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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | CZT900K TR | - - - | ![]() | 4216 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | 2 w | SOT-223 | Herunterladen | 1514-CZT900KTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 25 v | 1 a | 100NA (ICBO) | NPN - Darlington | 1,5 V @ 100 µA, 100 mA | 900000 @ 100 mA, 5V | 125 MHz | |||||||
![]() | 2N6295 | 26.9724 | ![]() | 9630 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-213aa, to-66-2 | 50 w | To-66 (to-213aa) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 v | 500 µA | 500 ähm | NPN - Darlington | 300 @ 1,5a, 3V | - - - | ||||||||
![]() | Pumd2,165 | 0,2900 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | Pumd2 | 300 MW | 6-tssop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | 50V | 100 ma | 1 µA | 1 NPN, 1 PNP - Voreingenben (Dual) | 150 mV @ 500 µA, 10 mA | 60 @ 5ma, 5V | - - - | 22kohm | 22kohm | |||
![]() | 2SD1815T-TL-H | - - - | ![]() | 3505 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | 2SD1815 | 1 w | Tp-fa | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 700 | 100 v | 3 a | 1 µA (ICBO) | Npn | 400mV @ 150 mA, 1,5a | 200 @ 500 Ma, 5V | 180 MHz | |||||
![]() | 2SC4270-4-TB-E | 0,0800 | ![]() | 18 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | |||||||||||||||||
![]() | 2SA1519-TB-E | 0,0900 | ![]() | 72 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | |||||||||||||||||
![]() | SMMUN2113LT1G | 0,3300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Smmun2113 | 246 MW | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 250 mV @ 300 µA, 10 mA | 80 @ 5ma, 10V | 47 Kohms | 47 Kohms | ||||
![]() | Mch3144-tl-e | - - - | ![]() | 2237 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | Oberflächenhalterung | 3-smd, flaches blei | MCH3144 | 800 MW | 3-mcph | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 30 v | 2 a | 100NA (ICBO) | PNP | 260mv @ 75 mA, 1,5a | 200 @ 100 Ma, 2V | 440 MHz | ||||
![]() | BCR35PNE6433HTMA1 | - - - | ![]() | 4808 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 | BCR35 | 250 MW | Pg-sot363-po | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | 50V | 100 ma | - - - | 1 NPN, 1 PNP - Voreingenben (Dual) | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 70 @ 5MA, 5V | 150 MHz | 10kohm | 47kohm | ||||
![]() | 2SA1315-y, T6ASNF (j | - - - | ![]() | 7868 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 Langer Körper | 2SA1315 | 900 MW | To-92mod | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 80 v | 2 a | 1 µA (ICBO) | PNP | 500mv @ 50 Ma, 1a | 70 @ 500 mA, 2V | 80MHz | ||||||
![]() | BLC8G27LS-140AV518 | 1.0000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.29.0075 | 100 | |||||||||||||||||
![]() | ZTX749A_J61Z | - - - | ![]() | 3757 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | ZTX749 | 1 w | To-92-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 35 V | 2 a | 100NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 200 Ma, 2a | 100 @ 1a, 2v | 100 MHz | |||||
![]() | SBCP53-10T1G | 0,4200 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | SBCP53 | 1,5 w | SOT-223 (to-261) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 80 v | 1,5 a | 100NA (ICBO) | PNP | 500 mv @ 50 mA, 500 mA | 63 @ 150 mA, 2V | 50 MHz | ||||
![]() | MAPKST0009 | - - - | ![]() | 2736 | 0.00000000 | Macom Technology Solutions | * | Schüttgut | Veraltet | - - - | 1 (unbegrenzt) | Veraltet | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | FJX4011RTF | - - - | ![]() | 4810 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | FJX401 | 200 MW | SOT-323 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 40 v | 100 ma | 100NA (ICBO) | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 1ma, 10 mA | 100 @ 1ma, 5V | 200 MHz | 22 Kohms | |||||
![]() | 2n2814 | 117.9178 | ![]() | 9277 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Schüttgut | Aktiv | 2n2814 | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||
![]() | JANS2N3498L | 54.3900 | ![]() | 9567 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/366 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-205aa, bis 5-3 Metalldose | 1 w | To-5 | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 100 v | 500 mA | 10 µA (ICBO) | Npn | 600mv @ 30 mA, 300 mA | 40 @ 150 mA, 10V | - - - | ||||||
![]() | PDTC124EMB | - - - | ![]() | 2024 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||
![]() | KSA1298YMTF | 0,2800 | ![]() | 19 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | KSA1298 | 200 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 25 v | 800 mA | 100NA (ICBO) | PNP | 400 mv @ 20 mA, 500 mA | 160 @ 100 mA, 1V | 120 MHz | ||||
![]() | BST16,115 | - - - | ![]() | 6891 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | BST1 | 1,3 w | SOT-89-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | 300 V | 200 ma | 100NA (ICBO) | PNP | 750 mv @ 5ma, 50 mA | 30 @ 50 Ma, 10 V | 15 MHz | ||||
JANSD2N3634 | - - - | ![]() | 3306 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/357 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-205ad, bis 39-3 Metall Kann | 1 w | To-39 (bis 205ad) | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 140 v | 10 µA | 10 µA | PNP | 600mv @ 5ma, 50 mA | 50 @ 50 Ma, 10 V | - - - | |||||||
![]() | MPSW3725 | - - - | ![]() | 8521 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) | MPSW37 | 1 w | To-226-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.500 | 40 v | 1.2 a | 100NA (ICBO) | Npn | 950 mv @ 100 mA, 1a | 60 @ 100 mA, 1V | 250 MHz | |||||
![]() | PDTC144ET/DG/B4215 | 0,0200 | ![]() | 84 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Verkäfer undefiniert | UnberÜHrt Ereichen | 2156-PDTC144ET/DG/B4215-1727 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | KSA992PTA | - - - | ![]() | 2869 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | KSA992 | 500 MW | To-92-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.000 | 120 v | 50 ma | 1 µA | PNP | 300 mV @ 1ma, 10 mA | 200 @ 1ma, 6v | 100 MHz | |||||
![]() | BUJ403A/DG, 127 | 0,3800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | 100 w | To-220ab | Herunterladen | Ear99 | 8541.29.0095 | 760 | 550 V | 6 a | 100 µA | Npn | 1v @ 400 mA, 2a | 20 @ 500 mA, 5V | - - - | ||||||||
![]() | 2N4912 | 3.0900 | ![]() | 9941 | 0.00000000 | NTE Electronics, Inc. | - - - | Tasche | Aktiv | - - - | K. Loch | To-213aa, to-66-2 | 25 w | To-66 (to-213aa) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 2368-2N4912 | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 80 v | 4 a | - - - | PNP | - - - | - - - | - - - | ||||||
![]() | PDTA114EU135 | - - - | ![]() | 5270 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | |||||||||||||||||
![]() | MJD148T4G | 0,7700 | ![]() | 4157 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | MJD148 | 1,75 w | Dpak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 45 V | 4 a | 20 µA (ICBO) | Npn | 500mv @ 200 Ma, 2a | 85 @ 500 mA, 1V | 3MHz | ||||
![]() | BC817-40W/ZL135 | 0,0200 | ![]() | 139 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | BC817 | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | ||||||||||||||||
![]() | BC847BS-TP | 0,3900 | ![]() | 40 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | BC847 | 300 MW | SOT-363 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 45 V | 100 ma | 15NA (ICBO) | 2 NPN (Dual) | 650 mv @ 5ma, 100 mA | 110 @ 2MA, 5V | 200 MHz |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
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