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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Gewinnen | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) | RAUSCHFIGUR (DB Typ @ f) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 2SA1386a | 4.5000 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Sanken | - - - | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | TO-3P-3, SC-65-3 | 130 w | To-3p | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2SA1386A DK | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 180 v | 15 a | 100 µA (ICBO) | PNP | 2v @ 500 mA, 5a | 50 @ 5a, 4V | 40 MHz | |||||||
JANSL2N2222AL | 98.5102 | ![]() | 9533 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/255 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-206aa, to-18-3 Metalldose | 500 MW | To-18 (to-206aa) | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 50 v | 800 mA | 50na | Npn | 1v @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 150 mA, 10V | - - - | |||||||||
![]() | 2N3765 | 21.0938 | ![]() | 9365 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 200 ° C. | K. Loch | To-206ab, bis 46-3 Metall Kann | 2N3765 | 500 MW | To-46 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 60 v | 1,5 a | 100na | PNP | 900mv @ 100 mA, 1a | 20 @ 1,5a, 5V | - - - | |||||||
![]() | RN2113, LXHF (CT | 0,0624 | ![]() | 9067 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | RN2113 | 100 MW | SSM | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 100NA (ICBO) | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 120 @ 1ma, 5V | 200 MHz | 47 Kohms | ||||||||
![]() | Jan2N333 | - - - | ![]() | 2184 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-205aa, bis 5-3 Metalldose | To-5 | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | 0000.00.0000 | 1 | 45 V | 10 ma | - - - | Npn | - - - | - - - | - - - | ||||||||||
![]() | 2SC1623-L6-TP | 0,0289 | ![]() | 9939 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 2SC1623 | 200 MW | SOT-23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 100NA (ICBO) | Npn | 300mv @ 10 mA, 100 mA | - - - | 250 MHz | ||||||
![]() | PDTB114EU135 | - - - | ![]() | 2077 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | PMBT3946YPN-QH | 0,0678 | ![]() | 6633 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | 350 MW | 6-tssop | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1727-PMBT3946YPN-QHTR | 3.000 | 40V | 200 ma | 50na (ICBO) | NPN, PNP | 300mv @ 5 mA, 50 mA / 400 mv @ 5 mA, 50 mA | 100 @ 10 Ma, 1V | 300 MHz, 250 MHz | ||||||||||
![]() | KSC2786RBU | - - - | ![]() | 6463 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 Kurzkörper | KSC2786 | 250 MW | To-92s | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | 18 dB ~ 22 dB | 20V | 20 ma | Npn | 40 @ 1ma, 6v | 600 MHz | 3db ~ 5 dB @ 100MHz | |||||||
![]() | 2N5401 | 0,1200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | NTE Electronics, Inc | - - - | Tasche | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 Langer Körper | 625 MW | To-92 (to-226) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 2368-2N5401 | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 150 v | 600 mA | 50na (ICBO) | PNP | 500mv @ 5ma, 50 mA | 60 @ 10ma, 5V | 300 MHz | ||||||||
![]() | BC368_D26Z | - - - | ![]() | 6942 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | BC368 | 625 MW | To-92-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | 20 v | 2 a | 10 µA (ICBO) | Npn | 500mv @ 100 mA, 1a | 85 @ 500 mA, 1V | 45 MHz | |||||||
![]() | UNR5212G0L | - - - | ![]() | 6611 | 0.00000000 | Panasonische Elektronische Komponenten | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SC-85 | UNR5212 | 150 MW | Smini3-F2 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 250 mV @ 300 µA, 10 mA | 60 @ 5ma, 10V | 150 MHz | 22 Kohms | 22 Kohms | |||||||
Jan2n2904a | 10.7597 | ![]() | 6705 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/290 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-205ad, bis 39-3 Metall Kann | 2n2904 | 800 MW | To-39 (bis 205ad) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 60 v | 600 mA | 10 µA | PNP | 1,6 V @ 50 Ma, 500 mA | 40 @ 150 mA, 10V | - - - | |||||||
MMSTA92-7 | - - - | ![]() | 6487 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | MMSTA92 | 200 MW | SOT-323 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 300 V | 100 ma | 250na (ICBO) | PNP | 500 mv @ 2MA, 20 mA | 25 @ 30 Ma, 10V | 50 MHz | |||||||
