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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | UNR91AMG0L | - - - | ![]() | 1618 | 0.00000000 | Panasonische Elektronische Komponenten | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SC-89, SOT-490 | UNR91A | 125 MW | Ssmini3-f3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 v | 80 Ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 250 mV @ 300 µA, 10 mA | 80 @ 5ma, 10V | 80 MHz | 2.2 Kohms | 47 Kohms | |||||
![]() | DDC114YUQ-13-F | 0,0528 | ![]() | 9992 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101, DDC (XXXX) U. | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | DDC114 | 200 MW | SOT-363 | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 31-DDC114YUQ-13-FTR | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | 50V | 100 ma | 500NA (ICBO) | 2 NPN - Voresingenben (Dual) | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 80 @ 5ma, 5V | 250 MHz | 10kohm | 47kohm | ||||
FZT857XDW | - - - | ![]() | 5233 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | 1,6 w | SOT-223-3 | - - - | 31-FZT857XDW | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 300 V | 3.5 a | 50na | Npn | 345mv @ 600 mA, 3,5a | 100 @ 500 mA, 10V | 80MHz | ||||||||
![]() | BC337-25 B1 | - - - | ![]() | 9978 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) | 625 MW | To-92 | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 1801-BC337-25B1 | Veraltet | 1 | 45 V | 800 mA | 100NA (ICBO) | Npn | 700 mv @ 50 mA, 500 mA | 250 @ 100 mA, 5V | 100 MHz | |||||||
![]() | KSC2383YBU | - - - | ![]() | 4655 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 Langer Körper | KSC2383 | 900 MW | To-92-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 500 | 160 v | 1 a | 1 µA (ICBO) | Npn | 1,5 V @ 50 Ma, 500 mA | 160 @ 200 Ma, 5V | 100 MHz | |||||
![]() | DMC566040R | - - - | ![]() | 1592 | 0.00000000 | Panasonische Elektronische Komponenten | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | 6-smd, Flache Leitungen | DMC56604 | 150 MW | Smini6-F3-B | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50V | 100 ma | 500NA | 2 NPN - Voresingenben (Dual) | 250 mV @ 500 µA, 10 mA | 80 @ 5ma, 10V | - - - | 10kohm | 47kohm | ||||
![]() | PBSS302nd-QH | 0,2082 | ![]() | 6226 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-74, SOT-457 | PBSS302 | 360 MW | 6-tsop | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1727-PBSS302nd-Qhtr | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 40 v | 4 a | 100na | Npn | 450 MV @ 600 Ma, 6a | 300 @ 1a, 2v | 150 MHz | ||||
![]() | MMST3904 | 0,1200 | ![]() | 1488 | 0.00000000 | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | 200 MW | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 3.000 | 40 v | 200 ma | 50na | Npn | 300mv @ 5ma, 50 mA | 100 @ 10 Ma, 1V | 250 MHz | ||||||
![]() | MS2348 | - - - | ![]() | 9738 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - - - | Schüttgut | Veraltet | - - - | 1 (unbegrenzt) | Veraltet | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | BC182B | - - - | ![]() | 3547 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 Langer Körper | BC182 | 350 MW | To-92 (to-226) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 5.000 | 50 v | 100 ma | 15NA (ICBO) | Npn | 600mv @ 5ma, 100 mA | 180 @ 2MA, 5V | 200 MHz | ||||
![]() | KSA733GTA | 0,0200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | KSA733 | 250 MW | To-92-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | 50 v | 150 Ma | 100NA (ICBO) | PNP | 300mv @ 10 mA, 100 mA | 40 @ 1ma, 6v | 180 MHz | ||||
![]() | BCP68 | 0,0500 | ![]() | 125 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | 1,5 w | SOT-223-4 | - - - | Verkäfer undefiniert | UnberÜHrt Ereichen | 2156-BCP68-600039 | 1 | 20 v | 1 a | 10 µA (ICBO) | Npn | 500mv @ 100 mA, 1a | 85 @ 500 mA, 1V | - - - | |||||||
![]() | SBC857ALT1G | 0,3800 | ![]() | 15 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SBC857 | 300 MW | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 45 V | 100 ma | 15NA (ICBO) | PNP | 650 mv @ 5ma, 100 mA | 125 @ 2MA, 5V | 100 MHz | ||||
![]() | Bdw94b-s | - - - | ![]() | 2584 | 0.00000000 | Bourns Inc. | - - - | Rohr | Veraltet | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | Bdw94 | 2 w | To-220 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 15.000 | 80 v | 12 a | 1ma | PNP - Darlington | 3v @ 100 mA, 10a | 750 @ 5a, 3v | - - - | |||||
