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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Gewinnen | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) | RAUSCHFIGUR (DB Typ @ f) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BFP720FH6327XTSA1 | 0,6600 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Flache Leitungen | BFP720 | 100 MW | 4-tsfp | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 10,5 dB ~ 28 dB | 4,7 v | 25ma | Npn | 160 @ 13ma, 3v | 45 GHz | 0,4 db ~ 1 db bei 150 MHz ~ 10 GHz | ||||||
![]() | MJE200TSTU | - - - | ![]() | 5266 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-225aa, to-126-3 | MJE200 | 15 w | To-126-3 | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 60 | 25 v | 5 a | 100NA (ICBO) | Npn | 1,8 V @ 1a, 5a | 45 @ 2a, 1V | 65 MHz | |||||||
BC817K-16HR | 0,2800 | ![]() | 1759 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BC817 | 350 MW | To-236ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 45 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | Npn | 700 mv @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 100 mA, 1V | 100 MHz | |||||||
![]() | 2N4123BU | - - - | ![]() | 7833 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) | 2N4123 | 625 MW | To-92-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 1.000 | 30 v | 200 ma | 50na (ICBO) | Npn | 300mv @ 5ma, 50 mA | 50 @ 2MA, 1V | 250 MHz | |||||||
![]() | TIP126G | - - - | ![]() | 8803 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | TIP126 | 2 w | To-220 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 80 v | 5 a | 500 ähm | PNP - Darlington | 4v @ 20 mA, 5a | 1000 @ 3a, 3v | - - - | ||||||
![]() | 2SC4116-BL-TP | - - - | ![]() | 2780 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | 2SC4116 | 100 MW | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0095 | 1.000 | 60 v | 150 Ma | 100NA (ICBO) | Npn | 250mv @ 5 mA, 50 mA | 350 @ 1ma, 6v | 80MHz | |||||||
![]() | KSC5502DTM | - - - | ![]() | 7816 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | 118.16 w | To-252, (d-pak) | Herunterladen | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 750 V | 2 a | 100 µA | Npn | 1,5 V @ 200 Ma, 1a | 15 @ 200 Ma, 1V | 11 MHz | ||||||||||
![]() | KST24MTF | - - - | ![]() | 4617 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | - - - | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | KST24 | 350 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 30 v | 100 ma | 50na (ICBO) | Npn | - - - | 30 @ 8ma, 10V | 620 MHz | |||||||
![]() | FJA4213Rtu | - - - | ![]() | 8399 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | TO-3P-3, SC-65-3 | FJA4213 | 130 w | To-3p | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | 2832-FJA4213Rtu | Ear99 | 8541.29.0075 | 450 | 250 V | 17 a | 5 µA (ICBO) | PNP | 3v @ 800 mA, 8a | 55 @ 1a, 5v | 30 MHz | |||||
2SC3665-y, T2NSF (j | - - - | ![]() | 3531 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | SC-71 | 2SC3665 | 1 w | MSTM | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 120 v | 800 mA | 100NA (ICBO) | Npn | 1v @ 50 mA, 500 mA | 80 @ 100ma, 5V | 120 MHz | |||||||||
![]() | 2SC945-GR-AP | - - - | ![]() | 1647 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | 2SC945 | 400 MW | To-92 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0075 | 1.000 | 50 v | 150 Ma | 100na | Npn | 300mv @ 10 mA, 100 mA | 200 @ 1ma, 6v | 150 MHz | |||||||
![]() | IMH14AT108 | 0,1692 | ![]() | 3348 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | Oberflächenhalterung | SC-74, SOT-457 | IMH14 | 300 MW | SMT6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50V | 100 ma | - - - | 2 NPN - Voresingenben (Dual) | 300 mV @ 1ma, 10 mA | 100 @ 1ma, 5V | 250 MHz | 47kohm | - - - | |||||
JANS2N2904 | 94.6406 | ![]() | 3930 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/290 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-205ad, bis 39-3 Metall Kann | 800 MW | To-39 (bis 205ad) | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 60 v | 1 µA | 1 µA | PNP | 1,6 V @ 50 Ma, 500 mA | 40 @ 150 mA, 10V | - - - | |||||||||
![]() | ZTX576Stob | - - - | ![]() | 6974 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | E-Line-3, Gebildete Leads | ZTX576 | 1 w | E-line (bis 92 kompatibel) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.000 | 200 v | 1 a | 100NA (ICBO) | PNP | 300mv @ 10 mA, 100 mA | 50 @ 300 mA, 10V | 100 MHz | |||||||
![]() | 2SC5013-A | - - - | ![]() | 3945 | 0.00000000 | Cel | - - - | Streiflen | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-82A, SOT-343 | 150 MW | - - - | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 9.5db | 10V | 35 Ma | Npn | 50 @ 10ma, 6v | 10GHz | 1,8 dB @ 2GHz | ||||||||