![]() | KSD1616ALTA | - - - | ![]() | 5465 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | KSD1616 | 750 MW | To-92-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.000 | 60 v | 1 a | 100NA (ICBO) | Npn | 300 mV @ 50 Ma, 1a | 300 @ 100 mA, 2 V | 160 MHz | ||||||
![]() | NSBC113EPDXV6T1G | 0,0698 | ![]() | 9045 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | NSBC113 | 500 MW | SOT-563 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 4.000 | 50V | 100 ma | 500NA | 1 NPN, 1 PNP - Voreingenben (Dual) | 250mv @ 5ma, 10 mA | 3 @ 5ma, 10V | - - - | 1kohm | 1kohm | |||||
![]() | BCP52-16TF | 0,4800 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | BCP52 | 1,3 w | SOT-223 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 4.000 | 60 v | 1 a | 100NA (ICBO) | PNP | 500 mv @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 150 mA, 2V | 140 MHz | ||||||
![]() | BFR380FH6327XTSA1 | 0,4400 | ![]() | 19 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-723 | BFR380 | 380 MW | PG-TSFP-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 9.5db ~ 13.5db | 9V | 80 Ma | Npn | 90 @ 40 mA, 3V | 14GHz | 1,1 db ~ 1,6 dB @ 1,8GHz ~ 3GHz | ||||||
![]() | TIPL770-S | - - - | ![]() | 2325 | 0.00000000 | Bourns Inc. | - - - | Rohr | Veraltet | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | 50 w | To-220 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 15.000 | 400 V | 2,5 a | 5 ähm | Npn | 2,5 V @ 500 Ma, 2,5a | 20 @ 500 mA, 5V | 12 MHz | ||||||||
![]() | Mun2231t1g | 0,0257 | ![]() | 1676 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Mun2231 | 338 MW | SC-59 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 250mv @ 5ma, 10 mA | 8 @ 5ma, 10V | 2.2 Kohms | 2.2 Kohms | ||||||
![]() | MJD2955-1g | - - - | ![]() | 2461 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa | MJD29 | 1,75 w | I-Pak | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | 60 v | 10 a | 50 µA | PNP | 8v @ 3,3a, 10a | 20 @ 4a, 4V | 2MHz | |||||||
![]() | 2n5091 | 19.0722 | ![]() | 8472 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | RN2109ACT (TPL3) | 0,3400 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-101, SOT-883 | RN2109 | 100 MW | CST3 | - - - | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | 50 v | 80 Ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 150 mV @ 250 ua, 5 mA | 70 @ 10ma, 5V | 47 Kohms | 22 Kohms | |||||||
![]() | Smun2214t3g | 0,3700 | ![]() | 469 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Smun2214 | 230 MW | SC-59 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 250 mV @ 300 µA, 10 mA | 80 @ 5ma, 10V | 10 Kohms | 47 Kohms | ||||||
![]() | SMUN5116DW1T1G | 0,1060 | ![]() | 4296 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | Smun5116 | 187MW | SC-88/SC70-6/SOT-363 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50V | 100 ma | 500NA | 2 PNP - Voreeinnensmen (Dual) | 250 mV @ 1ma, 10 mA | 160 @ 5ma, 10V | - - - | 4.7kohm | - - - | |||||
![]() | BCM847DS, 115 | 0,0700 | ![]() | 6217 | 0.00000000 | NXP -halbleiter | * | Schüttgut | Aktiv | BCM847 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 2156-bcm847ds, 115-954 | 1.750 | ||||||||||||||||||||
![]() | BC846alt3g | 0,1400 | ![]() | 22 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BC846 | 300 MW | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | 65 V | 100 ma | 15NA (ICBO) | Npn | 600mv @ 5ma, 100 mA | 110 @ 2MA, 5V | 100 MHz | ||||||
![]() | NTE154 | 3.3900 | ![]() | 141 | 0.00000000 | NTE Electronics, Inc | - - - | Tasche | Aktiv | 200 ° C | K. Loch | To-205ad, bis 39-3 Metall Kann | 1 w | To-39 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 2368-NTE154 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 300 V | 100NA (ICBO) | Npn | 1V @ 2MA, 20 mA | 40 @ 30 Ma, 20V | 50 MHz | |||||||||
![]() | 2SC59930p | - - - | ![]() | 3252 | 0.00000000 | Panasonische Elektronische Komponenten | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | 2SC599 | 2 w | To-220d-a1 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Q3607823 | Ear99 | 8541.29.0075 | 500 | 180 v | 1,5 a | 100 µA (ICBO) | Npn | 500mv @ 100 mA, 1a | 120 @ 100 mA, 5V | 130 MHz | |||||||
![]() | ZXTP05120HFFTA | 0,5700 | ![]() | 87 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-3 Flache Leitungen | ZXTP05120 | 1,5 w | SOT-23F | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 3.000 | 120 v | 1 a | 10 µA | PNP - Darlington | 2v @ 2ma, 2a | 3000 @ 1a, 5V | 150 MHz |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
Weltweite Hersteller
Lagerhaus