 100 mA, 5V | 125 MHz | ||||
![]() | BC635_D26Z | - - - | ![]() | 9635 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | BC635 | 1 w | To-92-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.000 | 45 V | 1 a | 100NA (ICBO) | Npn | 500 mv @ 50 mA, 500 mA | 40 @ 150 mA, 2V | 100 MHz | |||||
![]() | 2N6730 App Zinn/Lead | 1.5200 | ![]() | 4528 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-237aa | 1 w | To-237 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.000 | 100 v | 2 a | 100NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 10 mA, 250 mA | 80 @ 50 Ma, 1V | 500 MHz | |||||
![]() | BC547Arl | - - - | ![]() | 2706 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, Bis 92-3 Langer Körper (Gebildete Leitungen) | BC547 | 625 MW | To-92 (to-226) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.000 | 45 V | 100 ma | 15na | Npn | 250 mV @ 500 µA, 10 mA | 110 @ 2MA, 5V | 300 MHz | ||||
2pb709asl, 215 | 0,1800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 2pb709 | 250 MW | To-236ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 45 V | 100 ma | 10NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 10 mA, 100 mA | 290 @ 2MA, 10V | 80MHz | |||||
![]() | FDMS038ZS | 0,2700 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8542.39.0001 | 3.000 | |||||||||||||||||
![]() | NSBA144EF3T5G | - - - | ![]() | 9852 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SOT-1123 | NSBA144 | 254 MW | SOT-1123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 8.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 250 mV @ 300 µA, 10 mA | 80 @ 5ma, 10V | 47 Kohms | 47 Kohms | ||||
![]() | PN4209 | - - - | ![]() | 4398 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - - - | Schüttgut | Veraltet | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) | 625 MW | To-92-3 | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 1514-PN4209 | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 15 v | 200 ma | 10na | PNP | 600mv @ 5ma, 50 mA | 50 @ 10ma, 300mV | 850 MHz | ||||||
![]() | MJE700stu | - - - | ![]() | 3323 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-225aa, to-126-3 | MJE700 | 40 w | To-126-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.920 | 60 v | 4 a | 100 µA | PNP - Darlington | 2,5 V @ 30 Ma, 1,5a | 750 @ 1,5a, 3V | - - - | |||||
![]() | BC640 | 0,0600 | ![]() | 29 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | 625 MW | To-92 (to-226) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Ear99 | 8541.29.0075 | 5.000 | 80 v | 500 mA | 100NA (ICBO) | PNP | 500 mv @ 50 mA, 500 mA | 40 @ 150 mA, 2V | 150 MHz | |||||||
![]() | 2SA1980-O-AP | - - - | ![]() | 4980 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | 2SA1980 | 625 MW | To-92 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0095 | 1.000 | 50 v | 150 Ma | 100NA (ICBO) | PNP | 300mv @ 10 mA, 100 mA | 70 @ 2a, 6v | 80MHz | |||||
![]() | KSC838COTA | - - - | ![]() | 3559 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | KSC838 | 250 MW | To-92-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.000 | 30 v | 30 ma | 100NA (ICBO) | Npn | 400mv @ 1ma, 10 mA | 70 @ 2MA, 12V | 250 MHz | |||||
![]() | Ta008b, q | 0,6600 | ![]() | 250 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Tablett | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-225aa, to-126-3 | 1,5 w | To-126n | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 250 | 80 v | 2 a | 100NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 100 mA, 1a | 100 @ 500 mA, 2V | 100 MHz | |||||||
![]() | DTC143ZCAHE3-TP | 0,2600 | ![]() | 3608 | 0.00000000 | Micro Commercial co | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DTC143 | 200 MW | SOT-23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0095 | 6.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | NPN - VoreInenememen + Diode | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 80 @ 10ma, 5V | 250 MHz | 4.7 Kohms | |||||
![]() | RN2306, LF | 0,1900 | ![]() | 2146 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | RN2306 | 100 MW | SC-70 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 80 @ 10ma, 5V | 200 MHz | 4.7 Kohms | 47 Kohms | ||||
![]() | Pdta144et | - - - | ![]() | 8052 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||
![]() | BC546A PBFREE | 0,2536 | ![]() | 6016 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - - - | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) | BC546 | 500 MW | To-92 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.000 | 80 v | 100 ma | 15NA (ICBO) | Npn | 600mv @ 5ma, 100 mA | 110 @ 2MA, 5V | 300 MHz | ||||
![]() | MMBTA56 | 0,0300 | ![]() | 12 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-90, SOD-323F | MMBTA56 | 250 MW | SOD-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 9.616 | 80 v | 500 mA | 100NA (ICBO) | PNP | 250mv @ 10 mA, 100 mA | 100 @ 100 mA, 1V | 50 MHz | ||||
![]() | PDTC144VU, 115 | 0,0200 | ![]() | 14 | 0.00000000 | NXP -halbleiter | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 2156-PDTC144VU, 115-954 | 14.990 | |||||||||||||||||||
![]() | BFN38E6327HTSA1 | - - - | ![]() | 8719 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | 1,5 w | PG-SOT223-4 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 300 V | 200 ma | 100NA (ICBO) | Npn | 500 mv @ 2MA, 20 mA | 30 @ 30 Ma, 10V | 70 MHz |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
Weltweite Hersteller
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