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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Gewinnen | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) | RAUSCHFIGUR (DB Typ @ f) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Pdtb114euf | - - - | ![]() | 3279 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | PDTB114 | 300 MW | SOT-323 | Herunterladen | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 50 v | 500 mA | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 100 MV @ 2,5 mA, 50 mA | 70 @ 50 Ma, 5V | 140 MHz | 10 Kohms | 10 Kohms | |||||||||
![]() | 2C3737 | 13.8187 | ![]() | 1945 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-2C3737 | 1 | |||||||||||||||||||||
![]() | BFR183E6327HTSA1 | 0,5100 | ![]() | 26 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BFR183 | 450 MW | Pg-SOT23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 17.5db | 12V | 65 Ma | Npn | 70 @ 15ma, 8v | 8GHz | 0,9 db ~ 1,4 db bei 900 MHz ~ 1,8 GHz | ||||||
![]() | BC847CQB-QZ | 0,0381 | ![]() | 4184 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung, Benetzbare Flanke | 3-xdfn exponiert Pad | 340 MW | DFN1110D-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 5.000 | 45 V | 100 ma | 15NA (ICBO) | Npn | 400mv @ 5 mA, 100 mA | 420 @ 2MA, 5V | 100 MHz | |||||||
![]() | KSA812GMTF | 0,0600 | ![]() | 56 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 150 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 100NA (ICBO) | PNP | 300mv @ 10 mA, 100 mA | 200 @ 1ma, 6v | 180 MHz | |||||||||
![]() | DRC3143X0L | - - - | ![]() | 6093 | 0.00000000 | Panasonische Elektronische Komponenten | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | SOT-723 | DRC3143 | 100 MW | SSSMINI3-F2-B | - - - | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 250 mV @ 500 µA, 10 mA | 30 @ 5ma, 10V | 4.7 Kohms | 10 Kohms | |||||||
![]() | MMBT2222AT-TP-HF | - - - | ![]() | 8052 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-523 | MMBT2222 | 150 MW | SOT-523 | Herunterladen | 353-MMBT222AT-TP-HF | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 40 v | 600 mA | 100na | Npn | 1v @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 150 mA, 10V | 300 MHz | ||||||||
![]() | MSC74070 | - - - | ![]() | 5459 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - - - | Schüttgut | Veraltet | - - - | 1 (unbegrenzt) | Veraltet | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||
![]() | EMH61T2R | 0,4700 | ![]() | 319 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | EMH61 | 150 MW | EMT6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 8.000 | 50V | 50 ma | 500NA | 2 NPN - Voresingenben (Dual) | 150 mV @ 500 µA, 5 mA | 35 @ 5ma, 10 V. | 250 MHz | 10kohm | 10kohm | |||||
![]() | BD240BTU | 1.0000 | ![]() | 9892 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Rohr | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | 30 w | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 80 v | 2 a | 300 µA | PNP | 700mv @ 200 Ma, 1a | 15 @ 1a, 4V | - - - | |||||||||
![]() | 80005 | - - - | ![]() | 3193 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - - - | Schüttgut | Veraltet | - - - | 1 (unbegrenzt) | Veraltet | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||
![]() | RN2101, LXHF (CT | 0,3300 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | RN2101 | 100 MW | SSM | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 30 @ 10ma, 5v | 200 MHz | 4.7 Kohms | 4.7 Kohms | |||||||
![]() | BCP55-10TF | 0,0920 | ![]() | 5352 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | BCP55 | 1,3 w | SOT-223 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 4.000 | 60 v | 1 a | 100NA (ICBO) | Npn | 500 mv @ 50 mA, 500 mA | 63 @ 150 mA, 2V | 155 MHz | ||||||
![]() | CPH3110-tl-e | 0,1100 | ![]() | 39 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | 3.000 | |||||||||||||||||||||
FZT651TC | 0,6800 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | FZT651 | 2 w | SOT-223-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0075 | 4.000 | 60 v | 3 a | 100NA (ICBO) | Npn | 600mv @ 300 mA, 3a | 100 @ 500 mA, 2V | 175MHz | |||||||
![]() | BC556TFR | - - - | ![]() | 4368 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | BC556 | 500 MW | To-92-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.000 | 65 V | 100 ma | 15NA (ICBO) | PNP | 650 mv @ 5ma, 100 mA | 110 @ 2MA, 5V | 150 MHz | |||||||
