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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | DATENBLATT | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Gewinnen | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) | RAUSCHFIGUR (DB Typ @ f) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | ICA32V09X1SA1 | - - - | ![]() | 5871 | 0.00000000 | Infineon -technologien | * | Schüttgut | Veraltet | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | SP001113916 | Veraltet | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | BC308C_J35Z | - - - | ![]() | 7710 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | BC308 | 500 MW | To-92-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.000 | 25 v | 100 ma | 15na | PNP | 500 mV @ 5ma, 100 mA | 380 @ 2MA, 5V | 130 MHz | |||||||
![]() | PMSS3904,115 | 0,0200 | ![]() | 236 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | PMSS3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | |||||||||||||||||||
![]() | BC556TF | - - - | ![]() | 6047 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | BC556 | 500 MW | To-92-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.000 | 65 V | 100 ma | 15NA (ICBO) | PNP | 650 mv @ 5ma, 100 mA | 110 @ 2MA, 5V | 150 MHz | |||||||
![]() | 2SA1576U3T106R | 0,3000 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | 2SA1576 | 200 MW | Umt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 150 Ma | 100NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 5ma, 50 mA | 120 @ 1ma, 6v | 140 MHz | ||||||
![]() | BC856T, 115 | - - - | ![]() | 1611 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | BC856 | 150 MW | SC-75 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 65 V | 100 ma | 15NA (ICBO) | PNP | 400mv @ 5 mA, 100 mA | 125 @ 2MA, 5V | 100 MHz | ||||||
![]() | PMP4201V, 115 | 0,4100 | ![]() | 11 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | PMP4201 | 300 MW | SOT-666 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 4.000 | 45 V | 100 ma | 15NA (ICBO) | 2 NPN (Dual) Matchieres Paar | 400mv @ 5 mA, 100 mA | 200 @ 2MA, 5V | 250 MHz | ||||||
![]() | 2SD0968Arl | - - - | ![]() | 9396 | 0.00000000 | Panasonische Elektronische Komponenten | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | 2SD0968 | 1 w | Minip3-F1 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 120 v | 500 mA | - - - | Npn | 600mv @ 50 mA, 500 mA | 130 @ 150 mA, 10V | 120 MHz | ||||||||
![]() | KSA1220YSTU | - - - | ![]() | 7397 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-225aa, to-126-3 | KSA1220 | 1,2 w | To-126 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 60 | 120 v | 1.2 a | 1 µA (ICBO) | PNP | 700mv @ 200 Ma, 1a | 160 @ 300 mA, 5V | 175MHz | |||||||
![]() | RN1302, lf | 0,2600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | RN1302 | 100 MW | SC-70 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 50 @ 10ma, 5v | 250 MHz | 10 Kohms | 10 Kohms | ||||||
![]() | 2SC2235-y, T6F (j | - - - | ![]() | 7291 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 Langer Körper | 2SC2235 | 900 MW | To-92mod | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 120 v | 800 mA | 100NA (ICBO) | Npn | 1v @ 50 mA, 500 mA | 80 @ 100ma, 5V | 120 MHz | ||||||||
![]() | MPS6727 | - - - | ![]() | 5452 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 Langer Körper | MPS672 | 1 w | To-92 (to-226) | - - - | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | 40 v | 1 a | 100NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 100 mA, 1a | 50 @ 1a, 1V | - - - | ||||||
![]() | 2N6191 | 11.9833 | ![]() | 8117 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Schüttgut | Aktiv | 2N6191 | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||
2N3960 | - - - | ![]() | 2949 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - - - | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-206aa, to-18-3 Metalldose | 2N3960 | 400 MW | To-18 (to-206aa) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 100 | 12 v | 10 µA (ICBO) | Npn | 300 mV @ 3ma, 30 mA | 60 @ 10 ma, 1V | - - - | ||||||||
![]() | NJVMJD45H11D3T4G | - - - | ![]() | 6023 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | NJVMJD45 | 20 w | Dpak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.500 | 80 v | 8 a | 1 µA | PNP | 1v @ 400 mA, 8a | 40 @ 4a, 1V | 90 MHz | ||||||