![]() | PMBT2907A, 215 | - - - | ![]() | 2881 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | PMBT2907 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | |||||||||||||||||
![]() | 2N3998 | 143.4538 | ![]() | 9760 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Bolzenhalterung | To-210aa, to-59-4, Stud | 2N3998 | 2 w | To-59 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 v | 5 a | 10 µA | Npn | 2v @ 500 mA, 5a | 40 @ 1a, 2v | - - - | |||||
![]() | CPH6704-TL-E | 0,1900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.29.0075 | 3.000 | |||||||||||||||||
![]() | BD442stu | 0,1900 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-225aa, to-126-3 | BD442 | 36 w | To-126-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | 80 v | 4 a | 100 µA | PNP | 800mv @ 200 Ma, 2a | 40 @ 500 mA, 1V | 3MHz | ||||
![]() | Jan2N3724L | - - - | ![]() | 9720 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-205aa, bis 5-3 Metalldose | To-5 | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | 0000.00.0000 | 1 | 30 v | 500 mA | - - - | Npn | - - - | - - - | - - - | ||||||||
NHDTC144TR | 0,2200 | ![]() | 40 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | NHDTC144 | 250 MW | To-236ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 80 v | 100 ma | 100na | NPN - VORGEPANNT | 100 mV @ 500 µA, 10 mA | 100 @ 10ma, 5V | 170 MHz | 47 Kohms | 47 Kohms | ||||
![]() | BC639,126 | - - - | ![]() | 4119 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | BC63 | 830 MW | To-92-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.000 | 80 v | 1 a | 100NA (ICBO) | Npn | 500 mv @ 50 mA, 500 mA | 63 @ 150 mA, 2V | 180 MHz | ||||
![]() | Smun2211t3g | 0,0308 | ![]() | 8309 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Smun2211 | 230 MW | SC-59 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 250 mV @ 300 µA, 10 mA | 35 @ 5ma, 10 V. | 10 Kohms | 10 Kohms | ||||
![]() | RN4987, LXHF (CT | 0,4400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | RN4987 | 200 MW | US6 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50V | 100 ma | 500NA | 1 NPN, 1 PNP - Voreingenben (Dual) | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 80 @ 10ma, 5V | 250 MHz, 200 MHz | 10kohm | 47kohm | |||||
ZXTN25060BFHTA | 0,5600 | ![]() | 3627 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | ZXTN25060 | 1,25 w | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 3.000 | 60 v | 3.5 a | 50na (ICBO) | Npn | 175mv @ 350 Ma, 3,5a | 100 @ 10ma, 2v | 185 MHz | |||||
![]() | TN6727A_D74Z | - - - | ![]() | 3206 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, Bis 92-3 Langer Körper (Gebildete Leitungen) | TN6727 | 1 w | To-226 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | 40 v | 1,5 a | 100NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 100 mA, 1a | 50 @ 1a, 1V | - - - | |||||
![]() | 2SC2229-y (T6onk1fm | - - - | ![]() | 8244 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 Langer Körper | 2SC2229 | 800 MW | To-92mod | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 2SC2229YT6ONK1FM | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 150 v | 50 ma | 100NA (ICBO) | Npn | 500mv @ 1ma, 10 mA | 70 @ 10ma, 5V | 120 MHz | |||||
![]() | DDC122LU-7-F | - - - | ![]() | 6451 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | DDC122 | 200 MW | SOT-363 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50V | 100 ma | 500NA | 2 NPN - Voresingenben (Dual) | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 56 @ 10ma, 5V | 200 MHz | 220 Ohm | 10kohm | |||
![]() | 2SC3749m | 0,4100 | ![]() | 29 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||
JantX2N3635 | 11.4513 | ![]() | 8050 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/357 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-205ad, bis 39-3 Metall Kann | 2N3635 | 1 w | To-39 (bis 205ad) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 140 v | 1 a | 10 µA | PNP | 600mv @ 5ma, 50 mA | 100 @ 50 Ma, 10 V | - - - | |||||
![]() | APT13003SU-E1 | - - - | ![]() | 3249 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Rohr | Veraltet | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-225aa, to-126-3 | APT13003 | 1,1 w | To-126 | - - - | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | 31-APT13003SU-E1 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 450 V | 1.3 a | 10 µA | Npn | 600mv @ 250 mA, 1a | 13 @ 500 mA, 2V | 4MHz |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
Weltweite Hersteller
Lagerhaus