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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Gewinnen | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) | RAUSCHFIGUR (DB Typ @ f) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | Dta123yuat106 | 0,0536 | ![]() | 5936 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | Dta123 | 200 MW | Umt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 33 @ 10ma, 5v | 250 MHz | 2.2 Kohms | 10 Kohms | |||||
![]() | Dtc113ze3Hzgtl | 0,4100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | DTC113 | 150 MW | Emt3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 33 @ 5ma, 5v | 250 MHz | 1 Kohms | 10 Kohms | ||||||
![]() | ICD22V03X1SA1 | - - - | ![]() | 9354 | 0.00000000 | Infineon -technologien | * | Schüttgut | Veraltet | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | SP000986942 | Veraltet | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | 2SA2088U3T106 | 0,3800 | ![]() | 3988 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | 2SA2088 | 200 MW | Umt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 60 v | 500 mA | 1 µA (ICBO) | PNP | 500mv @ 10 mA, 100 mA | 120 @ 50 Ma, 2V | 400 MHz | ||||||
![]() | BFU550215 | 0,2500 | ![]() | 6 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | |||||||||||||||||||
![]() | MMBT3906L-UA RFG | - - - | ![]() | 9915 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 350 MW | SOT-23 | - - - | 1801-MMBT3906L-Uarfg | Veraltet | 1 | 40 v | 200 ma | 100NA (ICBO) | PNP | 400mv @ 5ma, 50 mA | 100 @ 10 Ma, 1V | 250 MHz | ||||||||||
![]() | 2pc4081q-qx | 0,0360 | ![]() | 7018 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | 200 MW | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1727-2pc4081q-qxtr | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 v | 150 Ma | 100NA (ICBO) | Npn | 400mv @ 5ma, 50 mA | 120 @ 1ma, 6v | 100 MHz | |||||||
![]() | 2SC5819 (TE12L, ZF) | - - - | ![]() | 4711 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Kasten | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | 1 w | PW-mini | Herunterladen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 20 v | 1,5 a | 100NA (ICBO) | Npn | 120 mV @ 10 mA, 500 mA | 400 @ 150 mA, 2V | - - - | ||||||||||
![]() | MJ10006 | 3.9330 | ![]() | 6592 | 0.00000000 | Solid State Inc. | SwitchMode | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-204aa, to-3 | 150 w | To-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | 2383-MJ10006 | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 350 V | 10 a | 5ma | NPN - Darlington | 2,9 V @ 1a, 10a | 40 @ 2,5a, 5V | - - - | ||||||
![]() | FJX1182OTF | - - - | ![]() | 1464 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | FJX118 | 150 MW | SOT-323 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 30 v | 500 mA | 100NA (ICBO) | PNP | 250mv @ 10 mA, 100 mA | 70 @ 100 mA, 1V | 200 MHz | |||||||
![]() | Bfu550ar | 0,3800 | ![]() | 138 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BFU550 | 450 MW | SOT-23 (to-236ab) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 18db | 12V | 50 ma | Npn | 60 @ 15ma, 8v | 11GHz | 0,6 dB @ 900MHz | ||||||
![]() | PDTA123YS, 126 | - - - | ![]() | 8548 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | PDTA123 | 500 MW | To-92-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | 50 v | 100 ma | 1 µA | PNP - VoreInensmen | 150 mV @ 500 µA, 10 mA | 35 @ 5ma, 5V | 2.2 Kohms | 10 Kohms | ||||||
![]() | BC338-25ZL1G | - - - | ![]() | 8391 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, Bis 92-3 Langer Körper (Gebildete Leitungen) | BC338 | 625 MW | To-92 (to-226) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 2156-BC338-25zl1g-ontb | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.000 | 25 v | 800 mA | 100na | Npn | 700 mv @ 50 mA, 500 mA | 160 @ 100 mA, 1V | 210 MHz | ||||||
![]() | BC848CLT3G | 0,0163 | ![]() | 2818 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BC848 | 225 MW | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 488-BC848CLT3GTR | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | 30 v | 100 ma | 15NA (ICBO) | Npn | 600mv @ 5ma, 100 mA | 420 @ 2MA, 5V | 100 MHz | |||||
![]() | Fjy3015r | 0,0200 | ![]() | 19 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Veraltet | Oberflächenhalterung | SC-89, SOT-490 | FJY301 | SOT-523F | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 100NA (ICBO) | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 33 @ 10ma, 5v | 250 MHz | 2.2 Kohms | 10 Kohms | ||||||||