![]() | FJC1308RTF | - - - | ![]() | 6011 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | FJC13 | 500 MW | SOT-89-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 4.000 | 30 v | 3 a | 500NA | PNP | 450 MV @ 150 Ma, 1,5a | 180 @ 500 mA, 2V | - - - | |||||||
![]() | Jans2N3740 | 745.4720 | ![]() | 5864 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/441 | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-213aa, to-66-2 | 25 w | To-66 (to-213aa) | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 60 v | 10 µA | 10 µA | PNP | 600 MV @ 1,25 mA, 1a | 30 @ 250 mA, 1V | - - - | ||||||||
![]() | Dta144tt1 | - - - | ![]() | 2825 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Dta144 | 230 MW | SC-59 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 250 mV @ 1ma, 10 mA | 160 @ 5ma, 10V | 47 Kohms | |||||||
![]() | DSC9A01T0L | - - - | ![]() | 9756 | 0.00000000 | Panasonische Elektronische Komponenten | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-89, SOT-490 | DSC9A01 | 125 MW | Ssmini3-f3-b | - - - | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 40 v | 50 ma | 1 µA | Npn | 200mv @ 1ma, 10 mA | 1000 @ 2MA, 10V | 150 MHz | |||||||
![]() | KSB564AYBU | 0,0300 | ![]() | 6872 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) | 800 MW | To-92-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Ear99 | 8541.21.0075 | 9.000 | 25 v | 1 a | 100NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 100 mA, 1a | 120 @ 100 mA, 1V | 110 MHz | |||||||||
![]() | S9018-i-ap | - - - | ![]() | 1124 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | S9018 | 310 MW | To-92 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 18 v | 50 ma | 100na | Npn | 500mv @ 1ma, 10 mA | 130 @ 1ma, 5v | 600 MHz | |||||||
![]() | Pdta143xqaz | 0,0501 | ![]() | 5825 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 3-xdfn exponiert Pad | PDTA143 | 280 MW | DFN1010D-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 5.000 | 50 v | 100 ma | 1 µA | PNP - VoreInensmen | 100 mV @ 500 µA, 10 mA | 50 @ 10ma, 5v | 180 MHz | 4.7 Kohms | 10 Kohms | |||||
![]() | BFP720FH6327XTSA1 | 0,6600 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Flache Leitungen | BFP720 | 100 MW | 4-tsfp | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 10,5 dB ~ 28 dB | 4,7 v | 25ma | Npn | 160 @ 13ma, 3v | 45 GHz | 0,4 db ~ 1 db bei 150 MHz ~ 10 GHz | ||||||
![]() | MJE200TSTU | - - - | ![]() | 5266 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-225aa, to-126-3 | MJE200 | 15 w | To-126-3 | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 60 | 25 v | 5 a | 100NA (ICBO) | Npn | 1,8 V @ 1a, 5a | 45 @ 2a, 1V | 65 MHz | |||||||
BC817K-16HR | 0,2800 | ![]() | 1759 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BC817 | 350 MW | To-236ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 45 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | Npn | 700 mv @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 100 mA, 1V | 100 MHz | |||||||
![]() | 2N4123BU | - - - | ![]() | 7833 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) | 2N4123 | 625 MW | To-92-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 1.000 | 30 v | 200 ma | 50na (ICBO) | Npn | 300mv @ 5ma, 50 mA | 50 @ 2MA, 1V | 250 MHz | |||||||
![]() | TIP126G | - - - | ![]() | 8803 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | TIP126 | 2 w | To-220 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 80 v | 5 a | 500 ähm | PNP - Darlington | 4v @ 20 mA, 5a | 1000 @ 3a, 3v | - - - | ||||||
![]() | 2SC4116-BL-TP | - - - | ![]() | 2780 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | 2SC4116 | 100 MW | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0095 | 1.000 | 60 v | 150 Ma | 100NA (ICBO) | Npn | 250mv @ 5 mA, 50 mA | 350 @ 1ma, 6v | 80MHz | |||||||
![]() | KSC5502DTM | - - - | ![]() | 7816 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | 118.16 w | To-252, (d-pak) | Herunterladen | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 750 V | 2 a | 100 µA | Npn | 1,5 V @ 200 Ma, 1a | 15 @ 200 Ma, 1V | 11 MHz | ||||||||||
![]() | KST24MTF | - - - | ![]() | 4617 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | - - - | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | KST24 | 350 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 30 v | 100 ma | 50na (ICBO) | Npn | - - - | 30 @ 8ma, 10V | 620 MHz |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
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