![]() | KSC1623OMTF | 0,0200 | ![]() | 6865 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 200 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 100NA (ICBO) | Npn | 300mv @ 10 mA, 100 mA | 90 @ 1ma, 6v | 250 MHz | |||||||||
![]() | XN0421200L | - - - | ![]() | 6940 | 0.00000000 | Panasonische Elektronische Komponenten | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 | Xn0421 | 300 MW | Mini6-G1 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50V | 100 ma | 500NA | 2 NPN - Voresingenben (Dual) | 250 mV @ 300 µA, 10 mA | 60 @ 5ma, 10V | 150 MHz | 22kohm | 22kohm | |||||||
![]() | BCW31,215 | 0,0300 | ![]() | 42 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 250 MW | SOT-23 | Herunterladen | 0000.00.0000 | 11.493 | 32 v | 100 ma | 100NA (ICBO) | Npn | 210mv @ 2,5 mA, 50 mA | 110 @ 2MA, 5V | 100 MHz | |||||||||||
![]() | 2N6298 | 33.2633 | ![]() | 7368 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-213aa, to-66-2 | 2N6298 | 64 w | To-66 (to-213aa) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 60 v | 8 a | 500 ähm | PNP - Darlington | 2v @ 80 Ma, 8a | 750 @ 4a, 3v | - - - | |||||||
![]() | RN2111MFV, L3F | 0,2000 | ![]() | 1153 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOT-723 | RN2111 | 150 MW | VESM | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0095 | 8.000 | 50 v | 100 ma | 100NA (ICBO) | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 120 @ 1ma, 5V | 10 Kohms | ||||||||
![]() | MS2422 | - - - | ![]() | 9221 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - - - | Schüttgut | Veraltet | 200 ° C (TJ) | Chassis -berg | M138 | 875W | M138 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 6.3db | 65 V | 22a | Npn | 10 @ 1a, 5V | 960 MHz ~ 1,215 GHz | - - - | ||||||||
![]() | NTE256 | 20.3700 | ![]() | 125 | 0.00000000 | NTE Electronics, Inc. | - - - | Tasche | Aktiv | 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-218-3 | 150 w | To-218 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 2368-NTE256 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 400 V | 28 a | 1ma | NPN - Darlington | 5v @ 5.6a, 28a | 30 @ 10a, 5V | - - - | ||||||||
![]() | CMNT3904E TR PBFREE | 0,1380 | ![]() | 7429 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-953 | CMNT3904 | 250 MW | SOT-953 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 8.000 | 40 v | 200 ma | - - - | Npn | 200mv @ 5ma, 50 mA | 100 @ 10 Ma, 1V | 300 MHz | ||||||
FZT591AQTA | 0,3680 | ![]() | 1648 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | FZT591 | 2 w | SOT-223-3 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 40 v | 1 a | 100na | PNP | 500mv @ 100 mA, 1a | 300 @ 100 mA, 5V | 150 MHz | |||||||
![]() | 2SD1820G0L | - - - | ![]() | 5076 | 0.00000000 | Panasonische Elektronische Komponenten | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-85 | 2SD1820 | 150 MW | Smini3-F2 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 500 mA | 100NA (ICBO) | Npn | 600mv @ 30 mA, 300 mA | 85 @ 150 mA, 10V | 200 MHz | ||||||||
![]() | MJE18004 | - - - | ![]() | 1776 | 0.00000000 | Onsemi | SwitchMode ™ | Rohr | Veraltet | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | MJE18004 | 75 w | To-220 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | MJE18004OS | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 450 V | 5 a | 100 µA | Npn | 750 MV @ 500 Ma, 2,5a | 14 @ 300 mA, 5V | 13MHz | |||||
![]() | NE681M13-A | - - - | ![]() | 2193 | 0.00000000 | Cel | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-3 | NE681 | 140 MW | M13 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | - - - | 10V | 65 Ma | Npn | 80 @ 7ma, 3v | 7GHz | 1,4 dB ~ 2,7 dB @ 1 GHz | |||||||
![]() | PDTC124XQC-QZ | 0,2900 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung, Benetzbare Flanke | 3-xdfn exponiert Pad | PDTC124 | 360 MW | DFN1412D-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 5.000 | 50 v | 100 ma | 100na | NPN - VORGEPANNT | 100 mV @ 500 µA, 10 mA | 80 @ 5ma, 5V | 230 MHz | 22 Kohms | 47 Kohms | |||||
![]() | BCM847bs | 0,0976 | ![]() | 6 | 0.00000000 | DITEC -halbleiter | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 | BCM847 | 250 MW | SOT-363 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2721-BCM847bstr | 8541.21.0000 | 3.000 | 45 V | 100 ma | 15NA (ICBO) | 2 NPN (Dual) | 600mv @ 5ma, 100 mA | 200 @ 2MA, 5V | 100 MHz |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
Weltweite Hersteller
Lagerhaus