![]() | 64042 | - - - | ![]() | 1124 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - - - | Schüttgut | Veraltet | - - - | Nicht Anwendbar | Veraltet | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||
Jan2n697s | - - - | ![]() | 3834 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/99 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-205ad, bis 39-3 Metall Kann | 600 MW | To-39 (bis 205ad) | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 40 v | 10 µA (ICBO) | Npn | 1,5 V @ 15ma, 150 mA | 40 @ 150 mA, 10V | - - - | ||||||||||
![]() | RN4904FE, LXHF (CT | 0,3800 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | RN4904 | 100 MW | Es6 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0095 | 4.000 | 50V | 100 ma | 500NA | 1 NPN, 1 PNP - Voreingenben (Dual) | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 80 @ 10ma, 5V | 200 MHz, 250 MHz | 47kohm | 47kohm | |||||||
![]() | HFA3096BZ96 | 11.6900 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 16-soic (0,154 ", 3,90 mm BreiTe) | HFA3096 | 150 MW | 16-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.500 | - - - | 12V, 15 V | 65 Ma | 3 NPN + 2 PNP | 40 @ 10 mA, 2 V / 20 @ 10 mA, 2 V. | 8GHz, 5,5 GHz | 3,5 dB @ 1 GHz | ||||||
![]() | 2SA1244-y (q) | - - - | ![]() | 1152 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Rohr | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa | 2SA1244 | 1 w | Pw-mold | - - - | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0075 | 200 | 50 v | 5 a | 1 µA (ICBO) | PNP | 400 MV @ 150 mA, 3a | 120 @ 1a, 1V | 60 MHz | ||||||||
![]() | NSV1C301ET4G-VF01 | 0,7900 | ![]() | 761 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | NSV1C301 | 2.1 w | Dpak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.500 | 100 v | 3 a | 100NA (ICBO) | Npn | 250 mV @ 300 mA, 3a | 120 @ 1a, 2v | 120 MHz | ||||||
![]() | KST13MTF | 0,0300 | ![]() | 27 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | - - - | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | KST13 | 350 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 0000.00.0000 | 3.000 | 30 v | 300 ma | 100NA (ICBO) | NPN - Darlington | 1,5 V @ 100 µA, 100 mA | 10000 @ 100 mA, 5V | 125 MHz | ||||||
![]() | MS2279 | - - - | ![]() | 5748 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - - - | Schüttgut | Veraltet | - - - | 1 (unbegrenzt) | Veraltet | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||
![]() | Ph9105 | - - - | ![]() | 3438 | 0.00000000 | Macom Technology Solutions | * | Schüttgut | Veraltet | - - - | 1 (unbegrenzt) | Veraltet | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||
![]() | RN2908FE, LXHF (CT | 0,3800 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | RN2908 | 100 MW | Es6 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0095 | 4.000 | 50V | 100 ma | 500NA | 2 PNP - Voreeinnensmen (Dual) | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 80 @ 10ma, 5V | 200 MHz | 22kohm | 47kohm | |||||||
2N5191 | 0,1900 | ![]() | 1175 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-225aa, to-126-3 | 2N5191 | 40 w | To-126 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | 60 v | 4 a | 1ma | Npn | 600mV @ 150 mA, 1,5a | 25 @ 1,5a, 2v | 2MHz | |||||||
![]() | 2SA1207S-AA | - - - | ![]() | 4482 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) | 600 MW | 3-NP | - - - | Rohs Nick Konform | Verkäfer undefiniert | 2156-2SA1207S-AA-488 | 1 | 160 v | 70 Ma | 100NA (ICBO) | PNP | 400mv @ 3ma, 30 mA | 140 @ 10ma, 5v | 150 MHz | |||||||||
![]() | 40036st | - - - | ![]() | 4266 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - - - | Schüttgut | Veraltet | - - - | Nicht Anwendbar | Veraltet | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||
![]() | DSA700300L | - - - | ![]() | 1265 | 0.00000000 | Panasonische Elektronische Komponenten | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | DSA7003 | 1 w | Minip3-F2-B | - - - | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 50 v | 1 a | 100NA (ICBO) | PNP | 400 mv @ 50 mA, 500 mA | 120 @ 500 mA, 10V | 120 MHz | |||||||
![]() | KSD227GBU | - - - | ![]() | 2086 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) | KSD227 | 400 MW | To-92-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | 25 v | 300 ma | 100NA (ICBO) | Npn | 400mv @ 30 mA, 300 mA | 200 @ 50 Ma, 1V | - - - |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
Weltweite Hersteller
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