![]() | 2SD1815-TP | - - - | ![]() | 1913 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | 2SD1815 | 1 w | D-Pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 100 v | 3 a | 1 µA (ICBO) | Npn | 400mV @ 150 mA, 1,5a | 200 @ 500 Ma, 5V | 180 MHz | |||||||
![]() | JantX2N3737 | - - - | ![]() | 9942 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/395 | Schüttgut | Abgebrochen bei Sic | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-46-3 | 500 MW | To-46 (to-206ab) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 40 v | 1,5 a | 10 µA (ICBO) | Npn | 900mv @ 100 mA, 1a | 20 @ 1a, 1,5 V. | - - - | |||||||
![]() | JANSF2N2369AU | 165.6808 | ![]() | 3882 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/317 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-clcc | 2n2369a | 500 MW | 6-lcc | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 15 v | 400na | Npn | 450 mV @ 10 mA, 100 mA | 20 @ 100 mA, 1V | - - - | ||||||||
![]() | 2SD667-C-AP | - - - | ![]() | 2798 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, Bis 92-3 Langer Körper (Gebildete Leitungen) | 2SD667 | 900 MW | To-92mod | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0075 | 1.000 | 80 v | 1 a | 10 µA (ICBO) | Npn | 1v @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 150 mA, 5V | 140 MHz | |||||||
![]() | Ztx788astz | - - - | ![]() | 2880 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | E-Line-3, Gebildete Leads | ZTX788 | 1 w | E-line (bis 92 kompatibel) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.000 | 15 v | 3 a | 100NA (ICBO) | PNP | 330mv @ 200ma, 3a | 300 @ 10 mA, 1V | 150 MHz | ||||||
JantX2N3251a | - - - | ![]() | 7162 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | Militär, MIL-PRF-19500/323 | Schüttgut | Veraltet | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-205ad, bis 39-3 Metall Kann | 2N3251 | 360 MW | To-39 (bis 205ad) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 60 v | 200 ma | 10 µA (ICBO) | PNP | 500mv @ 5ma, 50 mA | 100 @ 10 Ma, 1V | - - - | |||||||
![]() | BCW61DLT1 | 0,0300 | ![]() | 2565 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0075 | 9.000 | |||||||||||||||||||
![]() | BCM847DS, 115 | 0,5000 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-74, SOT-457 | BCM847 | 380 MW | 6-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 45 V | 100 ma | 15NA (ICBO) | 2 NPN (Dual) Matchieres Paar | 400mv @ 5 mA, 100 mA | 200 @ 2MA, 5V | 250 MHz | ||||||
BCX53TX | 0,4000 | ![]() | 950 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | BCX53 | 500 MW | SOT-89 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 1.000 | 80 v | 1 a | 100NA (ICBO) | PNP | 500 mv @ 50 mA, 500 mA | 63 @ 150 mA, 2V | 140 MHz | |||||||
![]() | 2N3906RLRMG | - - - | ![]() | 5748 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, Bis 92-3 Langer Körper (Gebildete Leitungen) | 2N3906 | 625 MW | To-92 (to-226) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.000 | 40 v | 200 ma | - - - | PNP | 400mv @ 5ma, 50 mA | 100 @ 10 Ma, 1V | 250 MHz | |||||||
![]() | 2SC3689-TB-E | - - - | ![]() | 2010 | 0.00000000 | Sanyo | * | Schüttgut | Veraltet | - - - | Rohs Nick Konform | Verkäfer undefiniert | 2156-2SC3689-TB-E-600057 | 1 | |||||||||||||||||||||
![]() | 2N5401_J61Z | - - - | ![]() | 4526 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | 2N5401 | 625 MW | To-92-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 1.500 | 150 v | 600 mA | 50na (ICBO) | PNP | 500mv @ 5ma, 50 mA | 60 @ 10ma, 5V | 400 MHz | |||||||
![]() | BCP56-16HE3-TP | 0,3600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Micro Commercial co | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | BCP56 | 1,5 w | SOT-223 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 80 v | 1 a | 100NA (ICBO) | Npn | 500 mv @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 150 mA, 2V | 100 MHz | ||||||
2N3506 | 12.8877 | ![]() | 2041 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-205ad, bis 39-3 Metall Kann | 1 w | To-39 (bis 205ad) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 40 v | 500 mA | - - - | Npn | 500 mv @ 50 mA, 500 mA | 40 @ 1,5a, 2V | - - - | ||||||||||
![]() | 2N2906AUA | 27.0788 | ![]() | 2821 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | 2N2906 | 500 MW | 4-smd | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 60 v | 600 mA | 50na | PNP | 1,6 V @ 50 Ma, 500 mA | 40 @ 150 mA, 10V | - - - |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
Weltweite Hersteller
Lagerhaus